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1、螺栓型普通整流二极管螺栓型普通整流二极管第第8 8章章 半导体器件半导体器件二极管二极管平板型普通整流二极管平板型普通整流二极管第第8 8章章 半导体器件半导体器件发光二极管发光二极管第第8 8章章 半导体器件半导体器件数码管数码管第第8 8章章 半导体器件半导体器件三极管三极管普通三极管普通三极管各各式式三三极极管管第第8 8章章 半导体器件半导体器件晶闸管（可控硅）晶闸管（可控硅）第第8 8章章 半导体器件半导体器件集成电路集成电路本章内容本章内容8.3 8.3 特殊二极管特殊二极管1111. .1 1 直流直流稳压稳压电源的组成电源的组成8.2 8.2 半导体二极管半导体二极管8.1 8
2、.1 半导体的基础知识半导体的基础知识1111.4 .4 稳压稳压电路电路1111. .3 3 滤波电路滤波电路1111. .2 2 整流电路整流电路本章本章要求要求三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。一、理解一、理解PN结的单向导电性结的单向导电性。二、了解二极管、稳压管和三端稳压源的基本二、了解二极管、稳压管和三端稳压源的基本 构造、工作原理和特性曲线，理解主要参构造、工作原理和特性曲线，理解主要参 数的意义；数的意义；四四、掌握整流掌握整流电路电路的作用、组成、工作原理和的作用、组成、工作原理和 分析方法分析方法。五五、掌握滤波电路的作用、组成、工作原理掌握滤波电路的
3、作用、组成、工作原理。六六、掌握三端稳压集成电路的应用掌握三端稳压集成电路的应用。8.0 半导体器件概述半导体器件概述学会用工程观点分析问题学会用工程观点分析问题学会用工程观点分析问题学会用工程观点分析问题：就是根据实际情况，对就是根据实际情况，对就是根据实际情况，对就是根据实际情况，对 器件的数学模型和电路的工作条件进行器件的数学模型和电路的工作条件进行器件的数学模型和电路的工作条件进行器件的数学模型和电路的工作条件进行 合理的近似，以便用简便的分析方法获合理的近似，以便用简便的分析方法获合理的近似，以便用简便的分析方法获合理的近似，以便用简便的分析方法获 得具有实际意义的结果。得具有实际意
4、义的结果。得具有实际意义的结果。得具有实际意义的结果。电路电路电路电路的的的的分析计算分析计算分析计算分析计算：分析计算时分析计算时分析计算时分析计算时只要能满足技术指标只要能满足技术指标只要能满足技术指标只要能满足技术指标 ，就不要过分追究精确的数值。，就不要过分追究精确的数值。，就不要过分追究精确的数值。，就不要过分追究精确的数值。 学习电子技术的方法学习电子技术的方法学习重点：学习重点：学习重点：学习重点：了解了解了解了解元器件元器件元器件元器件的的的的特性、参数、技术指标和特性、参数、技术指标和特性、参数、技术指标和特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不追究其内部机理。正确使用方法，
5、不追究其内部机理。正确使用方法，不追究其内部机理。正确使用方法，不追究其内部机理。8.0 半导体器件概述半导体器件概述 半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：( ( ( (可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻) ) ) )。3 3 3 3、掺杂性、掺杂性、掺杂性、掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些微量杂质，往纯净的半导体中掺入某些微量杂质，往纯净的半导体中掺入某些微量杂质，往纯净的半导体中掺入某些微量杂质， 半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性明显增强
6、。明显增强。明显增强。明显增强。 2 2、光敏性：、光敏性：、光敏性：、光敏性：当受到光照激发时，导电能力明显增强。当受到光照激发时，导电能力明显增强。当受到光照激发时，导电能力明显增强。当受到光照激发时，导电能力明显增强。 1 1、热敏性：、热敏性：、热敏性：、热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。 ( (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等敏二极管、光敏三极
7、管等敏二极管、光敏三极管等敏二极管、光敏三极管等) )。( (可做成各种不同用途的半导体器件，可做成各种不同用途的半导体器件，可做成各种不同用途的半导体器件，可做成各种不同用途的半导体器件， 如二极管、三极管和晶闸管等）。如二极管、三极管和晶闸管等）。如二极管、三极管和晶闸管等）。如二极管、三极管和晶闸管等）。8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识一、一、 本征半导体本征半导体 半导体具有晶体结构。半导体具有晶体结构。半导体具有晶体结构。半导体具有晶体结构。晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健
