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1、7.2等离子体化学1、等离子体化学等离子体定义、分类；等离子体产生的方法与、等离子体定义、分类；等离子体产生的方法与、机理；等离子体应用机理；等离子体应用2、光化学光化学的基本定律；光化学的特征；光化学的应用光化学的基本定律；光化学的特征；光化学的应用7.2.1等离子体化学定义、发展过程与分类 等离子体化学是研究等离子体中各种粒子之间或这些粒子与电磁辐射及周围物质间相互化学作用的一门分支学科。此名称最早出现在1967年出版的书： Plasm chemistry in electrical discharges一、等离子体的发展过程 19世纪初，物理学家便提出：是否存在着与已知的物质“三态”有本
2、质区别的第四态？1927年朗格谬在研究水银蒸气的电离状态时最先引入plasma（等离子体）这一术语。1929年汤克斯和朗格谬给等离子体赋予“电离气体”的涵义。由此可见，发现物质第四态已经有100多年了。1835年，法拉第用低压放电管观察到气体的辉光放电现象。1879年，英国物理学家克鲁克斯在研究放电管中“电离气体”的性质之后，第一个指出物质还存在一种第四态。1、 按存在分类： 1) 天然等离子体。宇宙中99%的物质是以等离子体状态存在的,如恒星星系、星云，地球附近的闪电、极光、电离层等。如太阳本身就是一个灼热的等离子体火球。 2) 人工等离子体如：*日光灯、霓虹灯中的放电等离子体。 *等离子体
3、炬（焊接、新材料制备、消除污染）中的电弧放电等离子体。 *气体激光器及各种气体放电中的电离气体。二、等离子体分类2、按系统温度分类u高温等离子体u低温等离子体Tg=Te=Ti=108-9 Ku热等离子 Te TiTg（ 5000 KTg TiTg 100KTg1000K3、按电离度 分忽略二次电离，ni=ne、nn为中性粒子的浓度完全弱电离等离子体 =1部分电离等离子体0.01 1 弱电离等离子体10-6 Ei（4）离子碰撞电离）离子碰撞电离（5）光电离）光电离光子能量光子能量或辐射能大于电离能或辐射能大于电离能Ei，可发生光电离。可发生光电离。激发与激发截面激发与激发截面基态原子与自由电子的
4、非弹性碰撞得到能量，发生的跃迁基态原子与自由电子的非弹性碰撞得到能量，发生的跃迁过程可分为：过程可分为：光学允许跃迁和光学禁阻跃迁光学允许跃迁和光学禁阻跃迁。后者是由入。后者是由入射电子与外层电子的交互作用而引起的，激发态能级为亚射电子与外层电子的交互作用而引起的，激发态能级为亚稳能级，也叫亚稳跃迁。从能级稳能级，也叫亚稳跃迁。从能级A跃迁到能级跃迁到能级B的激发截的激发截面，通常为入射电子运动能的函数。面，通常为入射电子运动能的函数。3）复合过程）复合过程（1）三体碰撞复合）三体碰撞复合电离的逆过程。发生在气相或器壁或电极等固体表面，分电离的逆过程。发生在气相或器壁或电极等固体表面，分别称为
5、空间和表面复合。别称为空间和表面复合。氦原子跃迁时激发截面与电子动能的关系。氦原子跃迁时激发截面与电子动能的关系。两个电子在某个离子附近相互作用，其中一电子将能量交给另两个电子在某个离子附近相互作用，其中一电子将能量交给另一个电子后落入离子的静电场中形成束缚电子，刚束缚的电子一个电子后落入离子的静电场中形成束缚电子，刚束缚的电子一般处于高能级上，再通过自发辐射或碰撞激发回到基态，即，一般处于高能级上，再通过自发辐射或碰撞激发回到基态，即，（2）辐射复合）辐射复合（3）双电子复合）双电子复合三体复合中第三体并不限于电子，也可以是气体原子、器壁或三体复合中第三体并不限于电子，也可以是气体原子、器壁
