《第2章理想开关和半导体开关》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第2章理想开关和半导体开关（31页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、赵春柳第第2章章 理想开关和半导体开关理想开关和半导体开关理想开关理想开关1.开关处于关断状态时流过的漏电流为零开关处于关断状态时流过的漏电流为零2.开关处于导通时开关的电压降为零开关处于导通时开关的电压降为零3.开关的关断状态和导通状态的切换时间为零开关的关断状态和导通状态的切换时间为零理想开关和半导体开关理想开关和半导体开关理想开关半导体开关开关导通时间电压降为零存在正向压降开关关断时间完全关断存在漏电流开关动作时间无需要一定时间2.1 用开关来进行电能变换用开关来进行电能变换1.理想开关进行电能变换，其开关器件没有能量损耗，半导体开关器件存在能量损耗；2.用开关来进行电能变换的控制方式有
2、移相控制和PWM控制；3.电能变换后一半采用LC低通滤波器来滤除高频成分；在采用PWM控制方式中，LC滤波器在设计时使其谐振频率为开关器件的开关频率的十分之一左右。2.2 电力半导体器件的分类电力半导体器件的分类u按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：n1）半控型器件）半控型器件通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断l晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件l器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定u2）全控型器件）全控型器件通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件n绝缘栅双极晶体管（IGBT）n电力场效应晶体管（PowerMOSFET，简称为电力
3、MOSFET）n门极可关断晶闸管（GTO）u3）不可控器件）不可控器件不能用控制信号来控制其通断，因此也就不需要驱动电路n电力二极管n只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电流决定的u按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类：n1）电流驱动型）电流驱动型通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制n2）电压驱动型）电压驱动型仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制n电压驱动型器件实际上是通过加在控制端上的电压在器件的两个主电路端子之间产生可控的电场来改变流过器件的电流大小和通断状态，所以又称为场控器件(FieldContr
4、olledDevice)，或场效应器件u按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：n1）单极型器件）单极型器件由一种载流子参与导电的器件n2）双极型器件）双极型器件由电子和空穴两种载流子参与导电的器件n3）复合型器件）复合型器件由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件2.3 电力二极管电力二极管AKAKa)IKAPNJb)c) 电力二极管的外形、结构和电气图形符号电力二极管的外形、结构和电气图形符号 电力二极管的伏安特性电力二极管的伏安特性2.4 晶闸管晶闸管u晶闸管晶闸管：晶体闸流管，可控硅整流器（SCR）n1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管n1957年美国通用电气公司开发
5、出第一只晶闸管产品n1958年商业化n开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代n20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代n能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位u晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型普通晶闸管广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件u外形有螺栓型和平板型两种封装u引出阳极A、阴极K和门极控制端）G三个联接端u对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便u平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间晶闸管的外形、结构和电气图形符号a)外形b)结构c)电气图形符号u其他几种可能导通的情况其他几种可能导通的情况：n阳极电压
6、升高至相当高的数值造成雪崩效应n阳极电压上升率du/dt过高n结温较高n光直接照射硅片，即光触发光触发n光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中之外，其它都因不易控制而难以应用于实践，称为光光控晶闸管控晶闸管（LTT）u只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段可靠的控制手段u静态特性静态特性n承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通n承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通n晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用n要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下u晶闸管的
7、阳晶闸管的阳极伏安特性极伏安特性u第I象限的是正向特性u第III象限的是反向特性晶闸管阳极伏安特性IG2IG1IGuIG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。这种开通叫“硬开通”，一般不允许硬开通。u随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低u导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿u晶闸管本身的压降很小，在1V左右u动态特性动态特性uu图1-9晶闸管的开通和关断过程波形2.5 电力晶体管电力晶体管uGTR的结构和工作原理的结构和工作原理n与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的n主要特性是耐压高
8、、电流大、开关特性好n通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构n采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成n共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区n在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区n在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区 共发射极接法时共发射极接法时GTR的输出特性的输出特性2.6 电力电力MOSFETu也分为结型结型和绝缘栅型绝缘栅型（类似小功率FieldEffectTransistorFET）u但通常主要指绝缘栅型绝缘栅型中的MOS型型（MetalOxideSemiconductorFET）u简称电力电力MOSFET（Pow
9、erMOSFET）u结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（StaticInductionTransistorSIT）u特点特点用栅极电压来控制漏极电流n驱动电路简单，需要的驱动功率小n开关速度快，工作频率高n热稳定性优于GTRn电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置u电力电力MOSFET的种类的种类n按导电沟道可分为P沟道沟道 和N沟道沟道n耗尽型耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道n增强型增强型对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道n电力MOSFET主要是N沟道增强型沟道增强型uMOSFET的开关速度的开关速度nMOSFET的开
10、关速度和Cin充放电有很大关系n使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度nMOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速n开关时间在10100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的n场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 P-MOSFET通态导电时的等效电通态导电时的等效电阻具有正温度系数，电流具有负温度系阻具有正温度系数，电流具有负温度系数（即温度升高时等效电阻加大，电流数（即温度升高时等效电阻加大，电流减小），因此结温升高，其
11、等效电阻变减小），因此结温升高，其等效电阻变大，电流变小，不易产生内部局部热点，大，电流变小，不易产生内部局部热点，这一特点还使多个器件并联工作时能自这一特点还使多个器件并联工作时能自动调节、均匀负载电流。动调节、均匀负载电流。2.7 IGBTuGTR和和GTO的特点的特点双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂uMOSFET的优点的优点单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单u两类器件取长补短结合而成的复合器件Bi-MOS器件u绝缘栅双极晶体管（绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bip
12、olar u Transistor IGBT或或IGT）uGTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性u1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场,中小功率电力电子设备的主导器件u继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位nIGBT是三端器件：栅极G、集电极C和发射极EIGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号2.9 缓冲电路缓冲电路u缓冲电路缓冲电路（吸收电路）：吸收电路）：抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗n关断缓冲电路（du/dt抑制电路）吸收器件的关断过电压和换相
13、过电压，抑制du/dt，减小关断损耗n开通缓冲电路（di/dt抑制电路）抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗n将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起复合缓冲电路n其他分类法：耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路（无损吸收电路）n通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路b)波形u缓冲电路作用分析缓冲电路作用分析u无缓冲电路：uV开通时电流迅速上升，di/dt很大u关断时du/dt很大，并出现很高的过电压u有缓冲电路uV开通时：Cs通过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢uV关断时：负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压