8、结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子价电子价电子。价电子价电子 完全纯净的半导体，称为本征半导体。完全纯净的半导体，称为本征半导体。完全纯净的半导体，称为本征半导体。完全纯净的半导体，称为本征半导体。SiSiSiSiSiSiSiSi8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识一、一、本征半导体本征半导体 本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。空穴空穴 温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产温
9、度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。自由电子自由电子价电子在温升或受光照价电子在温升或受光照价电子在温升或受光照价电子在温升或受光照后获得一定能量，即可后获得一定能量，即可后获得一定能量，即可后获得一定能量，即可挣脱原子核的束缚，成挣脱原子核的束缚，成挣脱原子核的束缚，成挣脱原子核的束缚，成为为为为自由电子自由电子自由电子自由电子( ( ( (带负电带负电带负电带负电) ,) ,) ,) ,同时共价键中留下一个同时共价键中留下一个同时共价键中留下一个同时共价键中留下一个空位空位空位空位, , , ,称为称为称为称为空穴空穴空穴空穴(
10、( ( (带正电带正电带正电带正电) ) ) )。8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识一、一、本征半导体本征半导体 本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理SiSiSiSi在外电场在外电场在外电场在外电场的作用下的作用下的作用下的作用下，空穴吸，空穴吸，空穴吸，空穴吸引相邻的引相邻的引相邻的引相邻的价电子来价电子来价电子来价电子来补充。补充。补充。补充。又产生一又产生一个新空个新空穴穴相当与空穴相当与空穴相当与空穴相当与空穴移动，也就移动，也就移动，也就移动，也就是正电荷运是正电荷运是正电荷运是正电荷运动。动。动。动。8.1 半导体的基本知识半导体的
11、基本知识一、一、本征半导体本征半导体 本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理自由电子和空穴成对的产生自由电子和空穴成对的产生自由电子和空穴成对的产生自由电子和空穴成对的产生, ,同时又不断的复合同时又不断的复合同时又不断的复合同时又不断的复合, ,在一定的温度下达到动态平衡。在一定的温度下达到动态平衡。在一定的温度下达到动态平衡。在一定的温度下达到动态平衡。在半导体上外在半导体上外在半导体上外在半导体上外加加加加电压时，将出现两部分电流电压时，将出现两部分电流电压时，将出现两部分电流电压时，将出现两部分电流: : : : 自由电子作定向运动自由电子作定
12、向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动 电子电流电子电流电子电流电子电流 价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴 空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为空穴都称为空穴都称为空穴都称为载流子。载流子。载流子。载流子。8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识二、二、N N型半导体型半导体 掺杂后自由电子数掺杂后自由电子数掺杂后自由电子数掺杂后自由电子数目大量增加，自由电目大量增加，自由电目大量增加，自由电目大量增加，自由电子导电成为这种半导子导电成为这种半导子导电成为这种半导子导电成为这种半导体的主要导电方式，体的主要导电方式，体的
13、主要导电方式，体的主要导电方式，称为电子半导体或称为电子半导体或称为电子半导体或称为电子半导体或N N型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素多余多余电子电子磷原子磷原子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质在本征半导体中掺入微量的杂质在本征半导体中掺入微量的杂质在本征半导体中掺入微量的杂质, ,形成杂质半导体。形成杂质半导体。形成杂质半导体。形成杂质半导体。动画动画在在在在N N N N型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中, , , ,自由自由自
14、由自由 电子是多数载流子，电子是多数载流子，电子是多数载流子，电子是多数载流子， 空穴是少数载流子。空穴是少数载流子。空穴是少数载流子。空穴是少数载流子。SiSiSiSiP+SiSiSiSi8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识三、三、P P 型半导体型半导体 掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或 P P P P型半导体
