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1、.-实验一：实验一：CMOSCMOS 反相器的版图设计反相器的版图设计一、实验目的一、实验目的1、创建 CMOS 反相器的电路原理图(Schematic)、电气符号(symbol)以及版图(layout);2、利用gpdk090工艺库实例化 MOS 管；3、运行设计规则验证(Design Rule Check,DRC)确保版图没有设计规则错误。二、实验要求二、实验要求1、打印出完整的 CMOS 反相器的电路原理图以及版图；2、打印 CMOS 反相器的 DRC 报告。三、实验工具三、实验工具Virtuoso四、实验内容四、实验内容1、创建 CMOS 反相器的电路原理图；2、创建 CMOS 反相器
2、的电气符号；3、创建 CMOS 反相器的版图；4、对版图进行 DRC 验证。. word.zl-.-1 1、创建、创建 CMOSCMOS 反相器的电路原理图及电气符号图反相器的电路原理图及电气符号图首先创建自己的工作目录并将/home/iccad/cds.lib 复制到自己的工作目录下（我的工作目录为/home/iccad/iclab） ，在工作目录内打开终端并打开virtuoso(命令为icfb &).在打开的 icfb log 中选择 tools-Library Manager,再创建自己的库，在当前的对话框上选择 File-New-Library,创建自己的库并为自己的库命名（我的命名为
3、 lab1） ，点击 OK 后在弹出的对话框中选择 Attach to an exiting techfile 并选择gpdk090_v4.6 的库，此时 Library manager 的窗口应如图 1 所示：图 1创建好的自己的库以及 inv创建好自己的库之后，就可以开始绘制电路原理图，在Library manager 窗口. word.zl-.-中选中 lab1,点击 File-New-Cell view,将这个视图命名为 inv(CMOS 反相器)。需要注意的是 Library Name 一定是自己的库，View Name 是 schematic,具体如图 2所示：图 2inv 电路原
4、理图的创建窗口点击 OK 后弹出 schematic editing 的对话框，就可以开始绘制反相器的电路原理图(schematic view)。其中 nmos(宽为 120nm,长为 100nm.)与 pmos(宽为 240nm,长为 100nm.)从 gpdk090_v4.6 这个库中添加，vdd 与 gnd 在 analogLib 这个库中添加，将各个原件用 wire 连接起来，连接好的反相器电路原理图如图 3 所示：图 3 inv 的电路原理图对电路原理图检查并保存（左边菜单栏的第一个，check and save） ，接下来. word.zl-.-创建 CMOS 反相器的电气符号图(
5、创建电气符号图是为了之后在其他的门电路中更方便的绘制电路原理图)。在菜单栏中选择design-Create cellview-Fromcellview，在 symbol editing 中编辑反相器的电气符号图，创建好的 symbol 如图 4所示：图 4inv 的电气符号图2 2、创建、创建 CMOSCMOS 反相器的版图反相器的版图接下来可以创建并绘制 CMOS 反相器的版图，在 Library Manager 中选择File-new-cell view，将view name 改为 layout,tool 改为 virtuoso,具体如图 5 所示：图 5inv 版图的创建窗口点击 OK，
6、会弹出两个对话框，一个 LSW 和一个 layout editing 在弹出来的layout editing 中进行版图的绘制，利用快捷键i在 gpdk090_v4.6 选择 nmos 和. word.zl-.-pmos,并将 pmos 摆放至 nmos 的上方， 为方便确认各个金属或者 mos 管的距离或者长度，可以使用尺子作为辅助，使用快捷键k画一个尺子，使得 nmos 与pmos 的源漏之间距离为 0.6nm,如图 6 所示：图 6mos 管源漏之间的距离图然后继续用尺子在 nmos 与 pmos 的正中间分别往上下延伸 1.5nm， 该点即为电源轨道和地轨道的中心点，轨道的宽为 0.6
7、nm,长为 1.8nm,在 LSW 窗口中选择metal1 作为电源轨道，返回 layout editing 窗口，使用快捷键p,然后设置金属的宽度，将其设置为 0.6nm,接着在 layout editing 窗口中将轨道绘制出来，nmos与 pmos 之间用 poly 金属层连接起来，pmos 的源级用 metal1 金属与上层的电源轨道连接起来， nmos 的源级用 metal1 金属与下层的电源轨道连接起来， 并在 vdd电源轨道上加一个 M1_NWELL,在 gnd 轨道上加一个 M1_PSUB,放置好选中并点击快捷钱q,将通孔个数改为 3 个如图 7 所示，将 columns 那一
8、栏的 1 改为 3，pmos 及以上部分用 nwell 包裹起来，具体的连接如图 8 所示:. word.zl-.-图 7M1_NWELL 的属性图 8 连接好的 inv 版图3 3、设计规则检查、设计规则检查(DRC)(DRC)将连接好的 inv 版图保存，在菜单栏上选择 verify-DRC,在弹出的对话框修改一些信息，如图 9 所示，确保路径正确，并且将 Rules library 前的勾选取消。. word.zl-.-图 9DRC 的参数设置点击 OK，验证完成并成功后会在 icfb log 窗口出现如图 10 所示提示且版图上不会出现错误闪烁，如果有错误的话，可以在菜单栏中点击ver
9、ify-markets-explain,并选中错误的地方，就会弹出详细的错误解释，然后根据提示修改错误。图 10DRC 报告4 4、打印、打印 CMOSCMOS 反相器的电路原理图以及版图反相器的电路原理图以及版图在 layout editing 窗口的菜单栏上选择 Design-plot-submit,然后再弹出来的窗口中修改参数，将 header 前的勾选取消，如图 11 所示：. word.zl-.-图 11 打印参数设置继续点击 Plot Options,将里面的参数修改如图 12 所示：. word.zl-.-图 12 打印参数设置点击 OK，可在自己的工作目录下找到 inv.ps 文件，打开文件即可看到打印出来的 CMOS 反相器版图，如图 13 所示：图 13 打印出来的 CMOS 反相器版图同理，电路原理图也是如此打印，打印出来的 CMOS 反相器的电路原理图如图 14 所示：. word.zl-.-图 14 打印出来的 CMOS 反相器的电路原理图. word.zl-
