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1、实用模拟电子技术教程主编：徐正惠主编：徐正惠副副主编：主编： 刘希真刘希真 张小冰张小冰第一篇第一篇 常用半导体器件常用半导体器件 介绍常用半导体器件，包括晶体二极介绍常用半导体器件，包括晶体二极管、晶体三极管、场效应管和其他半导体管、晶体三极管、场效应管和其他半导体器件的结构、工作原理、分类、主要性能器件的结构、工作原理、分类、主要性能指标、国家标准规定的命名方法以及主要指标、国家标准规定的命名方法以及主要应用应用。 第第1 1章章 半导体二极管半导体二极管 学习要求：学习要求： 掌握二极管结构和单向导电的特性；掌握二极管最大掌握二极管结构和单向导电的特性；掌握二极管最大整流电流、反向击穿电
2、压、最大反向工作电压、反向电整流电流、反向击穿电压、最大反向工作电压、反向电流和最高工作频率等特性指标的定义；掌握整流电路的流和最高工作频率等特性指标的定义；掌握整流电路的工作原理；了解工作原理；了解PNPN结、内建电场和正负载流子的概念；结、内建电场和正负载流子的概念；了解了解PNPN结单向导电的原理。结单向导电的原理。 第一篇第一篇 常用半导体器件常用半导体器件1.1 1.1 半导体二极管的单向导电特性半导体二极管的单向导电特性 第第1章章 半导体二极管半导体二极管1.1.1 1.1.1 二极管的结构和产品外型二极管的结构和产品外型 二极管都有两根二极管都有两根引脚，一个称为正引脚，一个称
3、为正极，另一个为负极极，另一个为负极 。 哪个为正，决定哪个为正，决定于内部结构。于内部结构。半导体二极管内部结构和电路符号：半导体二极管内部结构和电路符号：1.1 1.1 半导体二极管的单向导电特性半导体二极管的单向导电特性 特点：都以半导体为材料特点：都以半导体为材料(b)负极引脚负极引脚正极引脚正极引脚N N型硅型硅铝合金小球铝合金小球正极引脚正极引脚N N型锗型锗金属丝金属丝负极引脚负极引脚(a)正极引正极引脚脚负极引脚负极引脚N N型硅片型硅片P型区二氧化硅层二氧化硅层图图1-1 1-1 二极管的结构和电路符号二极管的结构和电路符号(c)正极正极负极负极(d)二极管的单向导电特性实验
4、观察二极管的单向导电特性实验观察 1.1 1.1 半导体二极管的单向导电特性半导体二极管的单向导电特性 让电位器活动端逐渐向上移动，施加在二极管两端的电压让电位器活动端逐渐向上移动，施加在二极管两端的电压也逐渐加大，测量不同电压时流过二极管的电流，即可以得也逐渐加大，测量不同电压时流过二极管的电流，即可以得到二极管两端电压与所流过的电流之间的关系。到二极管两端电压与所流过的电流之间的关系。 实验装置：实验装置：图图1-3 1-3 测量二极管导电特性实验装置测量二极管导电特性实验装置二极管负极二极管负极二极管正极二极管正极AVRPE+RVD二极管的单向导电特性实验观察二极管的单向导电特性实验观察
5、 1.1 1.1 半导体二极管的单向导电特性半导体二极管的单向导电特性实验结果：施加正向电压时的实验结果（二极管实验结果：施加正向电压时的实验结果（二极管1 1N4148N4148） 电压从电压从0 0增加到增加到0.90.9V,V,流过的电流从流过的电流从0 0增加到增加到6969mAmA。 以二极管两端电压以二极管两端电压u u为横坐标，流过二极管的电流为横坐标，流过二极管的电流i i为纵为纵坐标，可画出流过二极管的电流随两端电压变化的曲线坐标，可画出流过二极管的电流随两端电压变化的曲线称为二极管伏安特性曲线。称为二极管伏安特性曲线。 表表1-1 1-1 二极管导电特性实验结果二极管导电特
6、性实验结果正向电压正向电压u(u(伏特伏特) )0 00.500.500.550.550.600.600.650.650.700.700.750.750.800.800.850.850.900.90正向电流正向电流i(i(毫安毫安) )0 00.100.100.400.401.011.013.003.006.806.8014.014.030.030.054.054.069.069.0二极管的单向导电特性实验观察二极管的单向导电特性实验观察 1.1 1.1 半导体二极管的单向导电特性半导体二极管的单向导电特性实验结果分析：实验结果分析： 1 1、存在一个、存在一个开启电压开启电压 2 2、在一定