15、。型半导体。型半导体。型半导体。掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素B硼原子硼原子接受一个电子接受一个电子接受一个电子接受一个电子变为负离子变为负离子变为负离子变为负离子空空穴穴动画动画无论无论无论无论N N型或型或型或型或P P型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。在在在在P P P P 型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中空穴是空穴是空穴是空穴是多数载流子，自由电子多数载流子，自由电子多数载流子，自由电子多数载流子，自由电子是少数载流子。是少数载流子。是少数载流子。是少数载流子
16、。扩散形成空间电荷区，且扩散形成空间电荷区，且使使空间电荷区变宽。空间电荷区变宽。8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识四四、PNPN结结多多子扩子扩散运动散运动内电场内电场少少子漂子漂移运动移运动载流子浓载流子浓度差度差P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体1 1 1 1、PNPNPNPN结的形成结的形成结的形成结的形成+8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识四四、PNPN结结多多子扩子扩散运动散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动内电场越强，漂移内电场越强，漂移内电场越强，漂移内电场越强，漂移运动越强，而漂移运动越强，而漂移运动越强，而
17、漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。使空间电荷区变薄。使空间电荷区变薄。使空间电荷区变薄。 扩散和漂移扩散和漂移扩散和漂移扩散和漂移这一对相反的这一对相反的这一对相反的这一对相反的运动最终达到运动最终达到运动最终达到运动最终达到动态平衡，空动态平衡，空动态平衡，空动态平衡，空间电荷区的厚间电荷区的厚间电荷区的厚间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。度固定不变。度固定不变。动画动画空间电荷空间电荷区也区也称称 PN PN 结结1 1 1 1、PNPNPNPN结的形成结的形成结的形成结的形成+P P 型型型型N N 型型型型2 2 2 2、PNPNPNPN结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性
18、结的单向导电性PN PN PN PN 结加正向电压（正向偏置）结加正向电压（正向偏置）结加正向电压（正向偏置）结加正向电压（正向偏置）PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF 内外电场内外电场内外电场内外电场方向相反，方向相反，方向相反，方向相反，相互削弱。相互削弱。相互削弱。相互削弱。 PN PN PN PN 结加正结加正结加正结加正向向向向电压但电电压但电电压但电电压但电压值小于内压值小于内压值小于内压值小于内电场时电场时电场时电场时，PNPNPNPN结变窄，正结变窄，正结变窄，正结变窄，正向电流向电流向电流向电流较小。较小。较小。较小。+E E外外外外E E内内内内
19、时，时，时，时， E E总总总总仍阻止多子扩散，仍阻止多子扩散，仍阻止多子扩散，仍阻止多子扩散，I I I IF F F F很小。很小。很小。很小。8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识+P PN N内电内电场场2 2 2 2、PNPNPNPN结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性PN PN PN PN 结加正向电压（正向偏置）结加正向电压（正向偏置）结加正向电压（正向偏置）结加正向电压（正向偏置）PN 结消失结消失外电场外电场IF PN PN PN PN 结加正结加正结加正结加正向电向电向电向电压压压压但电但电但电但电压值大于内压值大于内压值大于内压值大于内电场电场电场电
20、场时时时时，PNPNPNPN结消失，结消失，结消失，结消失，正正正正向电流较大，向电流较大，向电流较大，向电流较大，正向电阻较正向电阻较正向电阻较正向电阻较小，小，小，小，PNPNPNPN结导结导结导结导通。通。通。通。动画动画+E E外外外外 E E外外外外时，时，时，时，PNPNPNPN结消失。结消失。结消失。结消失。 E E总总总总加速多子扩散，加速多子扩散，加速多子扩散，加速多子扩散，I I I IF F F F很大。很大。很大。很大。8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识+P PN N内电内电场场PN PN PN PN 结变宽结变宽结变宽结变宽PN PN PN PN 结加反向电压（
