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1、材料科学基础试卷一一.图1是Na O的理想晶胞结构示意图，试回答：21晶胞分子数是多少；2结构中何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙，所占比例是多 少；3结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；4. 计算说明O2-的电价是否饱和；5. 画出Na O结构在(001 )面上的投影图。2图2是高岭石(Al O2SiO2HO)结构示意图，试回答:2 3 2 21请以结构式写法写出高岭石的化学式； 2高岭石属于哪种硅酸盐结构类型； 3分析层的构成和层的堆积方向； 4分析结构中的作用力； 5根据其结构特点推测高岭石具有什么性质。I Y*團2b 高時石的皓构隹面上的般壺圈 哪几类？2. 什么是负
2、扩散？3烧结初期的特征是什么？4.硅酸盐晶体的分类原则是什么？5. 烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移？6. 相变的含义是什么？从热力学角度来划分，相变可以分为哪几类？四. 出下列缺陷反应式：1. NaCl形成肖特基缺陷；2. AgI形成弗仑克尔缺陷（Ag+进入间隙）；3. TiO掺入到NbO中，请写出二个合理的方程，并判断可能成立的方程是22 3哪一种？再写出每个方程的固溶体的化学式。4. NaCl溶入CaCl中形成空位型固溶体2五. 表面力的存在使固体表面处于高能量状态，然而，能量愈高系统愈不稳定， 那么固体是通过何种方式降低其过剩的表面能以达到热力学稳定状态的。六粒径为1口的
3、球状Al O由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石的形成，在恒定23温度下，第一个小时有20%的Al O起了反应，计算完全反应的时间：用杨德23方程计算；用金斯特林格方程计算。七. 请分析熔体结构中负离子团的堆积方式、聚合度及对称性等与玻璃形成之关系。八. 试从结构和能量的观点解释为什么D晶界D晶内？九. 试分析二次再结晶过程对材料性能有何影响？工艺上如何防止或延缓二次再结晶的发生？十图3是A-B-C三兀系统相图，根据相图回答下列问题：1. 写出点P, R，S的成分；2设有2kgP，问需要多少何种成分的合金Z才可混熔成6kg成分为R的合金。十一.图 4 是 A-B-C 三元系统相图，根据相图回答下
4、列问题：1在图上划分副三角形、用箭头表示各条线上温度下降方向及界线的性 质；2判断化合物 D、F 的性质；3写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；4写出组成点 G 在完全平衡条件下的冷却结晶过程；5. 写出组成点H在完全平衡条件下的冷却结晶过程，写出当液相组成点试题一答案、1： 4； 2： 02-离子做面心立方密堆积，Na+填全部四面体空隙；3: CN 弘片4CN 02-=8 NaO ONa ；484： O2-电价饱和，因为02-的电价二（Na+的电价/Na+的配位数）X02的配位数;44 1082：单网层状结构；3： 层硅氧层一层水铝石层且沿C轴方向堆积；4：层内是共价键，层间是氢键
5、；5：片状微晶解理。三、1：点缺陷，线缺陷，面缺陷；2：由低浓度向高浓度的扩散；3：坯体间颗粒重排，接触处产生键合，大气孔消失，但固-气总表面积变化 不大；4：按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类；5：表面能的降低，流动传质、扩散传质、气相传质和溶解-沉淀传质； 6：随自由能的变化而发生的相的结构的变化，一级相变、二级相变和三级 相变。四、1：0fVNa z +VC1*2：AgAgAgi*+VAgzj 1. 2 05盹 2 四3： 3Ti03Ti +V +60 2Ti02Ti +0+302Nb* Nb*02Nb* i/z0Nb Ti 0可能成立Nb Ti 02-x 3x 32-2x 2x 3
6、+x4： NaClcicsaNaCaz+ClCl+VCl*五、一是通过表面质点的极化、变形、重排来降低表面能，二是通过吸附来降低表面能。1：t=195h 2：t=68h七、当O/Si由2-4时，熔体中负离子团的堆积形式由三维架状转化为孤立的岛 状，负离子团的聚合度相应的降至最低。一般情况下，熔体中负离子团的聚合度 越高，特别是形成三维架状的空间网络时，这些大的聚合离子团位移、转动、重 排都比较困难，故质点不易调整成规则排列的晶体结构，易形成玻璃。熔体中负 离子团的对称性越好，转变成晶体越容易，则形成玻璃愈难，反之亦然。八、晶界上质点排列结构不同于内部，较晶体内疏松，原子排列混乱，存在着许 多空
7、位、位错、键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态，具有较高能量，质点在 晶界迁移所需活化能较晶内为小，扩散系数为大。九、二次再结晶出现后，由于个别晶粒异常长大，使气孔不能排除，坯体不在致 密，加之大晶粒的晶界上有应力存在，使其内部易出现隐裂纹，继续烧结时坯体 易膨胀而开裂，使烧结体的机械、电学性能下降。工艺上常采用引入适当的添加 剂，以减缓晶界的移动速度，使气孔及时沿晶界排除，从而防止或延缓二次再结 晶的发生。十、PRSZGDA2010455GDB10604585GD70301010C一、略材料科学基础试卷二、（1） （12分）根据CaTiO晶胞图（见图1）回答下列问题：31晶面BCGF、DEG的