7、范围内，电流发、在一定范围内，电流发生较大的变化时，二极管两生较大的变化时，二极管两端的电压降只有微小的变化。端的电压降只有微小的变化。正向电流从正向电流从1.011.01mAmA增加到增加到3030mAmA，大了大了3030倍，二极管压倍，二极管压降从降从0.60.6伏增加到伏增加到0.80.8伏，只伏，只变化了变化了0.20.2伏。伏。 3 3、特性曲线还与温度有关、特性曲线还与温度有关 开启电压开启电压二极管的单向导电特性实验观察二极管的单向导电特性实验观察 1.1 1.1 半导体二极管的单向导电特性半导体二极管的单向导电特性1 1、施加反向电压时，只、施加反向电压时，只有一个很小的电流
8、流过有一个很小的电流流过二极管，称为反向电流二极管，称为反向电流 施加反向电压时的实验结果施加反向电压时的实验结果3 3、反向电压增加到一反向电压增加到一定程度会导致二极管的定程度会导致二极管的反向击穿反向击穿 2 2、反向电流随温度的反向电流随温度的升高而显著增加升高而显著增加 1.2.11.2.1整流电路整流电路1.21.2二极管的应用二极管的应用 利利用用二二极极管管的的单单向向导导电电性性，能能将将交交流流电电转转换换为为单单向脉动电流，完成这种转换的电路称为整流电路。向脉动电流，完成这种转换的电路称为整流电路。 常用整流电路分类：常用整流电路分类：2 2、桥式整流电路、桥式整流电路1
9、 1、半波整流电路、半波整流电路1.21.2二极管的应用二极管的应用1.2.11.2.1整流电路整流电路 1 1、半波整流电路、半波整流电路电路结构与功能电路结构与功能电路结构电路结构功能：将交流电转换为单向脉动电流功能：将交流电转换为单向脉动电流 1.21.2二极管的应用二极管的应用1.2.11.2.1整流电路整流电路电路主要参数：电路主要参数： 1 1、半波整流电路、半波整流电路（1 1）二二极极管管所所经经受的反向电压受的反向电压 （2 2）输出平均电压）输出平均电压（3 3）整整流流二二极极管管的的功功耗耗等等于于二二极极管管正正向向压压降降与与负负载载电电流流的的乘乘积积，约约为为0
10、.70.7V V与与流流过过二二极极管管的的平平均均整整流流电电流流的的乘乘积。积。 1.21.2二极管的应用二极管的应用1.2.11.2.1整流电路整流电路 2 2、桥式整流电路、桥式整流电路电路结构与功能电路结构与功能简化电路画法简化电路画法 电路结构电路结构功能功能输入交流电输入交流电半波整流输出半波整流输出桥式整流输出桥式整流输出1.21.2二极管的应用二极管的应用1.2.11.2.1整流电路整流电路 2 2、桥式整流电路、桥式整流电路电路结构与功能电路结构与功能工作原理工作原理 正半周正半周电流走向是从输入电电流走向是从输入电压正端压正端二极管二极管VDVD2 2负载电阻负载电阻二极
11、管二极管VDVD4 4输入电压负端，输入电压负端，施加在负载电阻上的电压为施加在负载电阻上的电压为上上正下负正下负 负半周电流的走向是从输入负半周电流的走向是从输入电压的正端电压的正端二极管二极管VDVD3 3负负载电阻载电阻二极管二极管VDVD1 1输入端输入端负端，施加在负载电阻上的电负端，施加在负载电阻上的电压压仍然是上正下负仍然是上正下负 1.21.2二极管的应用二极管的应用1.2.11.2.1整流电路整流电路 2 2、桥式整流电路、桥式整流电路电路参数电路参数（2 2）输出平均电压）输出平均电压是半波整流输出的是半波整流输出的2倍倍每每只只二二极极管管所所流流过过的的平平均均电电流流
12、小小了了一一半半，因因此此这这种种情情况下二极管的功耗是半波整流电路的一半。况下二极管的功耗是半波整流电路的一半。 （3 3）整流二极管的功耗）整流二极管的功耗 （1 1）二二极极管管所所经经受受的的反反向向电电压压与与半波整流相同半波整流相同1.21.2二极管的应用二极管的应用1.2.11.2.1整流电路整流电路 3 3、滤波电路、滤波电路二极管整流后输出的单向脉动电压包含较多的交流成分，二极管整流后输出的单向脉动电压包含较多的交流成分，为了获得较好的直流电压还需要进行滤波。为了获得较好的直流电压还需要进行滤波。 滤波电路结构与功能：滤波电路结构与功能：结结构构：滤滤波波电电容容并并联负载两
