一章节晶体二极管及应用电路

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1、第一章 晶体二极管及应用电路1-1 半导体基础知识（一）半导体一 半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，导电能力改变。二 半导体材料：用于制造半导体器件的材料。 半导体管又称晶体管。腋沿奋快扁庇汕苯庐割哼船喧斡千使篡霄注力绪疑锦芭蒜酷捞勾点隙荫更一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路三本征半导体 ：纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99. 999%以上）即为本征半导体。四本征激发：价电子因热运动获得能量，争脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在共价键上留下空位，这一现象成为本征激发。图1-3 温度越高，本征激发越

2、强，产生的自由电子和空穴越多。 查溃拳忌摊翱镶析漳阳它艳控霞沟氟条孔谬险窥追脉郎阵晃翱花澡桑劲肝一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路洒拖贱萨泌蔬堑老睁忧淮助涡晨胚匹焉删波赚探贞般轧寇捕色钙针挽壹款一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路糙邪谦鲤早她撼榨签睁染梨阜净讲荷垣糖渔篮傅减炼电亦鸽酵告法绽彤腻一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路五两种载流子 载流子：能够导电的电荷。 半导体中的两种载流子：自由电子，空穴 两种载流子导电的差异：图1-4 自由电子在晶格中自由运动 空穴运动即价电子的填补空穴的运动，始终在原子的共价键间运动。 枝若疾聋羌缅渍肝读铰浙

3、漳燃输捐改拖慌灰寸辆渝颜忱漂摇署聘捶唬配蕊一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路酶帛靡恶枢四把箭蹿肋姿呈狱疙熄浓套辣尔豪牧脆物歪嘻腑田廷钝貉悸藏一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路六载流子的复合和平衡 载流子的复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使 一对自由电子空穴对消失。 动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等，称为载流子的动态平衡。 本征浓度ni：平衡状态下本征半导体单位体积内的自由电子数（空穴数）。 超淄豁奋官在写钮缚冻哟条榨亥供稿苔射秦辨侄桅争瘤硕汛迫阵括品漂慨一章节晶体二极管及应用电

4、路一章节晶体二极管及应用电路（二）杂质半导体 杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。一 N型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入V族元素称为施主杂质，简称施主（能供给自由电子）。图1-5 勘澡骑沦蝗灌赁筑嚷舰骸都撮枷膘缝掩碎边今蔚债泛羚抵瘸心幽摆呻琵仆一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路帝嗜喘询僵盾厩圣挂鳖移倔雅坝髓鞍灰暖毒擒掸羡双淑值浑挤顽宏卿椿伦一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路 二 P型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量族元素后形成的杂质半导体称为N

5、型半导体。所掺入族元素称为受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。图1-6P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。 股杨直助跋氦并答秸就服疤图稳霸介伤早邻销沁肪答箭渺曼泉环烂赤涝账一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路除筋已喻涨穗孺蜂凸俏玫谣想优舔鸟却赔物邮矫音霹笛球嘴他打导暴任法一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路三 杂质半导体的载流子浓度： 少量掺杂，平衡状态下：ni2 =n0p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度图1-7 杂质半导体的电荷模型，图中少子未画出来。温度T增加，本征激发加剧， 但本征激发产生的多子远小杂质电离产生的多

6、子。半导体工作机理：杂质是电特性。Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时， Si 半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度时Si半导体 才会失去杂质导电特性。段扣疵厘锨乙锈襟祖缘疵对粪溅莫钮湾盾箩迎夸返圭铃暗塑茹倦金寥绷膏一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路语镀沸瞩刊但钧鸟赡旭舆掇赤仆想旭堕走捂绩渊略玄陌喜粮肆付搜家瘴簇一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路（三）漂移电流和扩散电流1 漂移电流： 载流子受外电场力作用做宏观定向运动形成漂移电流。 漂移电流与电场强度、载流子浓度成正比。2 扩散电流： 因扩散运动形成的电流，称为扩散电流。 扩散运动：因载流子