8、晶面指数；晶向DF、HA的晶向指数。2. 结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；3晶胞分子数是多少？何种离子添何种空隙，空隙利用率是多少?4结构中是否存在TiO2-离子，为什么？3（2） （11分）图2是镁橄榄石（Mg2SiO4）结构示意图，试回答： 1镁橄榄石属于哪种硅酸盐结构类型；2. 计算说明O2-的电价是否饱和；3结构中有几种配位多而体，各配位多面体间的连接方式怎样?4镁橄榄石是否容易形成玻璃，为什么？00aTi鶴S3（=6 昨图1图2二、（10分）写出下列缺陷反应式：1. NaCl形成肖脱基缺陷。2. AgI形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间隙）3. TiO掺入到NbO中，请写出
9、二个合理的方程，写出固溶体的化学式,2 2 3并判断可能成立的方程是哪一种？三、（10分）判断下列叙述是否正确？若不正确，请改正。1. Na O-SiO系统中随SiO含量的增加，熔体的粘度将降低。2 2 22. 扩散的推动力是浓度梯度，所有扩散系统中，物质都是由高浓度处向 低浓度处扩散。3. 晶粒正常长大是小晶粒吞食大晶粒，反常长大是大晶粒吞食小晶粒。4. 固溶体是在固态条件下，一种物质以原子尺寸溶解在另一种物质中形 成的单相均匀的固体。5. 在热力学平衡条件下，二元凝聚系统最多可以3相平衡共存，它们是 一个固相、一个液相和一个气相。四、（6分）什么叫弛豫表面？ NaCl单晶表面具有什么样的结
10、构特点?五、（6分）巳知Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO中的自扩散系数与温度的关 4系分别为BT%沁_ 2.弘1 CT* c科-夯第況4 1呂几叱气肩冷1. 试求1403K时Zn2+和 Cr2+在尖晶石ZnCrO中的扩散系数。42. 将细铂丝涂在两种氧化物ZnO和CrO的分界线上，然后将这些压制23成型的样品进行扩散退火。（标记物铂丝非常细，不影响离子在不同氧化物之间 的扩散）。根据所得数据判断铂丝将向哪一方向移动？六、（6分）为什么在成核一生成机理相变中，要有一点过冷或过热才能发生相变?什么情况下需过冷，什么情况下需过热，各举一个例子。七、（6分）粒径为1口球状Al O由过量的MgO微粒
11、包围，观察尖晶石23的形成，在恒定温度下，第一个小时有20%的Al O起了反应，分别用扬德方程、23金斯特林格方程计算完全反应的时间，对计算结果进行比较并说明为什么？八、（6分）陶瓷材料中晶粒的大小与什么有关？工艺上如何控制晶粒尺寸（请列出三种途径）？ 九、（26分）图3是A-B-C二兀系统相图，根据相图回答下列问题：1. 在图上划分副三角形、用箭头表示各条界线上温度下降方向及界线的 性质；2. 判断化合物D、M的性质；3. 写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；4. 写出组成点G在完全平衡条件下的冷却结晶过程；5. 写出组成点H在完全平衡条件下进行加热时，开始出现液相的温度和 完全熔
12、融的温度；写出完全平衡条件下进行冷却，结晶结束时各物质的百分含量（用线段比表示）。XDB图3试题二答案、（1）1.（010）（111）111101 ； （4 分）2、CM对+=G CNqQ CN讪+= ； TiOJ OCai.TiJ CaO!j；C3分）3、1； Ti4添八面体空隙，八面体空隙利用率1/4,四八面体空隙全;（3分）4、否，因为Ti4+和O2-间没有明显的共价键成分。（2分）（2）1、岛状结构；（1分）；2、02-与一个SiO、三个MgO配位:4/4X1+2/6X3=2= O2-的电价，4602-的电价（2分）；3、结构中有两种配位多面体SiO、MgO （2分）；SiO呈孤立的岛
13、464状,中间被MgO隔开，SiO与MgO之间共顶或共棱连接，同层的MgO之间6466共棱、不同层的MgO之间共顶连接；（4分）64、不易，因为镁橄榄石的Si/O=l/4，最低，网络连接程度弱，结构中络阴离子团尺寸小，迁移阻力小，熔体的粘度低，冷却过程中结构调整速率很快。（2分）二、写出下列缺陷反应式（10）：1、O?VNa ，+VCl2、3、Nb三、1Ag A +VAg Ai Ag3TiO3Ti +V2Nb* NbTi O可能成立Nb Ti O2-x 3x 3（2分）粘度增加2-2x 2x 3+x2+6O0j. 2 052TiO2Ti +O +3O2Nb* i0（2分）扩散也可以从低浓度向高
14、浓度进行；3（2分）都是晶界移动的结果。正常长大是晶粒平均尺寸增加，反常长大 是个别大晶粒尺寸异常增加。4（2分）正确5（2分）两个固相和一个液相 四、表面上的原子产生相对于正常位置的上、下位移，称为表面弛豫。（2分）NaCl单晶中处于表面层的负离子只受到上下和内侧正离子的作用，而外侧是不饱和的。电子云将被拉向内侧的正离子一方而变形，使该负离子诱导成偶 极子。这样就降低了晶体表面的负电场。接着，表面层离子开始重排以使之在能 量上趋于稳定。为此，表面的负离子被推向外侧，正离子被拉向内侧从而形成了 表面双电层。 （4分）5一任-空2沁空吧 小沙RT（2分）RT%血歸 二&头1CT电即（-为的阳兀4 W唧虫;|二1.旳幻0亠陋打石（2分）因为九閔yDwc,所以铂丝向Cr O方向移动。（2分）23六、由热力学可知，在等温、等压下有Aff= AjY-W在平衡条件下，心&二0，则有占芒-爼M二0朋二爲式中：to是相变的平衡温度为相变热。若在任意温度的不平衡条件下，则有迢二论i-TEQ若心阳与不随温度而变化，将上式代入上式得:可见，相变过程要自发进行，必须有Af