13、端联负载两端滤波后的电压波形滤波后的电压波形滤波前波形滤波前波形1.21.2二极管的应用二极管的应用1.2.21.2.2检波电路检波电路 1 1）什么是检波电路）什么是检波电路 当输入交流电压的频率较高时，将这种交流电转换为单向当输入交流电压的频率较高时，将这种交流电转换为单向脉动电的过程习惯上不叫整流，而称为检波。脉动电的过程习惯上不叫整流，而称为检波。 检波二极管一般采用点接触结构，结电容极小，能通过的检波二极管一般采用点接触结构，结电容极小，能通过的电流也很小，因此也不用于整流。电流也很小，因此也不用于整流。 整流管一般为平面管或合金管，整流管一般为平面管或合金管，PNPN结面积大能通过
14、大电流，结面积大能通过大电流，因此结电容也大，不能用于检波；因此结电容也大，不能用于检波；2）整流二极管不能用于检波整流二极管不能用于检波 二二极极管管两两极极之之间间电电容容对对高高频信号来说是低阻抗频信号来说是低阻抗1.21.2二极管的应用二极管的应用1.2.31.2.3稳压电路稳压电路稳压管稳压管 调整二极管的制作工艺，降低击穿电压并使调整二极管的制作工艺，降低击穿电压并使反向特性曲线反向特性曲线更陡更陡根，由此制成的二极管称为稳压管根，由此制成的二极管称为稳压管 外型外型电路符号电路符号反向特性与普通二极管的区别反向特性与普通二极管的区别1.21.2二极管的应用二极管的应用1.2.31
15、.2.3稳压电路稳压电路稳压管组成的稳压电路稳压管组成的稳压电路电路结构电路结构工作原理工作原理 稳压管稳压管D DZ Z的反向击穿电压为的反向击穿电压为6.06.0V V，最大最大工作电流为工作电流为2020mAmA，电源电压电源电压V VCCCC=9V=9V，选电选电阻阻R R1 1=150=150，则流过稳压管的电流则流过稳压管的电流I IZ Z等于等于 负负载载电电阻阻从从500 500 变变到到300 300 ，两两端端电电压压维持为维持为6 6V V，原理如下：原理如下：1 1、500500时时流流向向负负载载的的电电流流为为12 12 mAmA，流流向向稳稳压管的电流降为压管的电
16、流降为8 8 mAmA，负载两端电压为负载两端电压为6 6V V 2 2、30003000时时负负载载的的电电流流降降为为2 2 mAmA，稳稳压压管管的的电电流升为流升为18 18 mAmA，负载两端电压仍维持为负载两端电压仍维持为6 6V V 1.31.3二极管的主要参数二极管的主要参数1.3.11.3.1常用整流二极管参数常用整流二极管参数 1 1、最最大大整整流流电电流流I IF F：二二极极管管长长期期工工作作的的情情况况下下允允许许通过的最大正向平均电流。通过的最大正向平均电流。 4 4、反向电流、反向电流I IR R：是二极管施加反向电压而未击穿是二极管施加反向电压而未击穿情况下
17、流过的反向电流。锗管一般为几十微安大小，情况下流过的反向电流。锗管一般为几十微安大小，硅管硅管1 1微安以下。微安以下。 3 3、最高反向工作电压、最高反向工作电压U UR R：二极管工作时允许施加的二极管工作时允许施加的最大反向电压，一般是反向击穿电压的一半或最大反向电压，一般是反向击穿电压的一半或2/32/3。 2 2、反反向向击击穿穿电电压压U UBRBR：二二极极管管所所能能承承受受的的最最高高反反向向电压，超过该电压，二极管被击穿。电压，超过该电压，二极管被击穿。 5 5、最最高高工工作作频频率率f fM M：二二极极管管工工作作的的上上限限频频率率，超超过过此此值值，PNPN结结结
18、结电电容容的的影影响响不不能能忽忽略略，二二极极管管的的单单向向导导特性变差。特性变差。1.31.3二极管的主要参数二极管的主要参数1.3.21.3.2常用稳压管参数常用稳压管参数 1 1、稳稳定定电电流流：稳稳压压管管产产生生稳稳压压作作用用时时通通过过的的电电流流值值，低低于于该该电电流流值值时时稳稳压压效效果果变变差差，高高于于该该电电流流时时，稳稳压压效果更好，但不能超过额定功耗。效果更好，但不能超过额定功耗。 4 4、电压温度系数电压温度系数：温度每升高温度每升高11引起的稳定电压引起的稳定电压变化的百分比。变化的百分比。 3 3、额定功耗、额定功耗 ：稳压管正常工作时所允许的功耗，
