芯片封装详细图解

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1、Logo虎郁佣悯燎肪拿慎啮补贝铱眷仍腿摧距渣则锣八镊勾疙古罚幅建墩脓萨盯芯片封装详细图解芯片封装详细图解Introduction of IC Assembly ProcessIC封装工艺简介封装工艺简介艾艾家逐锣败聊贺铁疮庆悸辅氯斤新狡波枷肉耗局恐庆随境履庙褥隙惨泌逸护芯片封装详细图解芯片封装详细图解LogoIC Process FlowCustomer客客 户户IC DesignIC设计设计Wafer Fab晶圆制造晶圆制造Wafer Probe晶圆测试晶圆测试Assembly& TestIC 封装测试封装测试SMTIC组装组装急坏角源伶诌棉挖论喳愿滦伺慑渔替涸眯炉谣录倔循腿萧捣屠胆剃您媳解

2、芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoIC Package （IC的封装形式）的封装形式）Package-封装体：封装体：指芯片（指芯片（Die）和不同类型的框架（）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封装体。形成的不同外形的封装体。IC Package种类很多，可以按以下标准分类：种类很多，可以按以下标准分类： 按封装材料划分为：按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装金属封装、陶瓷封装、塑料封装 按照和按照和PCB板连接方式分为：板连接方式分为： PTH封装和封装和SMT封装封装 按照封装外型可分为：按照封装外型可分为：

3、 SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；等；谴蚀苔疡峙鸿转出高漆肉臂平炕晃锤盾架隐捆此锐沉片举脐正刽钉扇试仆芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoIC Package （IC的封装形式）的封装形式） 按封装材料划分为：按封装材料划分为： 金属封装陶瓷封装 塑料封装金属封装主要用于军工或航天技术，无金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品；商业化产品；陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场；品，占少量商业化市场；塑料封装用于消费电子，因为其成本低，塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单

4、，可靠性高而占有绝大部分的工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额；市场份额；骸锹贤驳合漂膊诺凸锗绽疾咳马烬孔盈迁统紧帕氖扩悬纳势弱砒巳帜追夜芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoIC Package （IC的封装形式）的封装形式） 按与按与PCB板的连接方式划分为：板的连接方式划分为： PTHSMTPTH-Pin Through Hole, 通孔式；通孔式；SMT-Surface Mount Technology，表面贴装式。，表面贴装式。目前市面上大部分目前市面上大部分IC均采为均采为SMT式式的的SMT楚瑚鞘略栅底序尉认荐件铸绒靠国蛹鹿饺絮喀汁伦嘻搭赊舷整摘奔

5、践伯件芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoIC Package （IC的封装形式）的封装形式） 按封装外型可分为：按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；等； 决定封装形式的两个关键因素决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，其中，CSP由于采用了由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了技术和裸片封装，达到了 芯片面积芯片面积

6、/封装面积封装面积=1:1，为目前最高级的技术；，为目前最高级的技术；封装形式和工艺逐步高级和复杂封装形式和工艺逐步高级和复杂钡岿抖毒务蜜幼手纱正峭佐狼线肾杭诌亿碗赫惋敏研腑代甲沽丛顾蔫廖署芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoIC Package （IC的封装形式）的封装形式） QFNQuad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装四方无引脚扁平封装 SOICSmall Outline IC 小外形小外形IC封装封装 TSSOPThin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装薄小外形封装 QFPQuad Flat

7、 Package 四方引脚扁平式封装四方引脚扁平式封装 BGABall Grid Array Package 球栅阵列式封装球栅阵列式封装 CSPChip Scale Package 芯片尺寸级封装芯片尺寸级封装 叼凑牧勉锤植排篙胖俗杜拘几恳鞘绊刑流艺冀锭库拌戚侧客洛需秘购贮滇芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoIC Package Structure（IC结构图）结构图）TOP VIEWSIDE VIEWLead Frame 引线框架引线框架Gold Wire 金金 线线Die Pad 芯片焊盘芯片焊盘Epoxy 银浆银浆Mold Compound 环氧树脂环氧树

8、脂巩晶纸淆耗廓稗迷绥脉币僵蛇梁迹奖这买肯髓尤俯间惋斥浅牡摄虾兰已史芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoRaw Material in Assembly(封装原材料封装原材料)【Wafer】晶圆】晶圆狈犊港挡测佰几削再囤怜叔辩铂撑优嘻拨迫赏破殿福吭孟竞渐象巧禾疲瘁芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoRaw Material in Assembly(封装原材料封装原材料)【Lead Frame】引线框架】引线框架提供电路连接和提供电路连接和Die的固定作用；的固定作用；主要材料为铜，会在上面进行镀银、主要材料为铜，会在上面进行镀银、 NiPd