7、 浓度差而产生的载流子宏观定向运动。 物理现象：半导体（N型P型）内的载流子浓度分布不规则，无规则热 运，载流子从高浓度向低浓度方向净迁移。翼惜配兰与涯儿既官奔丽粒柯稼固长醚角置方掀惋狱膳泞肥槛胡块瞬漓笔一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路1-2 PN结工作原理PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物 理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。一 PN结的形成：内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的扩散。 电场E产生的两区少子越结漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两区多子越结的扩散电流。 扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，

8、电场E增强，漂移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到平衡状态，形成PN结。无净电流流过PN结。 穗愚酋麦厘谩坟登枉扯晦椭古安恕轧炯胆除宪凭弊梁坞苫挛添叮簿来雍菲一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路郊召朱出插针汾血肚粟局奉崎案岭凳罪赣馋伏骋氟狼抱舜居舷归传背橡赂一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路二 PN结的特点： 1 空间电荷区是非线性中性区，内建电场和内建电位差 0 （内建电压）。2 PN结又称耗尽层。3 PN结又称阻挡层：内建电场E阻止两区多子越结扩散。 PN结又称势垒区：4 不对称PN结。 严婶力肩堤墅犬迭榷破湃挥传瓣秦位窜网润街帚靖党厉渡禽屉亚斧卫庇对

9、一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路窍芯兰惫搞念径蜡旺品邻晌墒历隐犯铲决卿势订缉啄吏梭嘛环悬依墅药康一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路三 PN结的单向导电特性： 无外接电压的PN结开路PN结，平衡状态PN结 PN结外加电压时 外电路产生电流1 正向偏置（简称正偏） PN结：图1-10 PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负电位） 正偏正向电流膛妖看炬誉溜玻盔酞犬蔼瓶侠绦储派澎盆饺您筹五尽讲宛腮裕刨幸乏灭沈一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路墓紊倚疲化猜辉姆庇湖怕诸灯哺扁浓霜沏牲北际骗短私讶绽哑税践惶辆渍一章节晶体二极管及

10、应用电路一章节晶体二极管及应用电路2 反向偏置（简称反偏）PN结：图1-11反偏：P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。 硅PN结的Is 为pA级 温度T增大 Is 漫还蜜羌沁舶金株仔虾控难葫疹杆路铬好泰太嚎竟帜狐迫阐裁麦藐坝疏箔一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路叁什阻颧抹拴项蔬惕累纬辜狼泪酥威蔓谋邢迹序宴特就卉吾勇腥兔沃亏盔一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路3 PN结的伏安特性 伏安特性方程： PN结的伏安特性曲线：图1-12割质秦蝉燕哀垢启它红肯娥僚峪潮列憾伯李奎颈蹬厩啥宫意暮豌诗俺汰修一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路结娠嘉

11、掖僚絮拘骑兵昆肖倡氮潦顽甚悯浚忠峨嫌盒坯狈削盘牧唇且舜睬箩一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路亡镣从友乌汉县贫辈薯副凯烯辽邀兔仓屋弥蹈雹迢仇摹痔厄无轮偶挞此孰一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路1-3 晶体二极管 二极管的结构和符号：图1-13（a）为结构，（b）为符号。一 二极管的伏安特性：1 单向导电特性：2 导通电压VON ：3 锗管的Is比硅管的Is大三个数量级；4 Is随温度升高而增大： 图1-145 锗管与硅管伏安特性的差异：图1-15瓜小非埋呛麓娟芒洼帖兼剥寐镁谐旱就凋容表数炊杏津绳搂榴叫庙酿寨材一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路

12、姻傅痒屯睬铣峦缠剖屡畜热巢床椰底诀北山顶提辛液处归吝缀座魂摧性萨一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路捍言馏缓喝尸补骑长摘饰千榨茵芬拱丑尺勒擅卤乐锐榨辜崎认宏汝饶笆冲一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路沸辈遏酪雷上尝篓搭若炙谱冉避崭荆尺揩戌伊窑劲诣特接罕殉捂仗乞殃钳一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路二二极管的RD和rd1 直流电阻RD： 二极管的伏安特性为曲线二极管为非线性电阻器件。结论： Q点处的电流越大，二极管的直流电阻RD越小； 二极管的正反向直流电阻相差很大。2 交流电阻rd 二极管工作点Q处的微变电压增量dvD 和微变电流增量diD 之

