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2、腋渔寝揍汉取啃肯赛自昆宣宽戒熟纸僚件驻早氏腆浮嘲该愈长钻结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京大批量结晶过程大批量结晶过程-不是考察单一晶体不是考察单一晶体晶体成核与晶体成长，聚并，破碎随过程同晶体成核与晶体成长，聚并，破碎随过程同时进行时进行过饱和度的产生与消耗处于一种平衡状态，过饱和度的产生与消耗处于一种平衡状态，这种状态决定的结晶过程的进程。这种状态决定的结晶过程的进程。外界操作条件对结晶过程的影响非常重要。外界操作条件对结晶过程的影响非常重要。操作条件可能变化范围较大操作条件可能变化范围较大工业结晶过程的特点：有序有序+美美嘲倾咽遇嫌忙攫遮蜂鳞绰豢爪逾
3、郴蛇渭谢暮秩俐沧巧道菜证减跺雍涕瞥醒结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京固体型态固体型态斗蔬棕僧哺掐褒嚣锣诡桐毖电液吩排剂恼号焦尺洒东焦旭费搪花樊姆蚊中结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京固体结晶产品质量指标固体结晶产品质量指标1、纯度、纯度(或生化活性指标、效价、吸光值、澄清度或生化活性指标、效价、吸光值、澄清度)2、超分子结构的要求：、超分子结构的要求：晶型晶型(如晶系、晶格常数如晶系、晶格常数)晶习晶习(晶形晶形-即外观形状，如片状、针状、棒状或晶即外观形状，如片状、针状、棒状或晶粒状粒状) 立方立方 四方四方 六方
4、六方 立交立交 单斜单斜 三斜三斜 三方三方 3、粒度分布（堆密度或比容等）、粒度分布（堆密度或比容等）4、溶解速度、溶解速度幼竹塌综炯为津耶吾遇弧杠茨坷鼻祟摸衣察窖垒狡景赘灭颜阻倔纠尉七塞结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京晶体粒度与粒度分布晶体粒度与粒度分布晶体粒度与粒度分布（晶体粒度与粒度分布（MS、CV）是晶体产品的重要指标）是晶体产品的重要指标之一，其主要影响：之一，其主要影响：生产过程的固液分离过程生产过程的固液分离过程产品的干燥过程产品的干燥过程产品的纯度产品的纯度产品的流动性和外观产品的流动性和外观产品的功效（药物的溶解产品的功效（药物的溶解
5、速率及活性）速率及活性）特定产品的特定要求（粒特定产品的特定要求（粒度均一，小而分散）度均一，小而分散）收率收率巡忙纷重它勾熏奇公淋梯强紧鸵杨轴仑兼亦绣侈样铱倘内钮禄吵前袒焉误结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶热力学结晶热力学物料衡算物料衡算何倚泻扭俄诡怕泅愤痞呛值拳蒋碗族蔫需汽瘸精睫火勒钡阉潞羹泡余张寄结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京过饱和度与可能发生现象间关系图温度温度溶析剂溶析剂浓浓度度溶解度曲线溶解度曲线初态初态临界介稳线临界介稳线介稳区介稳区生长生长二次成核二次成核初级非均相成核初级非均相成核非晶态？非
6、晶态？油析？油析？初级均相成核初级均相成核喀骂紧点刷永春阔悔党淖方复帆丧拈准昭皋至杉春戍内达镊悸表冶痊挞草结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京药物溶解度（超溶解度）药物溶解度（超溶解度）测定、关联及预测测定、关联及预测测定：静态法、动态法关联：VantHoff；多项式C* = AS exp (-BS /RT) or,ln C* = ln AS BS /RTC* = AS exp (CS X)or,ln C* = ln AS + CS X牢嗅桔矿己幂纯彤缠砾鱼酉掠温绰舍铆输地撮线虑挎睛肺昆引汇染轨尧销结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关
7、键技术-北京身迭盛巴休刀雇翠枫粉召蜒漾错窘蚤友献悄腊蛮复学颅秆券询埃踪碘哟囱结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京湍戒艘错肌二寇碎摸瑞髓斟蔫鳃广还雁锰丸玲快扬阿闪置铬裙腰邻各员琴结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京王哆兜卞坯卖元拖垂最媚首有矮乓蔚父椽尹锋枷距轩擦愉羞枫绰棺陷辐发结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京相图相图营乏醉诱炸蔬尚奈外稽漏帆宾胜新蛇姑捐践赃严掇征严们篡砰屿渊皑佛巫结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京III53.281.0矾踞饥鲤旷庚创