21、反向偏置）结加反向电压（反向偏置）结加反向电压（反向偏置）结加反向电压（反向偏置）外电场外电场外电场外电场由于少子数由于少子数量很少，形量很少，形成很小的反成很小的反向电流。向电流。IR P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 动画动画+ PN PN PN PN 结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，PNPNPNPN结变宽，反向电流结变宽，反向电流结变宽，反向电流结变宽，反向电流较小较小较小较小, , , ,反反反反向电阻较大，向电阻较大，向电阻较大，向电阻较大，PNPNPNPN结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。 内外电内外
22、电内外电内外电场场场场相相相相互增强。互增强。互增强。互增强。更阻止多子更阻止多子更阻止多子更阻止多子扩散。增强扩散。增强扩散。增强扩散。增强少子的漂移少子的漂移少子的漂移少子的漂移8.1 半导体的基本知识半导体的基本知识+温温度度越越高高少少子子的的数数目目越越多多，反反向向电电流流将将随随温温度度的的升升高高而而增增加加。2 2 2 2、PNPNPNPN结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性一、一、基本结构基本结构点点点点接触型接触型接触型接触型 结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波结面积
23、小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。和变频等高频电路。和变频等高频电路。和变频等高频电路。8.28.2 半导体二极管半导体二极管金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N N型型锗片锗片阴极引线阴极引线外壳外壳8.28.2 半导体二极管半导体二极管一、一、基本结构基本结构面面面面接触型接触型接触型接触型 结结结结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频面积大、正向电流大、结电容大，用于工频面积大、正向电流大、结电容大，用于工频面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。大电流整流电路。大电流整流电路。大电流整流电路。铝合金小球铝合金小球N N型型硅硅阳极引线阳极引线PNPN结结
24、金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线8.28.2 半导体二极管半导体二极管一、一、基本结构基本结构平面型平面型平面型平面型 用用用用于集成电路制作工艺中。于集成电路制作工艺中。于集成电路制作工艺中。于集成电路制作工艺中。PNPN结结面积可大结结面积可大结结面积可大结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。可小，用于高频整流和开关电路中。可小，用于高频整流和开关电路中。可小，用于高频整流和开关电路中。阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P P型型硅硅N N型型硅硅符号符号符号符号阴极阴极阳极阳极D DPN+-阳极阳极阴极阴极8.28.2 半导体二极管半导体二极管二、
25、二极管的伏安特性二、二极管的伏安特性硅管硅管硅管硅管0.5V0.5V0.5V0.5V锗管锗管锗管锗管0 0 0 0.1V.1V.1V.1V反向击穿反向击穿电压电压U(BR)导通压降导通压降导通压降导通压降 外加电压大于死区电外加电压大于死区电外加电压大于死区电外加电压大于死区电压二极管才能导通。压二极管才能导通。压二极管才能导通。压二极管才能导通。 外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。正向特性正向特性正向特性正向特性
26、反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性硅硅硅硅0 0 0 0.60.8V.60.8V锗锗锗锗0 0.2.20.3V0.3VUI死区电压死区电压死区电压死区电压PN+PN+反向电流在一定电反向电流在一定电反向电流在一定电反向电流在一定电压范围内保持常数。压范围内保持常数。压范围内保持常数。压范围内保持常数。8.28.2 半导体二极管半导体二极管1. 1. 最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流 I IOMOM2. 2. 反向工作峰值电压反向工作峰值电压反向工作峰值电压反向工作峰值电压U URWMRWM3. 3. 反向峰值电流反向峰值电流反向峰值电流反向峰值电流
27、I IRMRM指二极管加最高反向工作电压时的指二极管加最高反向工作电压时的指二极管加最高反向工作电压时的指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流。反向电流。反向电流。反向电流反向电流反向电流反向电流大，说明管子的单向大，说明管子的单向大，说明管子的单向大，说明管子的单向导电性差。导电性差。导电性差。导电性差。I IRMRM受温度的影响，温度越高反向电流越受温度的影响，温度越高反向电流越受温度的影响，温度越高反向电流越受温度的影响，温度越高反向电流越大。大。大。大。 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正二