6、或电极表面。电极表面。（4）正负离子碰撞复合）正负离子碰撞复合 辐射复合辐射复合电荷交换复合电荷交换复合三三体复合体复合4）附着和离脱）附着和离脱5）扩散和迁移）扩散和迁移原子离子捕获电子生成负离子的过程。附着的逆过程为离脱。原子离子捕获电子生成负离子的过程。附着的逆过程为离脱。辐射、三体、离解附着三种机制。辐射、三体、离解附着三种机制。扩散运动和扩散系数扩散运动和扩散系数非平衡等离子体中存在的带电粒子的分布不均匀引起扩散运动。非平衡等离子体中存在的带电粒子的分布不均匀引起扩散运动。从扩散第一定律和气体分子运动论有电子和离子的扩散系数。从扩散第一定律和气体分子运动论有电子和离子的扩散系数。迁移
7、运动与迁移率迁移运动与迁移率带电粒子在电场作用下被加速运动，称之为迁移运动。粒子沿带电粒子在电场作用下被加速运动，称之为迁移运动。粒子沿电场方向的平均迁移速度电场方向的平均迁移速度与电场强度与电场强度E成正比。成正比。k为迁移率。离子迁移率为为迁移率。离子迁移率为爱因斯坦关系式：爱因斯坦关系式：表明扩散系数与迁移率之比与温度成正比。表明扩散系数与迁移率之比与温度成正比。热致电离等离子体热致电离等离子体高平动能原子、分子碰撞导致电离，如高温燃烧、爆炸、冲高平动能原子、分子碰撞导致电离，如高温燃烧、爆炸、冲击波。击波。辐射电离等离子体辐射电离等离子体（光电离）光电离）X射线、紫外光射线、紫外光7.
8、2.3 低温等离子体的形成与放电特性低温等离子体的形成与放电特性气体放电等离子气体放电等离子低气压放电低气压放电:直流辉光放电、高频放电直流辉光放电、高频放电(射频、微波射频、微波)高气压放电高气压放电:直流弧光放电、电晕放电、介质阻挡放电直流弧光放电、电晕放电、介质阻挡放电1、产生方式、产生方式HV(a.c.)介质阻挡放电介质阻挡放电特点：特点：高气压（高气压（105106Pa）、高）、高电压降电压降103105V、低电流密、低电流密度度10-210-3A/cm2，TeTi Tg电晕放电线电极电晕层电晕层外区筒状电极形成条件：两电极曲率半径相差悬殊（线筒、线板、针板）特点： 高气压（1051
9、06Pa）、高电压降103105V 、低电流密度 10-210-3 A/cm2TeTiTg2、放电特性、放电特性 He在相距离在相距离50cm、直径为、直径为2cm的圆板的圆板电极间，于电极间，于1.33 102Pa气压条件下放电气压条件下放电过程的伏安特性。过程的伏安特性。气体放电伏安特性气体放电伏安特性辉光放电是低温等离子体的同义语辉光放电是低温等离子体的同义语特点：是一稳定的自特点：是一稳定的自持放电、是低温等离持放电、是低温等离子化学中广泛采用的子化学中广泛采用的放电形式，既可提供放电形式，既可提供反应活性种或作为化反应活性种或作为化学反应的介质，又能学反应的介质，又能使体系保持非平衡
10、状使体系保持非平衡状态。态。低温等离子体的放电特性低温等离子体的放电特性（1）直流辉光放电）直流辉光放电（2）高频辉光放电）高频辉光放电指放电电源频率在指放电电源频率在兆周以上的放电形兆周以上的放电形式，与直流有些相式，与直流有些相似，但放电机制不似，但放电机制不同，有许多新的特同，有许多新的特征和现象征和现象。外电极式以称无电外电极式以称无电极式，可避免电极极式，可避免电极溅射而造成的污染，溅射而造成的污染，可产生均匀而纯净可产生均匀而纯净的电离气体。的电离气体。（3）微波放电）微波放电将微波的能量转化为气体分子的内能，使之激发、电离以发生将微波的能量转化为气体分子的内能，使之激发、电离以发