19、稳压管正常工作时所允许的功耗，它等于稳压值和最大允许电流的乘积。额定功耗决定它等于稳压值和最大允许电流的乘积。额定功耗决定于稳压管允许的温升。于稳压管允许的温升。 2 2、稳稳定定电电压压：稳稳压压管管通通过过额额定定电电流流时时两两端端的的电电压压值值。生产厂家给出的是稳压范围，例如生产厂家给出的是稳压范围，例如9.39.310.610.6V V。1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.11.4.1常用二极管分类常用二极管分类 1 1）整整流流二二极极管管：用用于于电电子子控控制制、无无线线电电通通信信或或其其他他电气设备电源部分整流用的二极管一般都为硅管。电气设备电源部分整流用的二
20、极管一般都为硅管。1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.11.4.1常用二极管分类常用二极管分类 2 2）检检波波二二极极管管：常常用用的的检检波波二二极极管管为为锗锗管管，检检波波二极管也可用于小电流整流。二极管也可用于小电流整流。1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.11.4.1常用二极管分类常用二极管分类 3 3）稳稳压压二二极极管管 ：常常用用稳稳压压管管为为硅硅二二极极管管，用用于于稳稳压。压。 1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.2 1.4.2 二极管封装二极管封装 1 1、贴贴片片封封装装：出出于于整整机机小小型型化化和和电电子子设设备备生生产产自
21、自动化的需要动化的需要 。 1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.2 1.4.2 二极管封装二极管封装 2 2、二二极极管管组组件件 ：出出于于整整机机小小型型化化和和电电子子设设备备生生产产自动化的需要自动化的需要 。 整流桥整流桥四只二极管组成的排管四只二极管组成的排管1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.2 1.4.2 半导体器件命名方法半导体器件命名方法 1 1、半导体器件命名的国家标准半导体器件命名的国家标准 以硅整流二极管以硅整流二极管2 2CZ56BCZ56B为例来说明为例来说明1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.2 1.4.2 半导体器件命名方法
22、半导体器件命名方法 1 1、半导体器件命名的国家标准半导体器件命名的国家标准 国标半导体器件命名规定国标半导体器件命名规定1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.2 1.4.2 半导体器件命名方法半导体器件命名方法 2 2、美国半导体器件命名方法美国半导体器件命名方法美国电子工业协会半导体器件命名规定美国电子工业协会半导体器件命名规定 美美国国型型号号的的二二极极管管1 1N4001AN4001A：“1”1”表表示示该该器器件件只只有有一一个个PNPN结结，为为二二极极管管；“1”1”前前面面没没有有符符号号，表表示示这这种种型型号号的的器器件件是是非非军军用用品品；第第三三部部分分数
23、数字字“N”N”为为注注册册标标志志，表表明明已已在在美美国国电电子子工工业业协协会会注注册册；第第四四部部分分“4001”4001”为为登登记记序序号号；第第五五部部分分“A”A”表示档次。表示档次。1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.2 1.4.2 半导体器件命名方法半导体器件命名方法 3 3、欧洲半导体器件命名方法欧洲半导体器件命名方法欧洲产器件型号由四部分组成，每一部分符号的含义如下欧洲产器件型号由四部分组成，每一部分符号的含义如下 二二极极管管BYV28BYV28为为例例：第第一一部部分分字字母母“B”B”表表示示制制造造材材料料为为硅硅，第第二二部部分分字字母母“Y”Y
24、”表表示示器器件件为为整整流流二二极极管管，第第三三部部分分用用一一个个字字母加两位数字母加两位数字V28V28表示器件登记号。表示器件登记号。1.4 1.4 二极管的分类二极管的分类1.4.2 1.4.2 半导体器件命名方法半导体器件命名方法 4 4、日本半导体器件命名方法日本半导体器件命名方法日本半导体器件型号由五部分组成，规定如下日本半导体器件型号由五部分组成，规定如下 1S15851S1585：“1”1”表表示示该该器器件件为为二二极极管管，第第二二部部分分“S”S”表表示示属属半导体器件，半导体器件，“1585”1585”是登记序号。是登记序号。 1.5 1.5 整流电路设计整流电路