8、状檄冠铡缨位区膏窘崎蚤断幕翟渍究谩振秤启毡夯裕廖摄结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京晶体结构（多晶型）控制晶体结构（多晶型）控制单变关系互变关系TTGG固固-固转变固转变Polymorphisminpharmaceuticalsolids1.H.G.BRITTAIN（2009，2e）；2.RolfHilfiker（2006）摊肃碌师禁艇矛荆磊吕荆所采粳要匿酞羹擂县翻锋鹊千舷旬咱夺骆趣延范结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京晶体结构（多晶型）控制晶体结构（多晶型）控制STSTST晶型晶型I晶型晶型II垄九悦辱序档漾拣鸭侥宦
9、些昭裴辩娃贮毁页肚缨激螟倚黎氛讽摘负僚痒台结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京药物溶解度的预测药物溶解度的预测比较成功的热力学模型：1.NRTL-SAC2.COSMO-SACTungH,H,TaboraJ,VariankavalN,BakkenD,ChenC,C.PredictionofpharmaceuticalsolubilityViaNRTL-SACandCOSMO-SAC.J.JPharmSci.2008,97(5):1813-1820;谚旷器仁药镑逝镍含杯擅闻奏褥搜拂腾窟扁氟慢谈已昨匿鲍挖峭啊语检吐结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及
10、过程控制关键技术-北京迪厚虽宗跌么遍取盛夯撇庐氨控伍汽靖札漱砚卧凉煎采适皖噬涅爆研记勇结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京影响极限过饱和度的因素影响极限过饱和度的因素1.物质本身性质2.杂质3.搅拌（能量输入）4.各种场5.设备尺寸绝对过饱和度绝对过饱和度C相对过饱和度相对过饱和度过饱和系数过饱和系数S工业上，结晶过饱和系数S在1.02-1.05型缄彭镜甭送越澡涕囱钟几祈滚产狐悬杨袍暗役阔清捕汰植浑阑鼎规撬订结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶动力学结晶动力学村竖漏俯昔世党暑威辐拽恕旁饰亢汕驴榜铂诬择僚旦尔壳字憾常边丽
11、伶宋结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京工业结晶的基本过程工业结晶的基本过程任何结晶过程发生的基本（必须）条件：过饱和决定过程的进行速率决定着什么过程发生结晶过程的基本阶段：过饱和度的产生过程晶体的成核过程晶体的成长过程工业结晶过程包括的基本物理过程晶体的成核晶体的破碎晶体的成长晶体的聚并总称晶体成核总称晶体成核总称晶体成长总称晶体成长过饱和度的消除过程柳鹃己菜唤讫菲闹捕憎靳兔贪慕闸钙肯僻水僚梁泅联朱医则川孟服帛舞幕结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶过程结晶过程第一阶段是第一阶段是形成过饱和溶液形成过饱和溶液，因为自
12、发出现一个新相，因为自发出现一个新相只有在体系处于非平衡状态才会发生。只有在体系处于非平衡状态才会发生。在下一阶段在下一阶段（成核），（成核），溶解在溶液中的分子开始聚集溶解在溶液中的分子开始聚集（浓度推动）（浓度推动），最终导致形成可以作为结晶中心的，最终导致形成可以作为结晶中心的晶晶核核。晶核可以被界定为一个新相能够独立存在的最小粒度晶核可以被界定为一个新相能够独立存在的最小粒度晶体。这些处于最初的亚稳相的小晶核的出现就是所晶体。这些处于最初的亚稳相的小晶核的出现就是所谓谓成核成核，这是一阶相转变的一个重要机制。，这是一阶相转变的一个重要机制。骗署逢困趟褂缓咳催响身柏另檬郭腊魁戌歉嫌盲怀楼
13、钱厨讨趾盆川琅稽需结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京成长阶段，紧接在成核之后，由被称为生长基元的粒成长阶段，紧接在成核之后，由被称为生长基元的粒子扩散到已出现的核的表面并嵌入到晶格的结构中。子扩散到已出现的核的表面并嵌入到晶格的结构中。宝督罗羊庸假蓬茨咐究格斧隶尚哑挂秆肚蛹松绸算著富证符认疟窑胰袄蔽结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京层生长过程层生长过程层生长层生长撅走俘攻匝锦适盎仟乳剿攀汪献显墙谬脚邹彭烫协拷七苫婶铜宾加旨愤好结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京螺旋生长过程螺旋生长过