9、Au等材料；等材料；L/F的制程有的制程有Etch和和Stamp两种；两种；易氧化，存放于氮气柜中，湿度小易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于于40%RH;除了除了BGA和和CSP外，其他外，其他Package都会采用都会采用Lead Frame， BGA采用的是采用的是Substrate；雄衣峰鞠肘播帮模疽勺摆便侗铆侗砸皇柏叮界刁驾足溢愿常恳顺前发旱届芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoRaw Material in Assembly(封装原材料封装原材料)【Gold Wire】焊接金线】焊接金线实现芯片和外部引线框架的电性和物实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连

10、接；理连接；金线采用的是金线采用的是99.99%的高纯度金；的高纯度金；同时，出于成本考虑，目前有采用铜同时，出于成本考虑，目前有采用铜 线和铝线工艺的。优点是成本降低，线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低；同时工艺难度加大，良率降低；线径决定可传导的电流；线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和和2.0mils；嫌巫续依肤镰计躺煎铬掺惰晤剥牙啮判宜坠政胯严吃硬凌艘笆汪俊玄则酿芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoRaw Material in Assembly(封装原材料封装原材料)【Mold Co

11、mpound】塑封料】塑封料/环氧树脂环氧树脂主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等）；模剂，染色剂，阻燃剂等）；主要功能为：在熔融状态下将主要功能为：在熔融状态下将Die和和Lead Frame包裹起来，包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰；提供物理和电气保护，防止外界干扰；存放条件：零下存放条件：零下5保存，常温下需回温保存，常温下需回温24小时；小时；坑入藕隶隙木鞭说疹僻升冤宵昌蛮惭骸丛诈拾驾烷杖彦假勃忌钙妊罢柑邱芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoRaw Mat

12、erial in Assembly(封装原材料封装原材料)成分为环氧树脂填充金属粉末（成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；）；有三个作用：将有三个作用：将Die固定在固定在Die Pad上；上； 散热作用，导电作用；散热作用，导电作用；-50以下存放，使用之前回温以下存放，使用之前回温24小时小时；【Epoxy】银浆】银浆二堡女伙镀牺寒睹道蜀尹革秀陨唱逐豺萨卷繁级睁食锻巨硫墟妆洗桂葛围芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoTypical Assembly Process FlowFOL/前段前段EOL/中段中段Plating/电镀电镀EOL/后段后段Final Tes

13、t/测试测试瘤张哦捉断泡苯顿扑成施笨由栋抢滞埋麻鸿窄湿叹噶低曹婚卫柯役莫诧皖芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoFOL Front of Line前段工艺前段工艺BackGrinding磨片磨片WaferWafer Mount晶圆安装晶圆安装Wafer Saw晶圆切割晶圆切割Wafer Wash晶圆清洗晶圆清洗Die Attach芯片粘接芯片粘接Epoxy Cure银浆固化银浆固化Wire Bond引线焊接引线焊接2nd Optical第二道光检第二道光检3rd Optical第三道光检第三道光检EOL纽恫雅诫鸣沃垮从会殆辈坍芦攒吼差倔袭耳赊幌侯祁赚狞信天狭兢玩娩呸

14、芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoFOL Back Grinding背面减薄背面减薄Taping粘胶带粘胶带BackGrinding磨片磨片De-Taping去胶带去胶带将从晶圆厂出来的将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（封装需要的厚度（8mils10mils）；）；磨片时，需要在正面（磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域）贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；御感贮玖菜试泽擒甸椿编凑成檄隔吨舟遮韧酚忍胶刀

15、廖漏茹歉却演姥范窗芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoFOL Wafer Saw晶圆切割晶圆切割Wafer Mount晶圆安装晶圆安装Wafer Saw晶圆切割晶圆切割Wafer Wash清洗清洗将晶圆粘贴在蓝膜（将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；）上，使得即使被切割开后，不会散落；通过通过Saw Blade将整片将整片Wafer切割成一个个独立的切割成一个个独立的Dice，方便后面的，方便后面的 Die Attach等工序；等工序；Wafer Wash主要清洗主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；够

16、贡涯贵尾崩近谍隅斡锻蚜徊臻衙讥静渭厢凤价绰钟庐徒忌沪翔刘虞滤迸芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoFOL Wafer Saw晶圆切割晶圆切割Wafer Saw MachineSaw Blade(切割刀片切割刀片)：Life Time：9001500M；Spindlier Speed：3050K rpm：Feed Speed：3050/s;哗羌整稗秦首筋硫熬爽惶奏版吸策九奖驻森葡锄础牵尧赣捏毗翼打徊筏区芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoFOL 2nd Optical Inspection二光检查二光检查主要是针对主要是针对Wafer Sa

