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1、硅太阳能电池扩散工序相关硅太阳能电池扩散工序相关知识知识1优选内容1.1.目录目录l目录目录l半导体半导体lPNPN结结l扩散扩散l电池效率的损失电池效率的损失l扩散与栅线设计扩散与栅线设计l扩散与烧结扩散与烧结2优选内容在在绝绝对对温温度度T=0K时时，所所有有的的价价电电子子都都被被共共价价键键紧紧紧紧束束缚缚在在共共价价键键中中，不不会会成成为为自自由由电电子子，因因此此本本征征半半导导体体的的导导电电能能力力很很弱弱，接接近近绝绝缘体。缘体。半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。本征半导体：完全本征半导体：完全纯净的、结构纯净的、结构完
2、整、不含缺陷的完整、不含缺陷的半导体晶体。半导体晶体。+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+42.1 本征半导体本征半导体2.2.半导体半导体束缚电子3优选内容这这一现象称为本征激发，也称热激发。一现象称为本征激发，也称热激发。自由电子自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空空穴穴当当温温度度升升高高或或受受到到光光的的照照射射时时，束束缚缚电电子子能能量量增增高高，有有的的电电子子可可以以挣挣脱脱原原子子核核的的束束缚缚，而而参参与与导导电电，成成为为自自由由电电子子。自自由由电电子子产产生生的的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为同时，在其原
3、来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴空穴。2.1 本征半导体本征半导体2.2.半导体半导体4优选内容l杂质元素：磷，杂质元素：磷，砷砷l多子：电子多子：电子l少子：空穴少子：空穴lP：施主杂质：施主杂质 (提供电子提供电子)+多数载流子少数载流子正离子2.2.1N型半导体型半导体在在本征本征Si和和Ge中掺入微量五价元素后形成的杂质半导体。中掺入微量五价元素后形成的杂质半导体。2.2.半导体半导体2.2 非本征半导体非本征半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4P+5P+55优选内容2.2.半导体半导体2.2 非本征半导体非本征半导体2.2.2P型半导体型半导体
4、在本征在本征Si和和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。-负离子多数载流子少数载流子l杂质元素杂质元素：硼，铟：硼，铟l多子：空穴多子：空穴l少子：电子少子：电子lP：受主杂质：受主杂质 (提供空穴提供空穴)+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4B+3B+36优选内容3.PN3.PN结结3.1 结的种类结的种类同质结：相同材料形成的结同质结：相同材料形成的结(如不同参杂如不同参杂的硅片的硅片)异质结：不同材料形异质结：不同材料形成的结成的结半导体异质结半导体异质结(两种半导两种半导体材料之间组成的结体材料之间组成的结)半导体
5、半导体-非半导体异质结非半导体异质结(肖特基势垒结、肖特基势垒结、MOS、MIS)结结7优选内容+-多数载多数载流子的扩散运动流子的扩散运动建立内电场建立内电场P区N区3.PN3.PN结结少数载少数载流子流子的漂移运动的漂移运动多多子子扩散散 空空间电荷区加荷区加宽内内电场EIN增增强 少子漂移少子漂移促使促使阻止阻止 空空间电荷区荷区变窄内窄内电场EIN削弱削弱 3.2 PN结的形成结的形成扩散散运运动和和漂漂移移运运动达达到到动态平平衡衡，交交界界面面形形成成稳定定的的空空间电荷荷区，即区，即PN结。8优选内容3.PN3.PN结结3.3 能带图和光伏效应能带图和光伏效应3.3.1基本概念基