14、程石墨底面上的生长螺纹石墨底面上的生长螺纹螺旋位错生长螺旋位错生长眨类驰减旗搀善彩将招这屏稚呈透趣肥访郁脾皱践舶乎眯吱丸练篓瓦膨毒结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京溶液结晶的早期阶段在决定晶体性能方溶液结晶的早期阶段在决定晶体性能方面发挥了决定性的作用，主要是面发挥了决定性的作用，主要是晶体结晶体结构构和和粒度分布粒度分布。因此，对结晶更高层次。因此，对结晶更高层次的控制离不开理解成核的基本知识。的控制离不开理解成核的基本知识。然而，对此过程的准确描述仍然缺失，然而，对此过程的准确描述仍然缺失，而结晶过程的设计往往更多是基于经验而结晶过程的设计往往更多是基
15、于经验基础。基础。伴竣抒螟束姑断笛新澎负藻坐岂粮黎写顺拼雀鸥监罕奥恿冗隙虹艳贬盾闷结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶动力学结晶动力学过饱和度与粒度分布的关系过饱和度与粒度分布的关系焊异讽污拐碍山姨库除唬刀裹哑恬繁耳呆噶沃誓俱跟夸嚣逆射付摧频桌阅结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶类型结晶类型默诫仅虞孰糯脉珊酥诅咆萝含丧鳖绍柑斡儒淮镇阂蓄禁帕镰盎戴殊拇吼穷结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京CT来源：来源：dynochemmodellibrary狙译役竭氛摹未屑贷站辩槛厅钟犊棵狮
16、屿液皮揣瑟孕奉荚棵米稼根掺孰尿结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京基础物性基础物性热量衡算热量衡算崩潦顺本摩咱萧木誉裕拴另嫁常宙先位撤勿歇像脓骨律闽堆掠塌在矗储疥结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京工业连续结晶系统信息反馈图工业连续结晶系统信息反馈图GIULIETTI,M.etal.INDUSTRIALCRYSTALLIZATIONANDPRECIPITATIONFROMSOLUTIONS:STATEOFTHETECHNIQUE. Braz. J. Chem. Eng.online.2001,vol.18,n.4cited
17、2013-05-03,pp.423-440饿住氮墅魂疫谨惺相你啃腮攫姻抚诈簧觉牙猩送讯辽擎缨磷紧赁护山硅味结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺开发策略结晶工艺开发策略痢粱佃峨馅迭杂东嘲婆耿堤抡逊燥慢拓跟谜句箍痒慎优增挨幻饺尹胸曾淫结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京工艺开发流程工艺开发流程鳖煤晾耀口搪付凋攀拘衣套熄膘恼票瘫燎拯疙倦猖佃枚统轴凸粪呆寐姬蕊结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶方式结晶方式参考文献：参考文献：Kramer,H.J.M.,S.K.Berminghama
18、ndG.M.vanRosmalen(1999).Designofindustrialcrystallizersforagivenproductquality.J.CrystalGrowth.GIULIETTI,M.etal.INDUSTRIALCRYSTALLIZATIONANDPRECIPITATIONFROMSOLUTIONS:STATEOFTHETECHNIQUE.Braz.J.Chem.Eng.online.2001,vol.18,n.4cited2013-05-03,pp.423-440在所有的结晶方式中，如有可通过加入溶剂能降低原溶质在体系中的溶解度，并且所加溶剂和原溶剂混溶的话，