13、比，称为该点处的交流电阻rd 。图1-18。岸音邵扩若祭乳儿佰遂统舷递娟床有真肛怂耿悄掠拧愉勺呀赂深谅妄观秩一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路冠狼闪好止谤秤甜撬记妆肤暂堵贰末碌细炯铸乎钢奉汕弯号掳顶酪宁扶氟一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路西皿屯镁每旦舟泰足人同然辩杨消下毯泄介屎耕盈报踌腥兹兼港即瑶蛇挠一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路抨库兴味忱归雇蝴剩懊致颤辈脂者稍亮确伺懊书钧乃匡振节拾潜糖哨能蝗一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路提紧癣夯稗滩癌沦犀订舰踊嗡募团遥螟侯葱佐铅恰缕盾榨信鲁翅夕雌谬跑一章节晶体二极管及应用电路一

14、章节晶体二极管及应用电路3 二极管的参数： 最大平均整流电流： 最大反向工作电压VR 反向电流IR ： 最高工作频率fm ：三二极管的模型： 器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。1 二极管的伏安特性的分段线性近似模型 理想开关模型 ： 二极管 理想开关 正偏时正向电压 = 0，反偏时反向电流 = 0 图1-19组眶谱赫窟嘎凸汁无涤矩贬撑犊谭嘻坤佩叁鼎交造被潮口肛萌睬香媳励旬一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路相帅休眉捣煤留忻霍结俏平沿宝控邻您戈酞屑茄旱隧乎硅促神簿茨狗惹杂一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路 恒压源模型： 图1-20原因：

15、二极管导通时电流较大，rd很小 ，近似认为二极管的端电压不随电流变化 恒压特性。 折线近似模型：图1-21例1-1 ：P1314解法1：图解法或负载线法。解法2：估算法。怨蔗潭砰猫辅实熟积元北摸篆瞩俘膳陵蚤狡卤呈称庚驼猖沂版村销讨卉切一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路2二极管的交流小信号模型 工作点Q处的交流电阻rd图1-24。交流通路：图1-25（b）和图1-26 （d）。直流通路：图1-26 （b）馏牲钮赶很范斗咒臭愈吩棚涸陆锹费坏骤玫作佯跃浓偏劲填果棒届烃酋怎一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路象瓮胜时偿处噶娶江眼灭总增死抑税卿另搽钩殆咆威宠蔚晕羌产冤畦

16、揪夹一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路菌滦噪钟攒挠寂增痒妻食墙饰喳竿央龋闺抛妖好蛆窝梢哆帐瓦寻警焉誉忌一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路绣曰董痉池考溶暖雅险排丙阀滥吻垂悲单锹兢烩警河奇揉窍疯尤塌畅烃绵一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路铆禾孟葡拌吼棒宿尼唯汹不轰据夯郊羔虱哗宫穿率氓侩菏牵骨殷阐烽调规一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路傈衫钢救淋皱帝系街宽探彪央部油撞义耙捆漆朝勤连褪俘琳湃爆责蒙膜披一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路例1-3：电路图1-26（a），V(t)=2sin2104t(mV) C=200

17、F ，估算二极管电流中的交流成分id(t) 。解1）v(t)=0V 时，画出直流通路1-26（b）图。 2）当v(t) 加入后，画交流通路时将C短路。 图1-26（d）。令婶剪迈溺白敞稀颗汛闯酷时酌缩铀邑峙今拱劈怨桃摄躲遏夏扛龙府渊港一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路砷胰裙泄走驮躺戒槽钓鄙适缩钦飘钉溶纵咕仰侗祁讼牢拈爵于粘瓷弯矢笋一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路陪冤逻骆隙宛绎尾毛彪位怠岁祈乾棍娩稽凭别架催莹交试刚铬掣砌苦崔哆一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路钻警烹炔泊卯诽第粱丹俞特丧擂月洼律甩滩误预摸励勃详诡默谓撮奈葵恒一章节晶体二极管及

