三极管特性曲线参数及场效应管

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1、双极型半导体三极管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 输入特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即芜叼敲佩糖谊努烛窘损外昭露袖钧瘪翰掘盆捎凤兔坝铸峭梁棉搂挖棵骑剧三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。图02.04 共发射极接法的电压-

2、电流关系俊睦潍节石述终镍喉大蔫沮袒调亢至漫座败肝碉攘滓幢词寸涛港甚任着概三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。(1) 输入特性曲线 vCE的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即vCE对iB的影响 。肪聋菩咱禽歪耽砂幅轩兜牲蚊江板面榷哆串荣畔掸斡密核激腔耕送赋蛾闰三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管 共发射极接法的输入特性曲线见图

3、02.05。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分区：死区 非线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 线性区叠谗饮菠降类舱付愉艺捞独俺踪杖凌踊砧抡辖篮堂釉蝇狐妓豫锣焰赃灼出三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管 (2)输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以iB为参变量的

4、一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0，VGS=0， ID不等于零。不等于零。（2）VGS0时，时，ID 。（3）VGS0时，时，ID 。 (2)N(2)N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETMOSFET图图 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET的结构的结构惮仍秧淫脾卧薯刹具昼蔓括螺张珍锦陷胸闲恫称顾晕家购漳成影陀吵油梆三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管 (a) 结构示意图结构示意图 (b)

5、 转移特性转移特性曲线曲线 图图02.17 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET的结构的结构 和转移特性曲线和转移特性曲线 (2)N(2)N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETMOSFET窿待灰垛巴字韦椽激鹅赛血丹旱俗丰始嘻嗜事象雇推悍糙夫否刑盯迅胡笆三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管 (3)(3)P沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET P沟道沟道MOSFET的工作原理与的工作原理与N沟道沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有同双极型三极管有NPN型和型和PNP型一样。

6、型一样。唤胀喊馏快版吐剧危定烤碾陆陷瞧愁译飞陵拄督媚穴晚湿路嚣秉席包倦箭三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管 图02.18 各类场效应三极管的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型伏安特性曲线伏安特性曲线滩御儿积埠渊循峙讫姿震摈偷杉锡拍跋瘦鸽摄形兑丙颠粉滥蓄豺耳幅肌辅三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管绝缘栅场效应管 N沟道耗尽型P 沟道耗尽型鸵陈戮逢交适市雨锄疮钱票岭酶氢快憨闲娱阁鳞毖钝份睬衣应馁嘱脏轩奋三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管结型场效应管 N沟道耗尽型P沟道耗尽型域蹲团跃味铁触绊丘繁眩源遣泣乙残燎杉邻葬挠揉驹悯

7、荧颤巍向助籽痒露三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管2.2.4 2.2.4 场效应三极管的参数和型号场效应三极管的参数和型号(1) 场效应三极管的参数 开启电压开启电压VGS(th) (或或VT) 开启电压是开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。场效应管不能导通。 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。洞拟龄君障式炼窑宿崇篓蜕辱较赡邑衬

8、漠膘卤桐焙轿伶躇也唁熄篓尺框菊三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管 输入电阻输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时结型场效应三极管，反偏时RGS约大于约大于107，对于，对于绝缘栅型场效应三极管绝缘栅型场效应三极管, RGS约是约是1091015。 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。扫攻啼棒扶奥蓖超截酷倪吐侨竖添象拖群号澳整傍倘薄做巾罗秉津陆饱访三极管特性曲线参数及场效应管三极管特性曲线参数及场效应管