25、设计 已已知知变变压压器器输输出出的的交交流流电电有有效效值值为为4545V V，负负载载电电阻阻2020，需需直直流供电，要求设计整流电路。流供电，要求设计整流电路。设计步骤：设计步骤： 第一步：首先选择整流电路类型，选用桥式整流电路第一步：首先选择整流电路类型，选用桥式整流电路 第第二二步步：根根据据设设计计要要求求计计算算流流过过整整流流二二极极管管的的平平均均电电流流、二二极管经受的反向电压和二极管的功耗。极管经受的反向电压和二极管的功耗。输出平均电压：输出平均电压： 求得负载电流：求得负载电流： 二极管功耗：二极管功耗： 最大反向电压：最大反向电压： 1.5 1.5 整流电路设计整流
26、电路设计 已已知知变变压压器器输输出出的的交交流流电电有有效效值值为为4545V V，负负载载电电阻阻2020，需需直直流供电，要求设计整流电路。流供电，要求设计整流电路。设计步骤：设计步骤： 第第三三步步：根根据据上上面面计计算算所所得得的的平平均均电电流流、最最大大反反向向电电压压和和功功耗值，从表耗值，从表1-11-1中选择合适的整流二极管中选择合适的整流二极管22CZ56CCZ56C功耗：功耗： 电流：电流： 反向电压：反向电压： 1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介-1.6.1 -1.6.1 导体、绝缘体和半导体导体、绝缘体和半导体 绝缘体：不存在能够自由移动
27、的电荷，不导电；绝缘体：不存在能够自由移动的电荷，不导电； 导体：金属等存在大量能自由运动的电子属良导体；导体：金属等存在大量能自由运动的电子属良导体； 半半导导体体：硅硅、锗锗情情况况比比较较特特殊殊，很很纯纯的的半半导导体体硅硅、锗锗（称称为为本本征征半半导导体体）缺缺少少自自由由电电荷荷，几几乎乎不不导导电电。，但但加入一定量的微量元素，导电能力将发生很大变化。加入一定量的微量元素，导电能力将发生很大变化。 N型型硅硅：硅硅中中加加入入微微量量的的5 5价价元元素素（例例如如磷磷），4 4个个被被束束缚缚在在硅硅原原子子周周围围，而而多多出出的的一一个个就就能能够够在在半半导导体内自由移
28、动，于是能导电；体内自由移动，于是能导电； P型型硅硅：加加入入微微量量的的3 3价价元元素素（例例如如硼硼），硼硼原原子子只只有有3 3个个价价电电子子，就就容容易易从从邻邻近近硅硅原原子子的的4 4个个价价电电子子中中拉拉一一个个过过来来，邻邻近近硅硅原原子子失失去去一一个个电电子子而而带带正正电电，称称为为空穴，空穴能自由移动，于是能导电。空穴，空穴能自由移动，于是能导电。 1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介-1.6.1 -1.6.1 导体、绝缘体和半导体导体、绝缘体和半导体 自自由由电电子子的的增增加加使使N型型硅硅导导电电，导导电电能能力力随随磷磷元元素素浓
29、度变化，磷元素浓度增加时导电能力也增加。浓度变化，磷元素浓度增加时导电能力也增加。1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介-1.6.1 -1.6.1 导体、绝缘体和半导体导体、绝缘体和半导体 荷荷正正电电的的空空穴穴使使P型型硅硅导导电电，导导电电能能力力随随硼硼元元素素浓浓度变化，硼元素浓度增加时导电能力也增加。度变化，硼元素浓度增加时导电能力也增加。1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介1.6.2 1.6.2 PNPN结的形成结的形成 硅硅的的一一边边掺掺杂杂5 5价价元元素素，成成为为N N型型半半导导体体，另另一一边边掺掺杂杂3 3价价元元素素