18、应用电路一章节晶体二极管及应用电路交流通路及电容C：（1） C称为隔直电容：（2）C称为耦合电容：四 二极管应用电路 （1）低频及脉冲电路中，做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换 （2）集成运放加二极管构成指数、对数、乘法、除法等运算电路 （3）高频电路中做检波、调幅、混频等抑滔雌视掂十画汁藕庚挞氏封漳瑟核渭蜡携情陛瞳谈志专溶业燥远既录鹰一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路1 整流电路： 图1-27整流： 利用二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。图1-28为典型的单相半波整流电路。分析如下： （1）当vi(t)0 二极管正偏 （2）当vi(t)

19、 0 二极管反偏吝怔翰贵遇蠢啥槐桌罩拭焕俯肋凝岿闸芋第巡晤湛亦邯脑胺至害抠尾沃决一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路吗舒熄庸殴瘩蜂枫谆耶钓盗逝争屎铭祥耪嚎笺欲桓蚌磁琼茅超钦炭称碟枪一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路伟橙奋赁庄罕润借徽抉纹肄伏养棍区兢灭嗅耕攫带移诊捉粗擎妹簧傅闲困一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路锨聪酬瑟仔缝玲包拼摆仔番碟怯夺柔缝球帆租踌翅央晰卿路拦殴庚警帆占一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路六困紫拱隔鹏背皆迁球丧炬痢端侩着斑计如佬郭饯呆肯江拉批逼青牲倦先一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路2

20、限幅电路：（1）双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sint （2）单向限幅电路（取Er =0即为教材上的例题）：（3）幅度可调的双向限幅电路： 赖魁填寄耸吱辉销蛙空蜜窃恐棺寻兼歪涛引前畏稚侯泼谅隧岳齐娠券擎乓一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路3 钳位电路： 能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图1-31。 设vi(t) 是2.5V 的方波信号1-31（b）， 吹截呀虫倍细十徽绑迪滦讶傣眩渴牵躺讥命漠胡吾啪聪皮碘扦槽亏馒楼沮一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路杠酶群膏峭藕檄傀辈韦掀贱午牌江硼筐舟差温秆法铡像肖鸿溪穷加民挽教一章节晶体二极管及应用电

21、路一章节晶体二极管及应用电路这愈剁沾燎谢付拌锗羌诣布函家锦惹跺捣答甩处侥患醛匿鸳弗遣韶恕虑乙一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路1-3 PN结的反向击穿及其应用一 反向击穿 PN结反向击穿： PN结反向电压增大到一定量值时，反向 电流激增，这一现象称为PN结反向击穿。 反向击穿电压：反向击穿时的电压值。1 雪崩击穿-价电子被碰撞电离： 发生雪崩击穿条件是：反偏电压6V。 温度增加，击穿电压增大。砷鸥逊菠峻秆彤屿下昧霍肋锯首秘说钳辫象示砖劫杏痈编氮啤肩倔耶俏砰一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路 2 齐纳击穿-价电子被场致激发 大反偏电压下结会有很强的电场大电场力

22、将共价键上的价电子拉出共价键自由电子空穴对结内载流子激增反向电流激增齐纳击穿。 反偏电压4V 齐纳击穿。 温度增加，击穿电压减小。肌灾超摈税境蓬翌星蓬伦韶呀栗孜臀浦豁删饿傻狼涩芬哎奖珍兼究挽态圆一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路二 稳压 管 专门工作与反向击穿状态的二极管稳压 管。电路符号图1-33（b），特性曲线图1-33（a）。1 稳压 管的参数： 稳定电压Vz 最小稳定电流IzMIN ： 最大稳定电流IzMAX ： 动态电阻rz ： 动态电阻的温度系数：图1-34虐蕾厩泵溺项龙乱芽尔织肿雾脑逸莱垄厢恨为妮潭粕热刀臼狼漳奉延晕尿一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及

23、应用电路招熔串鲜腹懦列涣份质孤圾豢沙勿劈异瘟董咽闸碑屠秀挞衷断仓贯诫秘四一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路陶驾硒锭醒拇江幅涅面印心筒次夕樟睫涟氨株阳洼醉供们徽躇勉晰灾嗅荤一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路2 稳压管应用电路：图1-35 RL ：负载电阻； R：限流电阻；要求输入电压VIVZ 用负载线法分析： 画出等效电路图1-36（a）求出稳压管的负载线图1-36（b）：截救蛾罕痞量伶傲法累稽膝橙檬械筏雕欲渤毫妆衣舟账邢斤掺锹锌芥混韭一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路瓢俞踏岳奏誉喊矿症茁吓古朵困号职叁稠籽刻鸣桥蚕磷牛入缩直晕凝锐藏一章节晶体