6、本概念能级：电位能的级别。能级：电位能的级别。能带：大量的能级形成能带。能带：大量的能级形成能带。价价带带：在在绝绝对对零零度度下下能能被被电电子子占占满满的的最最高高能能带带，全全充充满满的的能带中的电子不能再固体中自由运动。能带中的电子不能再固体中自由运动。导导带带：自自由由电电子子形形成成的的能能量量空空间间。即即固固体体结结构构内内自自由由运运动动的电子所具有的能量范围。的电子所具有的能量范围。费米能级：该能级上的一个状态被电子占据的几率为费米能级：该能级上的一个状态被电子占据的几率为1/2，用来衡量系统能级的水平。，用来衡量系统能级的水平。9优选内容3.PN3.PN结结3.3 能带图
7、和光伏效应能带图和光伏效应3.3.2费米原理和费米能级费米原理和费米能级一一般般而而言言，电电子子占占据据各各个个能能级级的的几几率率是是不不等等的的。占占据据低低能能级的电子多而占据高能级的电子少。统计物理学指出，电级的电子多而占据高能级的电子少。统计物理学指出，电子子占占据据能能级级的的几几率率遵遵循循费费米米统统计计规规律律：在在热热平平衡衡状状态态下下，能量为能量为E的能级被一个电子占据的几率为：的能级被一个电子占据的几率为：f(E)称称为为电电子子的的费费米米分分布布函函数数，k、T分分别别为为玻玻尔尔兹兹曼曼常常数数和绝对温度，和绝对温度，EF称为费米能级。称为费米能级。只只要要知
8、知道道EF的的数数值值，在在一一定定温温度度下下，电电子子在在各各量量子子态态上上的的统计分布就完全确定了。统计分布就完全确定了。在在一一定定的的温温度度下下，费费米米能能级级附附近近的的部部分分能能量量小小于于EF的的电电子子会被激发到会被激发到EF以上，温度越高，被激发的概率越大。以上，温度越高，被激发的概率越大。10优选内容3.PN3.PN结结3.3 能带图和光伏效应能带图和光伏效应3.3.2费米原理和费米能级费米原理和费米能级当当E-EF5kT时，时，f(E)0.007当当E-EF-5kT时，时，f(E)0.993k1.38 x 10-23J/K在在参参杂杂半半导导体体中中，如如果果是
9、是N型型半半导导体体，由由于于电电子子占占据据导导带带的的几几率率较较大大，则则EF的的位位置置上上移移靠靠近近导导带带底底，如如果果是是P型型半半导导体体，EF下下移移靠近价带顶。靠近价带顶。参参杂杂很很重重时时，EF可可以以进进入入导导带带和和价带。价带。11优选内容3.PN3.PN结结3.3 能带图和光伏效应能带图和光伏效应3.3.3能带图能带图12优选内容3.PN3.PN结结IRsRLRshILVIF电池工作时共有三股电流：光电池工作时共有三股电流：光生电流生电流IL，在光生电压在光生电压V作用作用下的下的pn结正向电流结正向电流IF，流经外，流经外电路的电流电路的电流I， IL和和I
10、F都流经都流经pn结内部，方向相反。结内部，方向相反。根据根据pn结整流方程，在正向结整流方程，在正向偏压偏压V作用下，流过结的正作用下，流过结的正向电流为向电流为IF= Isexp(qV/koT)-1电池与负载联通，流过负载电池与负载联通，流过负载的电流为的电流为I=IL-IF=IL- Isexp(qV/koT)-1由上式可得由上式可得V=(koT/q)ln(IL-I)/IS+13.4 等效电路图等效电路图13优选内容3.PN3.PN结结合金结：熔化合金合金结：熔化合金 再结晶（杂质分凝）再结晶（杂质分凝） 形成形成p-n结。结。生长结生长结 ：拉制单晶；：拉制单晶；CVD；MBE。生长晶体
