《晶圆生产工艺与流程介绍》由会员分享，可在线阅读，更多相关《晶圆生产工艺与流程介绍（3页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、的生产工艺流程介绍从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细 分为以下几道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的 全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序)： 晶棒成长 - 晶棒裁切与检测 - 外径研磨 - 切片 - 圆边 - 表层研 磨 - 蚀刻 - 去疵 - 抛光 - 清洗 - 检验 - 包装1.晶棒成长工序：它又可细分为：1) .融化(Melt Down) 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1 420C 以上，使 其完全融化。2) 颈部成长(Neck Growth)待硅融浆的温度稳定之后，将1.0.0方向的晶种慢慢插入其中，
2、接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸(一般约6mm左右)，维持 此直径并拉长100-200mm,以消除晶种内的晶粒排列取向差异。3) .晶冠成长(Crown Growth) 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需 尺寸(如5、6、8、12吋等)。4) .晶体成长(Body Growth) 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到 预定值。5).尾部成长(Tail Growth)当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直 径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与 液面完全分离。到此即得到一根
3、完整的晶棒。2晶棒裁切与检测Cutting & Inspection)将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下 步加工的工艺参数。3外径研磨(Surface Grinding & Sh aping)由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也 凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于 允许偏差。4沏片(Wire Saw Slicing)由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻 石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。5圆边(Edge Profiling)由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料
4、，为避免边角崩 裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专 用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。6研磨(Lapping)研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达 到所要求的光洁度。7蚀刻(Etching)以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产 生的一层损伤层。8. 去疵( Gettering)用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层，以利于后序加工。9. 抛光( Polishing)对晶片的边缘和表面进行抛光处理，一来进一步去掉附着在晶片上的微 粒，二来获得极佳的表面平整度，以利于后面所要讲到的晶圆处理工序加 工。10. 清洗( Cleaning)将加工完成的晶片进行最后的彻底清洗、风干。11. 检验( Inspection) 进行最终全面的检验以保证产品最终达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、 平整度等技术指标。12. 包装( Packing)将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，准备发往以下的芯片制造车间或 出厂发往订货客户。