11、生等离子体的一种放电形式。等离子体的一种放电形式。发生装置发生装置微波等离子体的特征微波等离子体的特征无电极放电能获得纯净的等离子体且密度高，适于高纯物无电极放电能获得纯净的等离子体且密度高，适于高纯物质的制备和处理，且工艺效率更高；质的制备和处理，且工艺效率更高；对同种气体放电时，微波等离子体的发射谱带更宽，更能对同种气体放电时，微波等离子体的发射谱带更宽，更能增加气体分子的激发电离和离解过程；增加气体分子的激发电离和离解过程；利用微波电磁场的分布特点，有可能将封闭在特定的空间，利用微波电磁场的分布特点，有可能将封闭在特定的空间，或利用磁场来输送等离子体或利用磁场来输送等离子体3、等离子体化
12、学的特征、等离子体化学的特征 1）反应过程低温化、高效率反应过程低温化、高效率2）易于转化为基团）易于转化为基团3）等离子体等离子体-固体表面的相互作用固体表面的相互作用7.2.4 等离子体化学的应用等离子体化学的应用1、等离子体蚀刻、等离子体蚀刻将等离子体导至固体样品，可与表面原子发生化学反应，生将等离子体导至固体样品，可与表面原子发生化学反应，生成挥发性物质逸出而将表面原子去除，这称为等离子刻蚀。成挥发性物质逸出而将表面原子去除，这称为等离子刻蚀。选用不同气体的等离子体，几乎可刻蚀所有材料，刻蚀的分选用不同气体的等离子体，几乎可刻蚀所有材料，刻蚀的分辨率高，线条可控制在辨率高，线条可控制在
13、0.1lmm间。间。刻蚀刻蚀SiSi(s)+4F(g)SiF4(g)刻蚀刻蚀SiO2SiO2(s)+4F(g)SiF4(g)+O2(g)刻蚀刻蚀Si3N4Si3N4(s)+12F(g)3SiF4(g)+2N2(g)式中式中表示自由基原子或分子，它们可分别与表示自由基原子或分子，它们可分别与Si、SiO2和和Si3N4等反应而进行刻蚀，主要反应为等反应而进行刻蚀，主要反应为对硅系材料常用对硅系材料常用CF4产生等离子体。产生等离子体。CF4(g)eCF3(g)+F(g)2、光刻与刻蚀光光刻刻与与刻刻蚀蚀是是一一种种图图形形复复印印和和刻刻蚀蚀相相结结合合的的精精密密表表面面加加工工技术技术就就是
14、是要要按按照照器器件件设设计计的的要要求求，在在半半导导体体薄薄膜膜上上面面，形形成成与与掩掩模模版版完完全全对对应应的的几几何何图图形形，以以实实现现选选择择性性刻刻蚀蚀以以获获得得相相应结构的目的应结构的目的光光刻刻工工艺艺大大致致包包括括涂涂胶胶（匀匀胶胶或或甩甩胶胶），前前烘烘，曝曝光光，显显影，坚膜等工序。影，坚膜等工序。光刻与刻蚀硅晶片的光刻与刻蚀工艺流程示意图硅晶片的光刻与刻蚀工艺流程示意图1、光刻的具体工艺、光刻的具体工艺甩甩胶胶工工序序是是在在晶晶片片表表面面形形成成适适当当厚厚度度的的均均匀匀的的光光刻胶刻胶前烘前烘则使光刻胶中的水分蒸干则使光刻胶中的水分蒸干曝曝光光则则是
15、是让让紫紫外外光光透透过过模模板板使使光光刻刻胶胶的的化化学学性性质质发生改变，使相应部分能够被显影液溶解发生改变，使相应部分能够被显影液溶解显显影影则则是是要要将将曝曝光光过过后后的的胶胶用用显显影影液液处处理理过过，让让该去掉的地方被溶解掉。该去掉的地方被溶解掉。坚坚膜膜工工艺艺是是要要使使光光刻刻胶胶在在较较高高的的温温度度下下变变得得坚坚固固紧密，在后面的腐蚀工艺中能够相当地牢靠紧密，在后面的腐蚀工艺中能够相当地牢靠2、刻蚀、刻蚀刻蚀刻蚀包括化学腐蚀和干法刻蚀包括化学腐蚀和干法刻蚀化学腐蚀化学腐蚀化学腐蚀液通过化学反应腐蚀掉需要去掉的部分化学腐蚀液通过化学反应腐蚀掉需要去掉的部分不需要