11、时改变掺杂型号。生长晶体时改变掺杂型号. 扩散扩散或离子注入结：在衬底中掺入反型杂质（杂质补偿）。或离子注入结：在衬底中掺入反型杂质（杂质补偿）。高高温温扩扩散散的的概概念念：扩扩散散机机理理有有替替位位式式扩扩散散（例例如如硼硼、磷磷等等在在Si中中的的扩扩散散）和和间间隙隙式式扩扩散散（如如金金在在Si中中的的扩扩散散）。杂杂质质替替位位式式扩扩散散的的速速度度慢慢，扩扩散散温温度度高高（800 oC1200 oC），间间隙隙式式扩扩散散的的速速度度很很快快（在在1000 oC下下10分分钟钟就就可可扩扩散散200 300 m的的深深度度），扩扩散散温温度度较较低一些低一些800 oC10
12、50 oC）。）。 替位式替位式扩散散间隙式隙式扩散散3.5 制备方法制备方法14优选内容4.4.扩散扩散假定在无对流液体（或气体）稀释溶液中，按一维流动形假定在无对流液体（或气体）稀释溶液中，按一维流动形式，每单位面积内的溶质传输可由如下方程描述：式，每单位面积内的溶质传输可由如下方程描述：(1)式中式中J是单位面积溶质的传输速率（或扩散通量），是单位面积溶质的传输速率（或扩散通量），N是是溶质的浓度，假定它仅仅是溶质的浓度，假定它仅仅是x和和t的函数，的函数，x是溶质流动方是溶质流动方向的坐标，向的坐标，t是扩散时间，是扩散时间，D是扩散系数。是扩散系数。(1)式称为式称为Fick扩扩散第
13、一定律。它表明物质按溶质浓度减少的方向（梯度的散第一定律。它表明物质按溶质浓度减少的方向（梯度的负方向）流动。负方向）流动。根据质量守恒定律，溶质浓度随时间的变化必须与扩散通根据质量守恒定律，溶质浓度随时间的变化必须与扩散通量随位置的变化一样，即：量随位置的变化一样，即： (2)4.1 扩散定律扩散定律15优选内容4.4.扩散扩散将将(1)式带入式带入(2)式，得到一维形式的式，得到一维形式的Fick第二定律：第二定律：(3)溶质浓度不高时，扩散系数可以认为是常数，溶质浓度不高时，扩散系数可以认为是常数，(3)式便成为：式便成为：(4)上式称为简单的上式称为简单的Fick扩散方程。扩散方程。4
14、.1 扩散定律扩散定律16优选内容4.4.扩散扩散4.2.1恒定表面浓度扩散恒定表面浓度扩散杂质原子由气态源传送到半导体表面，然后扩散进入半导杂质原子由气态源传送到半导体表面，然后扩散进入半导体硅晶片，在扩散期间，气态源维持恒定的表面浓度。体硅晶片，在扩散期间，气态源维持恒定的表面浓度。初始条件：初始条件：t=0时，时，N(x,0)=0；边界条件：边界条件： N(0,t)=Ns ， N( ,t)=0；解扩散方程，得解扩散方程，得 余误差分布余误差分布4.2 扩散方式扩散方式17优选内容4.4.扩散扩散式中，式中， 特征扩散长度（特征扩散长度（um)；Ns= NSi(杂质在杂质在Si中的固溶度中
15、的固溶度)；erf(x)误差函数（误差函数（error function);erfc(x)余误差函数余误差函数(complementary error function )；4.2 扩散方式扩散方式18优选内容4.4.扩散扩散4.2.2恒定掺杂总量扩散恒定掺杂总量扩散在在扩扩散散过过程程中中，杂杂质质源源限限定定于于扩扩散散前前淀淀积积在在晶晶片片表表面面极极薄薄层层内内的的杂杂质质总总量量Q，硅硅片片内内的的杂杂质质量量保保持持不不变变，没没有有外外来来杂质补充，也不会减少。杂质补充，也不会减少。初初始始条条件件：(假假设设扩扩散散开开始始时时，杂杂质质总总量量均均匀匀分分布布在在厚厚度度为
16、为的薄层内的薄层内)N(x,0)= Q/=Ns,0x；N(x,0)=0,x；边界条件：边界条件：N(,t)=0；解扩散方程，得解扩散方程，得高斯分布高斯分布4.2 扩散方式扩散方式19优选内容4.4.扩散扩散式中式中 为表面浓度。为表面浓度。结深为结深为4.2 扩散方式扩散方式20优选内容4.4.扩散扩散4.2.3两步扩散两步扩散1、预预扩扩散散或或预预沉沉积积，采采用用恒恒定定表表面面源源扩扩散散方方式式。且且温温度度低低、时时间间短短，因因而而扩扩散散的的很很浅浅，可可以以认认为为杂杂质质沉沉积积在在一一薄薄层上。目的是为了控制杂质总量，杂质按余误差函数分布。层上。目的是为了控制杂质总量，