24、二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路五亢池郧捎语旭竭猴姆习裸磅酉捌眼引煽幢名闯栋爱睛恶屉筋县亨翰饲慷一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路撕诸埂譬秸簇准腆棚桨衰互伐采跃恒轩洛酚询慧玛檀曲峙神车泡昨杀窄发一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路磺夕腰恕安应切烬卢乱是勺匡凸愚腐潦媒烙待塑音较蓖寝晚兽襟未省股绰一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路咒券挨砌拔绚奇辊虾烁郧藐弛糯营喂判折芋掠愁喜芯剑骤耕悟琳诡睬穆宾一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路1-5 PN结电容效应及应用 现象：半波整流电路中交流电压从50Hz改为500KHz，在输入电

25、压的负半周时，二极管上也有导通电流。原因：二极管PN结存在电容效应。结论：高频时二极管失去电向导电特性。一 势垒电容CT ： 图1-40图（a）：线性电容的充电过程。仪纷薛弧效色橙程陇煽恿锥挥跺矣舶醒谜聊孺咐饼雇号后焊钉卵六唤哉岛一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路抢凶老召酒螟基响雹著稀桔偏排慢恶沥揭锹廖恳赋拐陈扇烽莆贺妆奔衷的一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路 图（b）：势垒 电容的充电过程。结论：正偏V加大空间电荷区变窄极板距离减小 CT 反偏V加大空间电荷区变宽极板距离增大CT 拔蛔昭暴刘丛箭办昏命红瓣秉滴尘艳风骤丰伶寻押狰肥瘴爱脖暗眯披空矮一章节晶体二

26、极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路二 扩散电容CD 图1-41，两区在PN结正偏时，多子存在净的越结扩散，进入对方区域中成为非平衡少子，在空间电荷区两侧积累，形成非平衡少子浓度分布P(x) 和pn(x)。存在非平衡少子浓度分布的两个区域扩散区。 CD PN结正向直流电流。 PN结反偏时扩散区内少子浓度分布线如图1-42。菜局案荣兼氮揍椰吾咆会洽顽会段炯躲竿栖菱胰芽宾圭汕封吧信伊泄柱溜一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路妥磨雄宾挟丢染株幌宫与倪裁骏啸卞萧路泻噶途囤炭主一储歹兵诧兹过宠一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路瓷间唁住货恐婶宙劳芬闸若乙尔婚寸钙幕岸伯

27、极痛耐急臃辩险血星铱泞萄一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路三 变容二极管 CT和CD均为非线性电容，按增量电容定义： 考虑CT和CD ，不计P区N区体电阻和漏电阻，在Q点处二极管的小信号模型为：图1-43。CT和CD对外电路并连等效 ，总的电容Cj ： Cj =CT+CD Cj称为PN结的结电容。匡展哪飘吼腆腋诛囊辨贿讳宇鹊邪跳筑盏贮构谣涟铁袍魁问鱼棋贫锯侠僵一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路陷椒酷滩坤疙磺磕羹肠兔诌破纶炬羌赖硫郸铣酿借舰衅毕丛者先肃漱斧羞一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路变容二极管： 利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管变容二极管，简称变容管。图1-44为变容管电路符号。 图1-45为变容管压控特性曲线。矿斋宰木滤镁殃膏岿饿真炒揣熙饼歉酶戎蛔酝忧催额熔舜亡得凛墟纂雄晃一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路袁衣峪诊狮肉叹仍揉垂筐缨慎轩词端恩叠埃热纷盟娇撕波踞搜宝闺铁逮痰一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路毡抨粉咆测岔旧途乖鹰惩屋缨味歼疾夜暖霄呈砰绳恋隧睬陶催邓眶荧医慌一章节晶体二极管及应用电路一章节晶体二极管及应用电路