16、被腐蚀的地方有光刻胶或介质掩模保护不需要被腐蚀的地方有光刻胶或介质掩模保护简单易行，缺点是腐蚀控制不精确，有侧蚀问题简单易行，缺点是腐蚀控制不精确，有侧蚀问题干法刻蚀干法刻蚀反反应应气气体体在在等等离离子子体体条条件件下下形形成成活活化化原原子子，在在电电场场作作用用下下定定向向运运动动与与半半导导体体材材料料进进行行化化学学反反应应，反反应应生成物为气体被排出，达到定向刻蚀的目的生成物为气体被排出，达到定向刻蚀的目的通通常常有有RIE（反反应应离离子子刻刻蚀蚀），RIBE（反反应应离离子子束刻蚀），束刻蚀），ICP（感应耦合型等离子体）等方法（感应耦合型等离子体）等方法干干法法刻刻蚀蚀一一般
17、般需需要要用用光光刻刻胶胶或或SiO2等等介介质质膜膜作作为为掩掩模模干干法法刻刻蚀蚀的的突突出出优优点点是是没没有有侧侧蚀蚀问问题题，而而且且腐腐蚀蚀深深度可以精确控制度可以精确控制3、溅射成膜和离子镀、溅射成膜和离子镀薄膜是在基片上形成厚度从单原子层到约薄膜是在基片上形成厚度从单原子层到约5 m的物质层。的物质层。溅射：氩气电离后作为溅射气体的离子源，通过阴极上方溅射：氩气电离后作为溅射气体的离子源，通过阴极上方的强电场被加速，在轰击靶阴极时，靶原子溅射到空间的现的强电场被加速，在轰击靶阴极时，靶原子溅射到空间的现象。利用溅射形成薄膜的方法称为射法。象。利用溅射形成薄膜的方法称为射法。溅射
18、机制：分热蒸发机制和动量转移机制溅射机制：分热蒸发机制和动量转移机制热蒸发机制热蒸发机制：荷能离子的轰击导致靶表面局部产生高温，从：荷能离子的轰击导致靶表面局部产生高温，从而使靶物质的原子蒸发。机制存在缺陷：不能解许多的实验而使靶物质的原子蒸发。机制存在缺陷：不能解许多的实验现象：如溅射粒子的角度分布与余弦规则的偏离，溅射率与现象：如溅射粒子的角度分布与余弦规则的偏离，溅射率与入射离子的质量有关，溅射率随入射角而变化。入射离子的质量有关，溅射率随入射角而变化。动量转移机制动量转移机制：入射离子通过碰撞过程与靶原子间产生动量的传递。入射离子通过碰撞过程与靶原子间产生动量的传递。溅射方法：直流溅射
19、、射频溅射、磁控溅射和反应溅射溅射方法：直流溅射、射频溅射、磁控溅射和反应溅射直流溅射直流溅射用平板型装置，在真用平板型装置，在真空内以欲镀材料为阴极，空内以欲镀材料为阴极，基板放在阳极上。预抽基板放在阳极上。预抽至高真空后，充入至高真空后，充入10Pa的工作气体，施加直流的工作气体，施加直流电压，产生异常辉光放电压，产生异常辉光放电。放电气体离子受阴电。放电气体离子受阴极暗区电位降加速轰击极暗区电位降加速轰击靶表面，溅射粒子沉积靶表面，溅射粒子沉积在基片表面形成薄膜。在基片表面形成薄膜。直流溅射法的缺点：直流溅射法的缺点：溅射过程产生的二次电子经电场加速碰撞薄膜的表面从而损伤膜溅射过程产生的
20、二次电子经电场加速碰撞薄膜的表面从而损伤膜面。也造成基体表面升温，需对基体冷却。仅限于使用金属靶或面。也造成基体表面升温，需对基体冷却。仅限于使用金属靶或电阻率在电阻率在10以下的非金属靶。制成的薄膜中含有较多的气以下的非金属靶。制成的薄膜中含有较多的气体分子，薄膜的生长速度太慢。体分子，薄膜的生长速度太慢。溅射制膜的应用：可用于单质膜、合金化合物膜；多晶膜、单溅射制膜的应用：可用于单质膜、合金化合物膜；多晶膜、单晶膜或非晶膜。晶膜或非晶膜。离子镀离子镀离子镀以蒸发源为阳极，在压力的氩气中向基板施加很高的离子镀以蒸发源为阳极，在压力的氩气中向基板施加很高的负电压，发生辉光放电。电离后的蒸发原子