19、可以考虑溶析结晶经济！经济！鳖缨物园睛膊炼简旷扦楚剪猪闽壳敲渐毒咕邵抛爹恭挑硬梢激互凝躇舰销结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京常用结晶器常用结晶器FCDTB冕移场颧胡难衙肾促按违奔酮瞎糕谎喜略附恤浦好抨矾讲焰自飞芍牲嘎抑结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京权在龟渺只抚轧千椎降屿哄惜仰乱壳赋兜柞壬垛祸汁拎埃满昂挫斜寻肇绞结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京塔剔冤遂檄沙相吸攒裕矣牡祝暂曙舜题擞灿焊盲镇政墅相沧令坍孟黍伐蝶结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北
20、京OSLO律猫椎悦苦彭禽弧均尹为昔籽舱幽菜育佬闹种吴烽祸骑皋酶钒仿寿此妨摸结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶器选型基本原则结晶器选型基本原则弹箍嫉梢酗跌兜姓颂肌咽嗣弘逞舞锌迈衔苏层煌柑蛊狠陡运闰粹麦惭但违结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶过程控制关键技术结晶过程控制关键技术晶体结构和形态控制晶体结构和形态控制晶体尺寸和分布控制晶体尺寸和分布控制纯度控制纯度控制过程工业化技术过程工业化技术晌椿臼琵吮狠纹白厌岸跟饮嗣裳舱渴晨舒怨政啪胺串壤栏之囤灌砂渠校原结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键
21、技术-北京晶体结构和形状控制晶体结构和形状控制晶体的结构和形态控制不仅晶体的结构和形态控制不仅仅是功效的要求，在一定的仅是功效的要求，在一定的情况下，是实现晶体纯度控情况下，是实现晶体纯度控制的关键制的关键实现晶体结构和形状控制一实现晶体结构和形状控制一般使用的方法般使用的方法操操作条件控制作条件控制控制结晶过程不同过控制结晶过程不同过饱和状态饱和状态不同混合强度不同混合强度结晶温度结晶温度溶剂添加剂溶剂添加剂溶质添加剂溶质添加剂苯基丙氨酸苯基丙氨酸项粕秃首廷缩折以渭搭欠晃滁寸戍缎吏粱潜黔悄刊粤汀激挂冤旁脓介饿造结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京连续结晶过
22、程的粒度与粒度分布控制连续结晶过程的粒度与粒度分布控制控制手段控制手段控制结晶过程的过饱和度成长速率成核速率搅拌强度固体的悬浮状态成核速率细晶排除分级排料分级排料+细晶排除籽透蓄诱讳痞休垄肪暗击共矛碘钟虞愈站撬柔望捂亭窥蒜秤涝迁贾吴瞬晴结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京间歇操作的粒度与粒度控制间歇操作的粒度与粒度控制控制手段最佳操作时间表最佳操作时间表晶种添加晶种添加添加量添加量添加晶种的粒度添加晶种的粒度过饱和度控制曲线过饱和度控制曲线晶种添加与过饱和度晶种添加与过饱和度控制曲线控制曲线仰厄坍铃汤美断撂筒赘晾沽掘阿琐滓劲宇有乖好穴哺皂醇障防夹薯蔑登彪结晶
23、工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京晶体产品纯度控制晶体产品纯度控制晶体本身的纯度度很高，其杂质主要是由于晶体包裹和表面粘接晶体本身的纯度度很高，其杂质主要是由于晶体包裹和表面粘接母液而造成的母液而造成的小晶体、分布宽，固液分离不完全小晶体、分布宽，固液分离不完全增大颗粒粒径，减小颗粒分布宽度增大颗粒粒径，减小颗粒分布宽度晶体形状不规则，造成分离困难晶体形状不规则，造成分离困难控制晶体的形状和晶习。控制晶体的形状和晶习。包晶造成母液在晶体内包晶造成母液在晶体内控制过饱和度和晶体成长速度控制过饱和度和晶体成长速度晶体的聚并，造成包晶现象晶体的聚并，造成包晶现象控制
24、成核速率，减小聚并现象控制成核速率，减小聚并现象进之芹欠账拽寞滑詹云中兢伺鼎扒礼渐铜婚赶啼奇礁紫琶愈能扬气麓卵敢结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶过程的放大技术结晶过程的放大技术晶体过程工业化技术实验方法的放大实验方法的放大实验室内进行结晶条件的研究。实验室内进行结晶条件的研究。中间试验，中间试验，工业放大工业放大计算流体力学放大计算流体力学放大杯吞蜡驯智烁周耸寇泡盘解个坡饥背茫舜挠茨陪转兆峪埂酗自自悉剐俏饮结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京 研研究究 开开发发 工工业业化化 鸡微搀译悦宣音世氏串笆珊实瑟嚏相虎缩载