17、杂质按余误差函数分布。4.2 扩散方式扩散方式2、主主扩扩散散或或再再分分布布，是是将将由由预预扩扩散散引引入入的的杂杂质质作作为为扩扩散散源源，在在高高温温条条件件下下进进行行扩扩散散。目目的的是是为为了了控控制制表表面面浓浓度度和和扩扩散散深深度度，杂杂质质按按高高斯函数形式分布。斯函数形式分布。21优选内容4.4.扩散扩散4.3.1结深结深p-n结结所所在在的的几几何何位位置置，即即扩扩散散杂杂质质浓浓度度与与衬衬底底杂杂质质浓浓度度相等的位置到硅片表面的距离，用相等的位置到硅片表面的距离，用xj标示。标示。4.3 扩散参数扩散参数4.3.2扩散层方块电阻扩散层方块电阻它表示正方形的扩散
18、薄层在电流方向上所呈现出来的电阻。它表示正方形的扩散薄层在电流方向上所呈现出来的电阻。由电阻公式由电阻公式R=L/S可知，当薄层中杂质均匀分布时，薄层电阻表达式可以写可知，当薄层中杂质均匀分布时，薄层电阻表达式可以写成：成：Rs= L/xjL= /xj=1/xj由上式可知，薄层电阻的大小与平均电导率成反比，与薄由上式可知，薄层电阻的大小与平均电导率成反比，与薄层厚度成反比。层厚度成反比。22优选内容4.4.扩散扩散当薄层中杂质分布不均时，当薄层中杂质分布不均时， 是不均匀的，计算公式如下：是不均匀的，计算公式如下：4.3 扩散参数扩散参数实验室或生产过程中，可以通过四探针测试仪测试方块电实验室
19、或生产过程中，可以通过四探针测试仪测试方块电阻。阻。右图为四探针测试仪示意图，外面右图为四探针测试仪示意图，外面两根探针施加恒定电流，中间两根两根探针施加恒定电流，中间两根探针测试电位差，电压电流之比再探针测试电位差，电压电流之比再乘以一个系数即可得到方块电阻数乘以一个系数即可得到方块电阻数值，公式如下：值，公式如下：Rs=kV/Ik为常数。为常数。23优选内容串并串并联电阻阻方方块电阻阻六大控制工六大控制工艺四大特征四大特征三个参数三个参数清洗清洗织构化构化扩散散制制备SiNx丝网印刷网印刷烧结测试表面表面钝化特性化特性结特性特性电极接触特性极接触特性减反射特性减反射特性短路短路电流流开路开
20、路电压填充因子填充因子量子响量子响应曲曲线饱和和电流流5.5.电池效率的损失电池效率的损失5.1 太阳能电池的主要控制因素太阳能电池的主要控制因素24优选内容5.5.电池效率的损失电池效率的损失5.2.1光学损失光学损失反射损失反射损失栅线电极栅线电极遮光损失遮光损失措措施施：表表面面制制绒绒、减减反反膜膜、优化顶电极栅线设计优化顶电极栅线设计内内量量子子效效率率：被被电电池池吸吸收收的的每每个个光光子子，在在短短路路电电流流条条件件下下，所产生的电子所产生的电子-空穴对被空穴对被PN结收集的比例。结收集的比例。外外量量子子效效率率：每每个个注注入入的的光光子子所所产产生生的的电电流流，在在短
21、短路路条条件件下流到外电路的多少。下流到外电路的多少。5.2 电池效率的损失电池效率的损失内内量量子子效效率率一一般般要要高高于于外量子效率。外量子效率。25优选内容5.5.电池效率的损失电池效率的损失辐辐射射复复合合：吸吸收收的的反反过过程程。在在半半导导体体激激光光器器和和发发光光二二极极管管中中适适用用，对对硅硅太太阳阳能能电电池池来说不显著。来说不显著。俄俄歇歇复复合合：电电子子和和空空穴穴复复合合释释放放多多余余的的能能量量，这这些些多多余余的的能能量量被被另另一一个个电电子子吸吸收收，该电子弛豫返回原来的能态并释放声子。该电子弛豫返回原来的能态并释放声子。通通过过陷陷阱阱复复合合：
22、当当半半导导体体的的杂杂质质或或表表面面的的界界面面陷陷阱阱在在禁禁带带间间隙隙中中产产生生允允许许的的能能级级时时，这这个个复复合合就就能能发发生生。电电子子分分两两个个阶阶段段完完成成与与空空穴穴的的复复合合，首首先先电电子子跃跃迁迁到到缺缺陷陷能能级级，然后再跃迁到价带。然后再跃迁到价带。5.2.2载载流流子子的复合的复合5.2 电池效率的损失电池效率的损失26优选内容5.5.电池效率的损失电池效率的损失5.2.3温度效应温度效应对对半半导导体体而而言言，禁禁带带宽宽度度的的温温度度系系数数一一般般为为负负。随随着着温温度度上上升升，带带隙隙变变窄窄，增增强强电电池池对对光光的的吸吸收收
