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1、由由UV-vis 光谱求样品的光谱求样品的Eg一一 半导体禁带求导公式半导体禁带求导公式通常(ahv) 是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。 由上述公式可知，（ahv）1/2 和(ahv) 2 只与hv成线性关系，能用于估算Eg。 由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：n nK值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以 或 为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A (A
2、bsorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。Kubelka-Munk公式公式A = - lg (R)（1）F(r) = (1-R)2/2R = a / s （2）R为反射率, a吸收系数，s反射系数 求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用 做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱 二 求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：n n下面用下面用Kubelka-Munk公式处理：公式处理：三 关于K值大小对结果的影响同一组数据在不同的处理同一组数据在不同
3、的处理方法下得到的方法下得到的Eg.Eg.以下也以下也是这一组数据的处理是这一组数据的处理 由上图可见，密度，厚度等因素影响由上图可见，密度，厚度等因素影响K K的大的大小，但并不影响所求的小，但并不影响所求的Eg. Eg. 由由UV-vis 光谱求样品的光谱求样品的Eg一一 半导体禁带求导公式半导体禁带求导公式通常(ahv) 是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。 由上述公式可知，（ahv）1/2 和(ahv) 2 只与hv成线性关系，能用于估算Eg。 由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A
4、/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：n nK值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以 或 为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。Kubelka-Munk公式公式A = - lg (R)（1）F(r) = (1-R)2/2R = a / s （2）R为反射率, a吸收系数，s反射系数 求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用 做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱 二 求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：n n下面用下面用Kubelka-Munk公式处理：公式处理：三 关于K值大小对结果的影响同一组数据在不同的处理同一组数据在不同的处理方法下得到的方法下得到的Eg.Eg.以下也以下也是这一组数据的处理是这一组数据的处理 由上图可见，密度，厚度等因素影响由上图可见，密度，厚度等因素影响K K的大的大小，但并不影响所求的小，但并不影响所求的Eg. Eg.