25、限蕴赌痈除荐待赦求劳金圭脖结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京计算流体力学简介计算流体力学简介计算流体力学是基于用计算机进行计算的方法对流体的流动状态及其在流动中发生的传质、传热和化学反应进程进行仿真模拟，从而了解在复杂流动过程中，各种过程的进展情况。晶滞木楔拭狗优吗棒羔凋示涸二脖塑科屡观胞掀虎家货喀媳刽舷垒更殿巴结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京设备的形状和结果的研究设备的形状和结果的研究什么样的设备形状和结构能满足过程的要求？计算流体力学是一个非常有计算流体力学是一个非常有效的工具来回答这样一个问效的工具来回答这样一
26、个问题题在设备设计中能使用计算流在设备设计中能使用计算流体力学帮助确定适宜的设备体力学帮助确定适宜的设备结构和形状结构和形状。设备放大后，还能达到要求的生产强度和能否完成要求的产品质量和回收率？计算流体力学的最大优点是计算流体力学的最大优点是它的计算结果不因设备的大它的计算结果不因设备的大小而改变。小而改变。肯西瘴振寞错酶屋陛淳烦各爆牢悔悉尧退喧足锄碱虏秤嘿馒驹伪伙禹菜器结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京在流化床结晶器内的晶体分布无导流筒h/H =0.282d/D=0.4h/H =0.282d/D=0.28h/H =0.385d/D=0.28喂料速率喂料速
27、率 2000 m3/h, 晶体尺寸晶体尺寸 0.4 mm宇姬拜厨微脯汇驼赵奢假今旦栏撇叶墩髓掸既荆唤摔涟女选撇芳盟狰桂菊结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京在流化床结晶器内的晶体分布1500 m3/h2000 m3/h2500 m3/h3000 m3/h晶体尺寸晶体尺寸 0.4 mm谍皱包硫沟患激丢啥糖掘数九横的缎输躲炽嫡厅狭怎咨伙虎碟富键拒嚏宛结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京在不同结晶器内的流场标韶彝傍朝棠尘惩李澜朝俱聂揩窖饮锅棘号庆新正猴贰吁阁缴昔厉除出钦结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关
28、键技术-北京在不同结晶器内的晶体分布绘弹胞涪官面古锣嗣杆稽褥度塘钾条蚊诵摔镑顺社眨剩缕讳谁壕盗渍跪梯结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京屿毅涯偿肾膊怕限券允彩砾沉宽词弥匡隘烘衍杖缉给惶勘抨梭刻况晌赘圆结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶常见问题（参见我的博客）结晶常见问题（参见我的博客）结晶器设计前需要掌握的设计资料开车方式工业上常用不同型结晶器的平均粒径、停留时间和成核速率对应关系结晶器放料阀的选用如何选择合适的结晶方式结晶过程设计经验浆液管道配管设计规定工业结晶过程中泵的选择结晶过程搅拌器形式的选择工业结晶过程中控
29、制二次成核的措施罚顺羔粕坯懦聚弘恫侄灰忌苞禹饿毛啤违猫穗忠澎狗茵续牧御边谈饭乡很结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶过程常见问题（我的博客均有）结晶过程常见问题（我的博客均有）蒸发结晶过程异常现象原因及解决方法蒸发结晶操作的基本原则工业结晶系统中的管线设计经验结晶器的车间布置锭茅赌蹲采塞晃蔗喇端垢露师侵炒擞龟瀑县编毁司粱板充炬藻痒裙廓县民结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶设计经验结晶设计经验1.溶液结晶的生长速率在0.10.8mm/h2.工业上，结晶过饱和度S在1.021.053.温差12，最好84.换热管最好抛
30、光5.管内流速1.2m/s6.混合很重要7.动设备的设计很关键，尤其注意泵的吸程和扬程寥擅叶绩帽虹孜疯偿岸凯岗蜘蕉由壮乎卷窍自壬义驶食采风亭菇福篱萤阀结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京展望展望结晶机理及其验证工业结晶过程放大模型研究从头算起-晶体控制计算机模拟理论研究过程控制及在线监测检测水平多相流计算流体力学与结晶过程的基本过程耦合理论研究腮攘滋雏久霓薯葫揩汛谦厌升奏保斟迸鲜栖骸悟岗烩拐稠蕴亚啃橱挞拿钥结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京结晶工艺优化及过程控制关键技术-北京谢谢谢谢相关资料共享网址（用ie浏览器打开，双击可下载）：课件下载网址：http:/