23、而而使使Isc略略微微上上升升；但但带带隙隙变变窄窄会会增增大大反反向向饱饱和和电电流流，而而使使Voc下下降降，FF也下降。也下降。5.2 电池效率的损失电池效率的损失27优选内容5.5.电池效率的损失电池效率的损失5.2.4串并联电阻串并联电阻串串联联电电阻阻主主要要来来源源于于半半导导体体材材料料的的体体电电阻阻、电电极极电电阻阻、载载流流子子在在顶顶部部扩扩散散层层的的运运输输，以以及及金金属属和和半半导导体体材材料料之之间间的的接触电阻。接触电阻。并联电阻主要由复合及漏电造成的。并联电阻主要由复合及漏电造成的。5.2 电池效率的损失电池效率的损失28优选内容5.5.电池效率的损失电池
24、效率的损失少子浓度减小到原来的少子浓度减小到原来的1/e所经历的时间。所经历的时间。us数量级。数量级。多晶硅中存在大量的微缺陷和较多的铜、铁、镍、锰、钛多晶硅中存在大量的微缺陷和较多的铜、铁、镍、锰、钛等金属杂质，由于这些微缺陷和金属杂质形成了一些深能等金属杂质，由于这些微缺陷和金属杂质形成了一些深能级，并成为光生少数载流子的复合中心。级，并成为光生少数载流子的复合中心。实际生产中测得的是体复合和表面复合共同作用的少子寿实际生产中测得的是体复合和表面复合共同作用的少子寿命，公式如下：命，公式如下：影响因素：影响因素：杂质杂质电阻率电阻率温度温度(一般情况下一般情况下 ，少子寿命随着温度的上升
25、先降后升，少子寿命随着温度的上升先降后升)表面状态表面状态硅片厚度硅片厚度5.3 少子寿命少子寿命29优选内容5.5.电池效率的损失电池效率的损失5.3 少子寿命少子寿命30优选内容5.5.电池效率的损失电池效率的损失措施措施1：吸杂吸杂措施措施2：生长生长SiNx膜膜生长生长SiNx膜后少子寿命有明显提高，这主要是由于生长过膜后少子寿命有明显提高，这主要是由于生长过程中活泼的富氢集团向多晶硅体内扩散，与缺陷或晶界等程中活泼的富氢集团向多晶硅体内扩散，与缺陷或晶界等符合中心结合，在表面则与表面复合中心如位错和悬挂键符合中心结合，在表面则与表面复合中心如位错和悬挂键结合，形成体内与表面双重氢钝化
26、效果，大大提高了多晶结合，形成体内与表面双重氢钝化效果，大大提高了多晶硅的少子寿命。硅的少子寿命。改善措施改善措施5.3 少子寿命少子寿命31优选内容6.6.扩散与栅线设计扩散与栅线设计顶顶电电极极栅栅线线设设计计目目标标是是通通过过优优化化电电流流收收集集来来减减少少由由于于内内部部电阻和电池遮光而产生的效率损失。电阻和电池遮光而产生的效率损失。6.1.1电阻的影响电阻的影响6.1 扩散与顶电极栅线设计扩散与顶电极栅线设计薄薄层层电电阻阻的的重重要要性性之之一一，在在于于他他决决定定了了定定电电极极栅栅线线之之间间的的理理想想间间隔隔，图图中中dy区区域域造造成成的的功功率率损损失失由由 d
27、P=I2dR求求 得得 ， dR=dy/b，I(y)是是横横向向电电流流。在在均均匀匀的的光光照照下下，I(y)在在两两条条栅栅线线的的正正中中间间为为零零，并并且且向向两两侧侧栅栅线线方方向向线线性性增增加加，在在栅栅线线处处达达到到最最大大。因因而而I(y)又又等等于于Jdy，J为为电电流流密密度度。所以总的功率损失为所以总的功率损失为32优选内容6.6.扩散与栅线设计扩散与栅线设计其中，其中，s是两条栅线的间隔距离。是两条栅线的间隔距离。在最大功率点，产生的功率为在最大功率点，产生的功率为所以功率损耗百分比为所以功率损耗百分比为因因此此，顶顶电电极极栅栅线线的的最最小小间间距距可可以以由