21、被静电加速射到负电压，发生辉光放电。电离后的蒸发原子被静电加速射到基板上，形成优异的薄膜。从利用低温等离子体的离子、激基板上，形成优异的薄膜。从利用低温等离子体的离子、激发粒子成膜的特点来看，这方法优于普通的真空气相沉积法。发粒子成膜的特点来看，这方法优于普通的真空气相沉积法。4、等离子体化学气相沉积（、等离子体化学气相沉积（PCVD）在低温等离子体中，使原料气体感应而发生等离子体化学反在低温等离子体中，使原料气体感应而发生等离子体化学反应，在基板上析出固相反应生成物薄膜。应，在基板上析出固相反应生成物薄膜。（1）PCVD技术的基本特性技术的基本特性化学气相沉积化学气相沉积CVD反应式：反应式
22、：根据激活反应体系采用的能量不同，分成热根据激活反应体系采用的能量不同，分成热CVD、PCVD、光光CVD和激光和激光CVD等。等。A(g)+B(g)=C(s)+D(g)PVCD技术通过反应气体放电来制备薄膜的，从根本上改变了反应体系通过反应气体放电来制备薄膜的，从根本上改变了反应体系的能量供给方式，有效地利用非平衡等离子体的反应特性。的能量供给方式，有效地利用非平衡等离子体的反应特性。气压为气压为10-1102Pa，电子温度比气体温度高，电子温度比气体温度高12个数量级，个数量级，这种非平衡状态适合于薄膜技术。气体温度低（几百这种非平衡状态适合于薄膜技术。气体温度低（几百K），薄），薄膜沉积
23、过程所需的分解、电离等反应似乎不会发生，但电子膜沉积过程所需的分解、电离等反应似乎不会发生，但电子温度高达温度高达104K，有足够的能量通过碰撞过程使气体分子激发，有足够的能量通过碰撞过程使气体分子激发，分解、电离，结果产生大量反应活性物种而整个体系仍保持分解、电离，结果产生大量反应活性物种而整个体系仍保持较低的温度。较低的温度。PCVD可实现工艺过程的低温化。可实现工艺过程的低温化。PCVD薄膜形成过程见图薄膜形成过程见图PCVD技术的应用技术的应用l适用于所有材料领域，主要是电子、光学、能源、机械适用于所有材料领域，主要是电子、光学、能源、机械材料所需的无机或高分子材料的薄膜制备和表面改性
24、，有材料所需的无机或高分子材料的薄膜制备和表面改性，有独特的潜力，已广泛应用。独特的潜力，已广泛应用。l非晶态膜的制备，非晶态硅、非晶态锗、非晶态碳膜非晶态膜的制备，非晶态硅、非晶态锗、非晶态碳膜l半导体薄膜：半导体薄膜：GaN、AlN、GaAs、SnO2、TiO2l机加工领域：表面硬化或美观用的涂层，提高零部件的机加工领域：表面硬化或美观用的涂层，提高零部件的使用寿命。使用寿命。l金属表面改性金属表面改性在金属材料加工完成后，对其表面进行等离子体碳化、氮化，在金属材料加工完成后，对其表面进行等离子体碳化、氮化，以提高材料表面硬度、耐磨及耐蚀性。以提高材料表面硬度、耐磨及耐蚀性。电感偶合式等离
25、子体氮化电感偶合式等离子体氮化l 高聚物的表面改性高聚物的表面改性 等离子体法可改善高聚物的亲水等离子体法可改善高聚物的亲水- -疏水性、黏结性、耐热疏水性、黏结性、耐热耐蚀性和抗辐射等表面特性，赋予其特殊的光耐蚀性和抗辐射等表面特性，赋予其特殊的光电性和生物电性和生物适应性等。改性层极薄，一般为单分子膜，不会影响材料的适应性等。改性层极薄，一般为单分子膜，不会影响材料的固有性能；为低温固有性能；为低温(300(300以下以下) )气相法干处理，适用面广、操气相法干处理，适用面广、操作方便、无污染。如用氧等离子体处理，高聚物表面可生成作方便、无污染。如用氧等离子体处理，高聚物表面可生成含氧基团
