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1、创作时间：二零二一年六月三十日贴片电容 COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别之樊仲川亿创作创作时间：二零二一年六月三十日在我们选择无极性电容式, 不知道年夜家是否有注意到电容 的X5R, X7R, Y5V, COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头 脑, 自己特意为此查阅了相关的文献, 现在翻译出来奉献给年夜 家.这个是按美国电工协会（EIA）标准，分歧介质资料的MLCC 按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质资料为 COG 或 NPO；稳定级（II类）的介质资料为X7R；能用级（III）的介质资 料 Y5V.这类参数描述了电容采纳的电介质资料类别, 温度特性以及 误差等参数
2、, 分歧的值也对应着一定的电容容量的范围.具体来说 就是：X7R经常使用于容量为3300pF0.33uF的电容，这类电容 适用于滤波, 耦合等场所, 电介质常数比力年夜, 当温度从 0C 变动为70C时，电容容量的变动为15%； Y5P与Y5V经常使用 于容量为 150pF2nF 的电容, 温度范围比力宽, 随着温度变动, 电容容量变动范围为10%或者+22%/-82%.对其他的编码与温度特 性的关系, 年夜家可以参考表 4-1.例如, X5R 的意思就是该电容 的正常工作温度为-55C+85C,对应的电容容量变动为下面我们仅就经常使用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下 它们的性能和应
3、用以及推销中应注意的定货事项以引起年夜家的 注意.分歧的公司对上述分歧性能的电容器可能有分歧的命名方法 这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产物请参照 该公司的产物手册.NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填 充介质分歧.在相同的体积下由于填充介质分歧所组成的电容器的 容量就分歧， 随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就 分歧.所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用分歧来选用 分歧的电容器.一、NPO电容器NPO 是一种最经常使用的具有温度赔偿特性的单片陶瓷电容 器.它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的.NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容
4、器之一.在温度从-55C 到+125C时容量变动为030ppm/C,电容量随频率的变动小于 0.3AC.NPO电容的漂移或滞后小于0.05%相对年夜于2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的.其典范的 容量相对使用寿命的变动小于土0.1%.NPO电容器随圭寸装形式分歧 其电容量和介质损耗随频率变动的特性也分歧, 年夜封装尺寸的 要比小封装尺寸的频率特性好.下表给出了 NPO电容器可选取的容 量范围.NPO 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容 , 以及高频 电路中的耦合电容.通常 COG 和 NPO 指的是 I 类电介质, 温度特 性-2-55C125C容量变动率30ppm以内，现在C特性都用CO
5、G来 暗示，不用NP0暗示了.二、X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器.当温度在-55C 到+125C时其容量变动为15%,需要注意的是此时电容器容量变 动是非线性的.X7R电容器的容量在分歧的电压和频率条件下是分歧的，它 也随时间的变动而变动，年夜约每10年变动1%AC,暗示为10 年变动了约5%.X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变 动时其容量变动是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体 积下电容量可以做的比力年夜.下表给出了 X7R电容器可选取的容 量范围.三、Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑 的是使用温度范围，对
6、Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低本钱. 对上述三种陶瓷 单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最 年夜的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较年夜， 它的 老化率最年夜可达每10年下降5%.尽管它的容量不稳定， 由于它具有小体积、等效串连电感 (ESL)和等效串连电阻(ESR)低、良好的频率响应，使其具有 广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.下表给出了 Z5U电 容器的取值范围.Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10C - +85C温度特性+22%56%介质损耗最年夜4%四、Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30C到 85C范围内其容量变
7、动可达+22%到-82%.Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7 口 F电容器.Y5V电容器的取值范围如下表所示Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30C - +85C 温度特性 +22% -82% 介质损耗 最年夜 5%贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到.五、NP0,X7R及Y5V电容的特性及主要用途NPO的特性及主要用途属1类陶瓷介质， 电气性能稳定， 基本上不随时间、温度、 电压变动， 适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场所.特性：电容范围：1pF0.1uF (10.2V rms 1MHz)环境温度：-55C+125C 组别：CG温度特性： 030ppm/
8、C损耗角正切值： 15x10-4绝缘电阻：210GQ抗电强度：2.5倍额定电压5秒 浪涌电流:50毫安X7R的特性及主要用途属2类陶瓷介质, 电气性能较稳定,随时间、温度、电压的 变动,其特性变动不明显,适用于要求较高的耦合、旁路、源波 电路以及10兆周以下的频率场所.特性：电容范围 300pF3.3uF (1.00.2V rms 1KHz)环境温度：-55C+125C组别：2X1温度特性：15% max50Volts: 2.5% max25Volts: 3.0% max16Volts: 3.5% max10Volts: 5.0% max绝缘电阻：24GQ或 2100S/C (单元：MQ)抗电强度：5秒浪涌电流：50毫安Y5V的特性及主要用途属 2 类陶瓷介质, 具有很高的介电系数,能较容易做到小体 积, 年夜容量,其容量随温度变动比力明显, 但本钱较低.广泛应 用于对容量,损耗要求不高的场所.特性：电容范围 1000pF 22uF (0.3V lKHz)环境温度：-30C+85C 温度特性：22%-82% 损耗角正切值：50Volts: 3.5% 25Volts: 5.0% l6Volts: 7.0%绝缘电阻：24GQ或 2100S/C (单元：MQ)抗电强度：2.5倍额定电压5秒 浪涌电流:50毫安创作时间：二零二一年六月三十日