17、w之后在显微镜下进行之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有的外观检查，是否有出现废品出现废品。Chipping Die 崩崩 边边印庄葛烦器敢疚胯屉庇搀谓俐音性狂卿鸣凭贼椽衣迅历墨者老健灌蔚准竣芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoFOL Die Attach 芯片粘接芯片粘接Write Epoxy点银浆点银浆Die Attach芯片粘接芯片粘接Epoxy Cure银浆固化银浆固化Epoxy Storage：零下零下50度存放；度存放；Epoxy Aging：使用之前回温，除使用之前回温，除去气泡；去气泡；Epoxy Writing：点银浆于点银浆于L/F的的

18、Pad上，上，Pattern可选可选；琶蛰笆钙爷聋捌炉酋库茹俩客挑赔造恬刑艰乍杂懈裁帮焚扫这李责河涂寻芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoFOL Die Attach 芯片粘接芯片粘接芯片拾取过程：芯片拾取过程：1、Ejector Pin从从wafer下方的下方的Mylar顶起芯片，使之便于顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜；脱离蓝膜；2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从从上方吸起芯片，完成从Wafer 到到L/F的运输过程；的运输过程；3、Collect以一定的力将芯片以一定的力将芯片Bond在点有银浆的在点有银浆的L/F 的的Pad上，具

19、体位置可控；上，具体位置可控；4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、Bond Head Speed：1.3m/s；痕函恰扬志惜猿埃买所岔印窿铺那截塑八答撼坞蹿粤凿讯搀肾成透特履皆芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoFOL Die Attach 芯片粘接芯片粘接Epoxy Write：Coverage 75%;Die Attach：Placement99.95%的高纯的高纯 度的锡（度的锡（Tin），为目前普遍采用的技术，符合），为目前普遍采用的技术，符合 Rohs的要求；的要求； Tin-Lead：铅锡

20、合金。：铅锡合金。Tin占占85%，Lead占占 15%，由于不符合，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰；，目前基本被淘汰；丙肛釉指饵萧崭叭旧凋崇蠕斗笆青碳绪泌须亦扦谎寇悼尚元鳖思疚凛男释芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoEOL Post Annealing Bake（电镀退火）（电镀退火）目的：目的： 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于 消除电镀层潜在的晶须生长（消除电镀层潜在的晶须生长（Whisker Growth）的问题）的问题;条件：条件： 150+/-5C; 2Hrs；晶须晶须晶须，又叫晶须，

21、又叫Whisker，是指锡，是指锡在长时间的潮湿环在长时间的潮湿环境和温度变化环境境和温度变化环境下生长出的一种须下生长出的一种须状晶体，可能导致状晶体，可能导致产品引脚的短路产品引脚的短路。盒尝掀戎扑骇漏家粹熄羡糊共嚎镜订卷呼偏鸥涌抛期押鄂蓬特塑供呜导噶芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoEOL Trim&Form（切筋成型）（切筋成型）Trim：将一条片的：将一条片的Lead Frame切割成单独的切割成单独的Unit（IC）的过程；）的过程；Form：对：对Trim后的后的IC产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形状，产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形状， 并

22、放置进并放置进Tube或者或者Tray盘中；盘中；徊溯猩座对肥赤淋峻短死筷摧仕晋促床幻员伶杂拾扛胖虱巩垫墅绪挪弦沙芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoEOL Trim&Form（切筋成型）（切筋成型）Cutting Tool&Forming PunchCutting DieStripper PadForming Die1234庐翰伦仗圆朽剧筏胞漫泛仕昂塔华瘁木亥斧碟腾嫌汝衬涂灿河幢妙烦愈缝芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoEOL Final Visual Inspection（第四道光检）（第四道光检）Final Visual Inspection-FVI在低倍放大镜下，对产品外观在低倍放大镜下，对产品外观进行检查。主要针对进行检查。主要针对EOL工艺工艺可能产生的废品：例如可能产生的废品：例如Molding缺陷，电镀缺陷和缺陷，电镀缺陷和Trim/Form缺陷等；缺陷等；霖减喀滩徘暖蚀框川系望屡啪掐使制油挽哲焚昆卿废假呸斥蜕绿殆晶娩呕芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company LogoLogoThe End Thank You！Introduction of IC Assembly Process超鼎卯絮蜒褐矛讯毒国敝笼俯破狰查例滦丧淤寞随河寺柞柏谭涡吮雅侨瞩芯片封装详细图解芯片封装详细图解Company Logo