28、极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。向平均电流。向平均电流。向平均电流。 反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压U UBRBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。破坏，甚至过热而烧坏。破坏，甚至过热而烧坏。破坏，甚至过热而烧坏。三、三、主要参数主要参数 二极管电路分析举例二极管电路分析举例二极管电路分析举例二极管电路
29、分析举例 定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止否则，正向管压降否则，正向管压降否则，正向管压降否则，正向管压降硅硅硅硅0 0 0 0.60.7V.60.7V锗锗锗锗0 0.2.20.3V0.3V 分析方法：分析方法：分析方法：分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位将二极管断开，分析二极管两端电位将二极管断开，分析二极管两端电位将二极管断开，分析二极管两端电位 的的的的高低或所加电压高低或所加电压高低或所加电压高低或所加电压U UD D的正负。的正负。的正负。的正负。若若若若 V V阳阳阳阳 VV阴阴阴阴或或或或 U UD D为正为正为正为正( ( 正
30、向偏置正向偏置正向偏置正向偏置 ) )，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通若若若若 V V阳阳阳阳 VVV阴阴阴阴 二极管导通二极管导通二极管导通二极管导通例例1：解解：取取取取 B B 点为参考点。点为参考点。点为参考点。点为参考点。D6V12V3k BAUAB+8.28.2 半导体二极管半导体二极管断开二极管，分析断开二极管，分析断开二极管，分析断开二极管，分析二极管阳极和阴极二极管阳极和阴极二极管阳极和阴极二极管阳极和阴极的电位。的电位。的电位。的电位。若忽略二极管管压降若忽略二极管管压降若忽略二极管管压降若忽略二极管管压降：U UABAB = = 6V 6V否则，否则，否则
31、，否则， U UAB AB = =6.36.3（锗管）（锗管）（锗管）（锗管）或或或或6.7V6.7V（硅管）（硅管）（硅管）（硅管）二极二极二极二极管起管起管起管起钳位钳位钳位钳位作用作用作用作用u ui i 8V 8V，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路 u uo o = 8V = 8V u ui i 8V VVb b3.3.3.3.工工工工作波形作波形作波形作波形u 负半周，负半周，VaVVb b3. 3. 工作波形工作波形工作波形工作波形uD2uD41. 1. 电路结构电路结构电路结构电路结构uD t t动画动画u11.211
32、.2 整流电路整流电路D D1 1、 D D3 3 导通，导通，导通，导通， D D2 2、 D D4 4 截止截止截止截止 。RLu1234ab+ iouo+ 2.2.2.2.工工工工作原理作原理作原理作原理 u u 负半周，负半周，负半周，负半周，V Va aVuC时，时，D导通，导通，电源在给负载电源在给负载RL供电的同时也供电的同时也 给电容充电，给电容充电， uC 增加，增加，uo= uC 。 u u I IOMOM时，时，时，时，U UR R较大，较大，较大，较大，T T导通导通导通导通 ，I IOO= =I IOM OM + I+ IC C11.4 11.4 稳压电源稳压电源5.
33、 5. 三端固定输出集成稳压器的应用三端固定输出集成稳压器的应用三端固定输出集成稳压器的应用三端固定输出集成稳压器的应用CO78XX78XXCiUI+_+_UO1 12 23 3RURICI2IOT+ R可由可由T的的UBE和稳压器的和稳压器的IOM确定确定, 即即R UBE/IOM 。6. 6. 三端可调输出集成稳压器的应用三端可调输出集成稳压器的应用三端可调输出集成稳压器的应用三端可调输出集成稳压器的应用流过流过调调整端整端(AdjAdj)的电的电流流 100 A，在要求不高的，在要求不高的场合它在场合它在R2上的压降上的压降可以忽略。可以忽略。11.4 11.4 稳压电源稳压电源COLM
34、317LM317CiUi+_UO3 32 21 1 AdjAdjR1R2240 1F0.1F+_C7. 7. 三端可调输三端可调输三端可调输三端可调输出负电压的集出负电压的集出负电压的集出负电压的集成稳压器的应用成稳压器的应用成稳压器的应用成稳压器的应用11.4 11.4 稳压电源稳压电源COLM337LM337CiUi- - - -+ + + +UO2 23 31 1 AdjAdjR1R2240 1F0.1F- - - -+ + + +C本章作业本章作业P23P235 5： 8.2.1 8.2.1 8.2.2 8.2.2 8.2.3 8.2.3 P P317317：11.2.1 11.3.211.2.1 11.3.2
