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1、模拟电子技术基础 第 1 章 常用半导体器件 1.1 选择合适答案填入空内。(l)在本征半导体中加入(A)元素可形成 N 型半导体，加入(C)元素可形成 P 型半导体。A.五价 B.四价 C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A)。A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12 uA 增大到 22 uA 时，IC 从 lmA 变为 2mA，那么它的 约为(C)。A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流 ID从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm将(A)。A.增大；B.不变；C.减小 1.2 电路如图 P1.2 所示
2、，已知10siniut(V)，试画出iu与ou的波形。设二极管导通电压可忽略不计。图 P1.2 解图 P1.2 解：iu与ou的波形如解图 Pl.2 所示。1.3 电路如图 P1.3 所示，已知tuisin5(V)，二极管导通电压 UD=0.7V。试画出iu与ou的波形图，并标出幅值。图 P1.3 解图 P1.3 1.4 电路如图 P1.4 所示,二极管导通电压 UD=0.7V,常温下mVUT26，电容 C 对交流信号可视为短路；iu为正弦波，有效值为 10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？2 解：二极管的直流电流 ()/2.6DDIVURmA 其动态电阻:/10DTDrUI 图
3、 P1.4 故动态电流的有效值：/1diDIUrmA 1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V，正向导通电压为 0.7V。试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V；14V；6.7V；8.7V。(2)并联相接可得 2 种：0.7V；6V。1.6 已知图 Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6ZUV，最小稳定电流 min5ZImA，最大稳定电流max25ZImA。(1)分别计算IU为 10V、15V、35V 三种情况下输出电压OU的值；(2)若35IUV时负载开路，则会出
4、现什么现象？为什么？解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为 6V。VUI10时，VURRRUILLO3.3；VUI15时，5LOILRUUVRR；VUI35时，11.7LOIZLRUUVURR，VUUZO6。(2)当负载开路时，mAImARUUIZZIZ2529max，故稳压管将被烧毁。1.7 在图 Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 UD=1.5V，正向电流在 515mA 时才能正常工作。试问：(1)开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？(2)R 的取值范围是多少？3 解：(1)S 闭合。(2)R 的范围为:minmax()/233DDRVUI maxm
5、in()/700DDRVUI 图 P1.7 1.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图 P1.8 所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数。(a)(b)(a)(b)图 Pl.8 解图 Pl.8 解：答案如解图 Pl.8 所示。放大倍数分别为1/10100amAA和5/10050bmAA 1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图 P1.9 所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。图 P1.9 解:如解图 1.9。4 解图 1.9 1.10 电路如图 P1.10 所示，晶体管导通时0.7BEUV，=50。试分析BBV为 0V、
6、1V、3V三种情况下 T 的工作状态及输出电压Ou的值。解：(1)当0BBV时，T 截止，12OuV。(2)当1BBVV时，因为 60BBBEQBQbVUIAR 3CQBQIImA 9OCCCQcuVIRV 图 P1.10 所以 T 处于放大状态。(3)当3BBVV时，因为460BBBEQBQbVUIAR，2311.3CCCESCQBQCScVUIImAImAR，所以 T 处于饱和状态。1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的=50,0.2BEUV，饱和管压降0.1CESUV；稳压管的稳定电压5ZUV,正向导通电压0.5DUV。试问：当0IuV时Ou？；当5IuV 时Ou？解：当0IuV
7、时，晶体管截止，稳压管击穿，5OZuUV 。5 当5IuV 时，晶体管饱和，0.1OuV。因为：图 P1.11 480IBEBbuUIAR，24CBIImA，0ECCCCcUVIR 1.12 分别判断图 Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。(a)(b)(c)(d)(e)图 P1.12 解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。1.13 已知放大电路中一只 N 沟道场效应管三个极、的电位分别为 4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型），并说明、与 G、S、D 的对应
8、关系。解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极、与 G、S、D 的对应关系如解图 Pl.13 所示。6 解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。图 Pl.14 (a)(b)解图 Pl.14 解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14(a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及GSu值，建立()DGSif u坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14(b)所示。1.15 电路如图 P1.15 所示，T 的输出特性如图 Pl.14 所示,分析当Iu=4V、8V、12V 三种情况下场效应管分