30、，成成为为P P型型半半导导体体，在在边边界界处处便便会会形形成成一一种种特特殊殊的结构称为的结构称为PNPN结。结。 P P区区的的空空穴穴向向N N区区扩扩散散，N N区区的的电电子子向向P P区区扩扩散散，在在边边界界附附近近的的N N区区留留下下不不能能移移动动的的正正电电荷荷，在在P P区区留留下下不不能能移动的负电荷，正负电荷形成内建电场。移动的负电荷，正负电荷形成内建电场。1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介1.6.3 1.6.3 二极管的单向导电特性二极管的单向导电特性 一一个个PNPN结结，在在其其两两端端制制作作电电极极，用用引引脚脚引引出出再再加加
31、上上外外壳壳，即即为为二二极极管管。P P区区引引出出的的为为二二极极管管的的正正极极，N N区区引引出出的为二极管的负极。的为二极管的负极。 1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介1.6.3 1.6.3 二极管的单向导电特性二极管的单向导电特性 外外加加电电场场的的方方向向和和PNPN结结区区内内建建电电场场的的方方向向相相反反，外外加加电电场场减减弱弱了了内内建建电电场场，因因此此扩扩散散继继续续进进行行，形形成成正正向向电电流，因此二极管加正向电压时导通。流，因此二极管加正向电压时导通。1 1、二极管施加正向电压时、二极管施加正向电压时A A内建电场方向内建电场方向
32、外加电场方向外加电场方向1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介1.6.3 1.6.3 二极管的单向导电特性二极管的单向导电特性 外外加加电电场场与与内内建建电电场场方方向向相相同同，内内建建电电场场得得到到加加强强，P P区区空空穴穴、N N区区电电子子的的扩扩散散被被阻阻止止，二二极极管管表表现现为为截截止止状状态。态。2 2、二极管施加反向电压时、二极管施加反向电压时 A A内建电场方向内建电场方向外加电场方向外加电场方向1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介1.6.3 1.6.3 二极管的单向导电特性二极管的单向导电特性 P P区区除除了了大大
33、量量的的空空穴穴以以外外还还存存在在少少量量的的可可自自由由移移动动的的电电子子，称称为为少少数数载载流流子子（P P区区的的空空穴穴则则称称为为多多数数载载流流子子）；同同样样，N N区区除除了了多多数数载载流流子子电电子子之之外外，也也存存在在少少量量可可自由移动的空穴（少数载流子）。自由移动的空穴（少数载流子）。 3 3、反向漏电流的形成、反向漏电流的形成少数载流子少数载流子1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介1.6.3 1.6.3 二极管的单向导电特性二极管的单向导电特性 二二极极管管负负极极加加正正压压时时，N N区区的的少少数数载载流流子子在在外外电电场场的
34、的作作用用下下会会向向P P区区漂漂移移，而而内内建建电电场场并并不不能能阻阻挡挡这这种种漂漂移移（注注意意内内建建电电场场的的方方向向是是N N区区指指向向P P区区，因因此此有有助助于于这这种种漂漂移移），同同理理，P P区区的的少少数数载载流流子子电电子子会会在在外外电电场场作作用用下下通通过过PNPN结结区区向向N N区区漂漂移移，这这样样，在在反反向向电电压压作作用用下下就就有有电电流流通通过过- -称称为为反反向向漏漏电电流流。由由于于少少数数载载流流子子的的数数量是很少的，因此反向电流十分微弱。量是很少的，因此反向电流十分微弱。 3 3、反向漏电流的形成、反向漏电流的形成内建电场
35、内建电场+ +电压电压- -电压电压外外电场电场1.6 1.6 二极管单向导电原理简介二极管单向导电原理简介1.6.3 1.6.3 二极管的单向导电特性二极管的单向导电特性 反反向向电电压压很很高高时时，载载流流子子在在空空间间电电荷荷区区受受到到强强烈烈的的电电场场加加速速作作用用，获获得得巨巨大大的的能能量量。使使载载流流子子能能碰碰撞撞其其他他原原子子，产产生生新新的的电电子子孔孔穴穴对对，这这些些新新的的电电子子空空穴穴对对又又去去碰碰撞撞别别的的原原子子，于于是是产产生生大大量量的的电电子子空空穴穴对对，如如此此连连锁锁反反应应，致致使使电电流流剧剧增增，这这就就是是我我们们实实验验中中观观察察到到的的击击穿穿现象。现象。 4 4、二极管的击穿、二极管的击穿 第1章讲授到此结束 谢谢大家！