26、，改善其润湿性、黏结性和可印刷性。硅橡胶、聚含氧基团，改善其润湿性、黏结性和可印刷性。硅橡胶、聚四氟乙烯、聚丙烯等经处理后，黏结强度可提高四氟乙烯、聚丙烯等经处理后，黏结强度可提高5 51010倍。采倍。采用氮等离子体，则可引进含氮基团，等等。用氮等离子体，则可引进含氮基团，等等。l等离子体聚合等离子体聚合是指有机单聚物的单种气体，或者单聚物与其他气体的混合气是指有机单聚物的单种气体，或者单聚物与其他气体的混合气体感应辉光放电后，由生成的激发单体在基板上制备聚合膜的体感应辉光放电后，由生成的激发单体在基板上制备聚合膜的方法。方法。聚合过程中的生成膜由于电子轰击作用在烷基任意位置产生基聚合过程中
27、的生成膜由于电子轰击作用在烷基任意位置产生基团，由基团进行支化、交联反应。普通聚合要求单体有双键的特团，由基团进行支化、交联反应。普通聚合要求单体有双键的特定官能团，在高压下合成。具有高度交联的网状结构的非晶膜，定官能团，在高压下合成。具有高度交联的网状结构的非晶膜，无气孔，化学稳定性、耐热性非常好，可作保护膜。无气孔，化学稳定性、耐热性非常好，可作保护膜。l等离子体检测等离子体检测1、发光分光法和吸收分光法、发光分光法和吸收分光法2、质量分析法：质谱分析、质量分析法：质谱分析3、探针法、探针法其他有激光感应荧光法和相干反斯托克斯拉曼分光法。其他有激光感应荧光法和相干反斯托克斯拉曼分光法。一、
28、光的波长与能量e =hn =hc/lu =Lhn 一摩尔光量子能量称为一个“Einstein”（单位u)。波长越短，能量越高。紫外、可见光能引发化学反应。 光子能量： 由于吸收光量子而引起的化学反应称为光化学反应。UV Vis IR FIR150 400 800 /nm 紫外 可见光 红外 远红外7.3光化学及其应用 二、光化学基本定律1.光化学第一定律 只有被分子吸收的光才能引发光化学反应。该定律在1818年由Grotthus和Draper提出，故又称为Grotthus-Draper定律。2.光化学第二定律 在初级过程中，一个被吸收的光子只活化一个分子。该定律在19081912年由Einst
29、ein和Stark提出，故又称为 Einstein-Stark定律。3.Beer-Lambert定律三、光化学反应的特征1、光化学平衡：光化学的产率受多因素的影响：竞争反应，产物进行下一步的反应，光化学平衡的存在取决于许多复杂的因素。暗逆反应存在。2、光化学反应次序暗MAB光化学变化以一个分子吸收一个光子生成激发态开始的。初级过程初级过程是分子吸收光子使电子激发，分子由基态提升到激发态，激发态分子的寿命一般较短。光化学主要与低激发态有关，激发态分子可能发生解离或与相邻的分子反应，也可能过渡到一个新的激发态上去，这些都属于初级过程（包含有激发态的过程包含有激发态的过程）。次级过程：次级过程：初级
30、过程以后发生的任何过程。例如氧分子光解生成两个氧原子，是其初级过程；氧原子和氧分子结合为臭氧的反应则是次级过程，这就是高空大气层形成臭氧层的光化学过程。 光化学过程可分为初级过程和次级过程。光化学过程可分为初级过程和次级过程。3、量子效率、量子效率(quantum efficiency) 当1，是由于初级过程活化了一个分子，而次级过程中又使若干反应物发生反应。如：H2+Cl22HCl的反应，1个光子引发了一个链反应，量子效率可达106。 当1，是由于初级过程被光子活化的分子，尚未来得及反应便发生了分子内或分子间的传能过程而失去活性。发生反应的分子数吸收光子数发生反应的物质的量吸收光子的物质的量
31、4、量子产率(quantum yield)由于受化学反应式中计量系数的影响，量子效率与量子产率的值有可能不等。例如，下列反应的量子效率为2，量子产率却为1。 2HBr+hnH2+Br2 生成产物分子数吸收光子数生成产物的物质的量吸收光子的物质的量5、量子产率(quantum yield) 在光化反应动力学中，用下式定义量子产率更合适： 式中r为反应速率，用实验测量， Ia为吸收光速率，用露光计测量。6、分子的重度(multiplicity of molecule) 分子重度M的定义为： M=2S+1 式中S为电子的总自旋量子数，M则表示分子中电子的总自旋角动量在Z轴方向的可能值。M=1为单重态