9、别工作在什么区域。解：根据图 P1.14 所示 T 的输出特性可知，其开启电压为 5V，根据图 Pl.15 所示电路可知GSIuu。当Iu=4V 时，GSu小于开启电压，故 T 截止。当Iu=8V 时，设 T 工作在恒流区，根据输出 特性可知0.6DimA，管压降10DSDDDduVi RV，7 因此，2GDGSDSuuuV，小于开启电压，说明假设成立，即 T 工作在恒流区。图 Pl.15 当Iu=12V 时，由于12DDVV，必然使 T 工作在可变电阻区。l.16 分别判断图 Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。(a)(b)(c)(d)图 P1.16 解：(a)可能,(
10、b)不能,(c)不能,(d)可能。补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压3ZUV,R 的取值合适，Iu的波形如图(c)所示。试分别画出1Ou和2Ou的波形。(a)(b)(c)补图 P1 解：波形如下图所示 8 补充 2.在温度 20oC 时某晶体管的2,CBOIA试问温度是 60oC 时的CBOI？解:44602022232CBOCBOIIA。补充 3.有两只晶体管，一只的=200,200CEOIA；另一只的=100,10CEOIA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用=100,10CEOIA的管子，因其 适中,CEOI较小，因而温度稳定性较另一只管
11、子好。补充 4.电路如补图 P4 所示，试问 大于多少时晶体管饱和？解：取CESBEUU，若管子饱和，则CCBECCBEbcVUVURR,即bcRR 所以,100bcRR时,管子饱和。补图 P4 9 第 2 章 基本放大电路 习题 2.1 分别改正图 P2.1 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。(a)(b)(c)(d)图 P2.1 解：(a)将-VCC改为+VCC。(b)在+VCC与基极之间加 Rb。(c)将 VBB反接，且在输入端串联一个电阻。(d)在 VBB支路加 Rb，在-VCC与集电极之间加 Rc。2.2 画出图 P2.2 所示各电路
12、的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。(a)(b)(c)(d)图 P2.2 解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。图 P2.2 所示各电路的交流通路如解图 P2.2 所示；10 (a)(b)(c)(d)解图 P2.2 2.3 分别判断图 P2.2(a)、(b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出uioQARR、和的表达式。解：图(a):123(1)CCBEQBQVUIRRR，CQBQII，(1)CEQCCBQcUVIR。23/ubeRRAr，1/ibeRrR，23/oRRR 图(b)：223123()/(1)BQCCBEQRIVURRRRR，CQBQII，41CEQ
13、CCCQEQUVIRIR。4ubeRAr，1/1beirRR，4oRR。2.4 电路如图 P2.4(a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时0.7BEQUV。利用图解法分别求出LR 和3LRk时的静态工作点和最大不失真输出电压omU（有效值）。11 (a)(b)图 P2.4 解：空载时：20,2,6BQCQCEQIA ImA UV；最大不失真输出电压峰值约为 5.3V，有效值约为 3.75V。带载时：20,2,3BQCQCEQIA ImA UV；最大不失真输出电压峰值约为 2.3V，有效值约为 1.63V。如解图 P2.4 所示。解图 P2.4 图 P2.5 2.5 在 图 P2.5 所
14、示 电 路 中,已 知 晶 体 管 的=80,ber=1k,20iUmV,静 态 时0.7BEQUV,4CEQUV,20BQIA。判断下列结论是否正确，在括号内打“”和“”表示。(1)3420020 10uA ()(2)45.710.7uA ()(3)80 54001uA ()(4)80 2.52001uA ()(5)20120iRkk ()(6)0.7350.02iRkk ()(7)3iRk ()(8)1iRk ()12 (9)5ORk()(10)2.5ORk()(11)20SUmV()(12)60SUmV()2.6 电路如图 P2.6 所示，已知晶体管=120，UBE=0.7V，饱和管压降
15、 UCES=0.5V。在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？(1)正常情况；(2)Rb1短路；(3)Rb1开路；(4)Rb2开路；(5)Rb2短路；(6)RC短路；图 P2.6 图 P2.7 解:(1)21174 16311CCBEBEBbbVUUIARR,1.32CBIImA，8.3CCCCcUVI RV。(2)Rb1短路,0BCII,15CUV。(3)Rb1开路,临界饱和基极电流23.7CCCESBScVUIAR，实际基极电流2174CCBEBbVUIAR。由于BBSII,管子饱和,VUUCESC5.0。(4)Rb2开路,无基极电流,15CCCUVV。(5)Rb2
16、短路，发射结将烧毁，CU可能为15V。13 (6)RC短路,15CCCUVV。2.7 电路如图 P2.7 所示，晶体管的=80，100bbr。分别计算LR 和3LRk时的 Q 点、uA、iR和oR。解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、ber均相等，它们分别为：22CCBEQBEQBQbsVUUIARR 1.76CQBQIImA 26(1)1.3bebbEQmVrrkI 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：6.2CEQCCCQcUVIRV；308cubeRAr /1.3ibbebeRRrrk；93beusubesrAArR 5ocRRk 3LRk时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(/)2.3LCEQCCCQcLLcRUVIRRVRR (/)115cLubeRRAr 34.7beusubesrAArR /1.3ibbebeRRrrk 5ocRRk。2.8 若将图 P2.7 所示电路中的 NPN 管换成 PNP 管，其它参数不变，则为使电路正常放大电源 14 应作如何变化？Q 点、uA、iR和oR变化吗？如变化，则如何变化？若输出电压波形底部失真，则说明电路产