28、由计计算算得得出出。例例如如，如如果果一一个个典典型型的的硅硅太太阳阳能能电电池池的的=40/，Jmp=30mA/cm2，Vmp=450mV，那那么么要要使使因因横横向向电电阻阻影影响响而而引引起起的的功功率率损失小于损失小于4%，必须使，必须使s4mm。6.1 扩散与顶电极栅线设计扩散与顶电极栅线设计33优选内容6.6.扩散与栅线设计扩散与栅线设计6.1.2栅线的影响栅线的影响栅线的影响栅线的影响栅线遮光面积栅线遮光面积栅线电阻栅线电阻接触电阻接触电阻满满足足栅栅线线设设计计最最优优化化从从以以下三方面考虑下三方面考虑栅栅线线电电阻阻损损失失等等于于栅栅线线遮遮光损失时，栅线宽度最佳。光损失
29、时，栅线宽度最佳。渐渐变变的的栅栅线线宽宽度度设设计计优优于于固定栅线宽度设计。固定栅线宽度设计。副副栅栅宽宽度度和和间间距距越越小小，效效率损失越小。率损失越小。6.1 扩散与顶电极栅线设计扩散与顶电极栅线设计34优选内容7.7.扩散与烧结扩散与烧结1.有机物挥发阶段有机物挥发阶段2.燃烧有机物及升温阶段燃烧有机物及升温阶段3.峰值温度区间，形成合金电极峰值温度区间，形成合金电极4.降温阶段降温阶段1234烧结温度曲线烧结温度曲线7.1 烧结温度曲线烧结温度曲线35优选内容7.7.扩散与烧结扩散与烧结有机溶剂挥发形成AgO壳玻璃料穿透SiN层PbO+SiPb+SiO2玻璃料腐蚀硅并析出AgO
30、与硅反应并析出Ag2O+SiPb+SiO2液 态 Pb与 Ag形 成 液 态 Pb-Ag相液态Pb-Ag相腐蚀硅(100)面冷却时Ag在硅(111)面结晶从从Ag-Si相相图图看看：两两者者形形成成合合金金的的最最小小温温度度为为830度度，比比例例为为：Ag:Si=14.5:85.5，银银的的融融化化点点为为950 C。因因此此，在在太太 阳阳 电电 池池 的的 烧烧 结结 温温 度度 下下（850900 C ），银银无无法法溶溶解解与与硅硅形形成成合合金金。但但如如果果银银和和硅硅形形成成混混合合相相，则则可可以以在在830 C形形成成固固态态的的合合金金。玻玻璃璃料料的的作作用用是是形形
31、成成一一种种Ag和和Pb的的混混合合态态，以以使使其其合合金金点点下下降降，使使得得银银在在低低于于830 C溶溶解。解。7.2 顶电极形成原理顶电极形成原理36优选内容7.7.扩散与烧结扩散与烧结7.2 顶电极形成原理顶电极形成原理37优选内容7.7.扩散与烧结扩散与烧结铝背场烧结后形成的铝背场烧结后形成的P+层，减少了载流子在界面处的复合。层，减少了载流子在界面处的复合。7.3 底电极形成原理底电极形成原理38优选内容7.7.扩散与烧结扩散与烧结钝钝化化处处理理提提高高了了电电池池表表面面的的收收集集几几率率；背背面面场场提提高高了了背背电电极处的光生载流子收集几率；两者最终增加了短路电流
32、极处的光生载流子收集几率；两者最终增加了短路电流Isc。 7.4 钝化钝化39优选内容8.8.小结小结1、本本征征半半导导体体通通过过掺掺杂杂不不同同元元素素可可得得到到N(P)型型半半导导体体，P型型半半导导体体和和N型型半半导导体体接接触触时时，会会形形成成PN结结，光光照照条条件件下下可产生光生电动势，连接负载后有光生电流。可产生光生电动势，连接负载后有光生电流。2、扩扩散散方方式式一一般般分分为为恒恒定定表表面面浓浓度度扩扩散散和和恒恒定定参参杂杂总总量量扩扩散散两两种种，实实际际生生产产过过程程中中两两种种扩扩散散方方式式相相结结合合。结结深深和和方阻为主要的两种扩散参数。方阻为主要的两种扩散参数。3、影影响响电电池池效效率率的的因因素素主主要要有有以以下下几几种种：光光学学损损失失、载载流流子子复复合合、温温度度、串串并并联联电电阻阻、少少子子寿寿命命、顶顶电电极极栅栅线线设设计及烧结。计及烧结。4、顶顶电电极极的的栅栅线线设设计计要要考考虑虑栅栅线线电电阻阻和和栅栅线线遮遮光光面面积积的的影响。影响。5、烧结步骤对表面钝化和接触电阻有重要影响。、烧结步骤对表面钝化和接触电阻有重要影响。 40优选内容谢谢41优选内容