32、或单线态； M=3为三重态或三线态。单重态(singlet state) 如果分子中一对电子为自旋反平行，则S=0，M=1，这种态被称为单重态或单线态，用S表示。 大多数化合物分子处于基态时电子自旋总是成对的，所以是单线态，用S0表示。 在吸收光子后，被激发到空轨道上的电子，如果仍保持自旋反平行状态，则重度未变，按其能量高低可相应表示为S1态S2态。单重态(singlet state)三重态(triplet state) 当处于S0态的一对电子吸收光子受激后，产生了在两个轨道中自旋方向平行的电子，这时S=1，M=3，这种状态称为三重态或三线态。 因为在磁场中，电子的总自旋角动量在磁场方向可以有
33、三个不同值的分量，是三度简并的状态，用T表示。按能量高低可表示为T1,T2激发态。三重态(triplet state)单重态与三重态的能级比较 在三重态中，处于不同轨道的两个电子自旋平行，两个电子轨道在空间的交盖较少，电子的平均间距变长，因而相互排斥的作用减低，所以T态的能量总是低于相同激发态的S态能量。T3T2T1S3S2S1S0S0激发到S1和T1态的概率 电子由S0态激发到S1态或T1态的概率是很不相同的。 从光谱带的强弱看，从S0态激发到S1态是自旋允许的，因而谱带很宽；而从S0态激发到T1态是自旋禁阻的，一般很难发生，它的概率是10-5数量级。 但对于顺磁物质，激发到T1态的概率将明
34、显增加。激发到S1和T1态的概率四、光化学的种类1）放出所吸收的光，恢复到基态。2）必不出射线而恢复到基态，吸收的能量作为分子内部振动能被消耗掉。3）分子间的能量迁移能够激发其他分子，即光激活反应，如水银。4）激发分子间反应，或者通过分解反应产生新的化合物。五、光化学的应用1、光化学反应所需的短波光源紫外光：价廉但强度弱，且是连续光谱激光：位相高度一致的高强短波光源，应用广泛。新型短波光源：同步加速器辐射光。2、光化学气相沉积（光CVD）光化学的特点：分子不需逐级跃迁而是受激发后直接在内部自由度越过活化势垒，不需要热激发，能进行低温合成。离子化状态成膜溅射法和PCVD法离子撞击膜，容易出现缺陷
35、。而光CVD可获得基本无损伤、杂质少的优质薄膜。3、光激发蚀刻无损伤的低温工艺。利用激光可获得高的分辨率，但如何解决反射、斜射引起的光强度不均匀以及如何提高热效果，都是改善加工精度所面临的课题。硅基板在XeF中 的激光照射，蚀刻成SiFx。机理同光CVD相似。烧蚀也称为熔融蒸发，激光照射的称为APD。是以高强度短波长的紫外激光照射材料，被照射部分产生爆炸性分解，释放出粒子。特点是非照射部分没有热损伤和变形，可用于微细加工。另外，烧蚀的爆炸性蒸发现象，可用来堆积薄膜，只照射靶材，产生的污染少，不需高真空。4、激光制备超细粉利用激光制备超细粉，利用高强度激光照射气体使其发生化学反应，同时利用聚集的高能光束进行快速加热，合成超细的凝缩粉末。5、烧蚀一、简述 在材料研究中的应用.二、氧化与高温氧化的定义，膜具有保护性的条件，常 用的抗氧化合金元素有哪些？三、试述环境气氛条件对金属或合金抗蚀性能的影响.四、叙述Hauffe原子价定律的内容.五、区域精炼的原理及其在材料制备中的应用.本章作业及思考题六、简述自蔓延合成的原理及其应用.图七、简述等离子体产生的原理及方式.八、简述等离子体在材料制备及其表面改性方面的应用.九、光化学的基本原理及其应用.
