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1、习题5：（存储器扩展）1. 如图4-1所示，8088 CPU工作在最小模式，通过3片8282与系统地址总线相连，通过1片8286与系统数据总线相连，外扩1片27256（32K8 EPROM）和1片62256（32K8 RAM），要求EPROM起始地址为B0000H，RAM地址范围紧随其后，使用74LS138，采用全地址译码方式。（14分）1）写出27256与62256的地址覆盖范围；（2分）2）请完成8088最小模式下总线连接图，并画出系统总线与存储器连接图，其中存储器读/MEMR信号和存储器写/MEMW信号，需要由8088 CPU的M/IO、/RD、/WR信号产生，连接时门电路自选。（12分
2、）1） 27256地址覆盖范围B0000HB7FFFH；62256地址覆盖范围B8000HBFFFFH2） 见图5-1图5-12. 8086系统总线与存储器连接的总线信号为20根地址线A19A0，16根数据线D15D0、高八位数据允许信号以及存储器读写信号和。使用这些信号，通过控制存储器芯片的端，扩展2片62256（32K8 RAM），组成64KB的RAM系统。要求RAM的起始地址为A0000H，使用74LS138（3-8译码器）采用全译码方式产生片选信号。（1）写出构成的RAM系统的地址范围。（2分）A0000HAFFFFH（2）请在右图中画出计算机存储器系统连接图（门电路自选）。（10分）
3、答案见图5-2（3）当8086处理器执行第三条指令时，需要几个总线周期？（3分） MOV AX，0A000H MOV DS，AX MOV WORD PTR 2011H，10H需要2个总线周期图5-23. 用2片62256（32K*8 RAM）和2片27256（32K*8 EPROM）组成8086存储器系统。要求EPROM的起始地址为10000H，RAM的起始地址为B0000H，使用全地址译码方式，试画出计算机的存储器连接图，并写出地址范围。27256地址范围：10000H 1FFFFH62256地址范围：B0000H BFFFFH4. 某SRAM存储器芯片的容量为32K8，表示该片有_AC_
4、(多选)(A) 15根地址线，8根数据线(B) 8根地址线，15根数据线(C) 321024个存储单元，每个单元为8位(D) 3210248个存储单元，每个单元为8位5. 8086 CPU有20根地址线，当用该CPU构成微机系统时，若采用全地址译码方式已经扩展00000H0FFFFFH地址范围的存储器，一般_B_(A) 不能再扩展I/O接口电路；(B) 还能扩展I/O接口电路；(C) 还能扩展随机访问存储器；(D) 还能扩展只读存储器。6. 8086 CPU中指令指针寄存器IP存的是_A_A. 下一条将要取出的指令的偏移地址B. 已经执行完了的指令的偏移地址C. 正在执行的指令的偏移地址D.
5、指令缓冲队列中等待译码执行的指令的偏移地址7. 关于数据流向问题，下列哪种叙述正确_B_A. 地址总线是双向的；B. 数据总线是双向的；C. 控制总线信号总是由外设流向CPU；D. 控制总线信号总是由CPU流向外设。8. 若用128K4的存储器芯片构成640KB的RAM，需要_B_片芯片。A5 B10 C20 D409. 微处理器的主要组成部件是_A _。A运算器、控制器和寄存器组 B存储器接口、I/O接口和运算器 C运算器、控制器和存储器 D运算器、存储器和内部总线10. 下列指令中，CPU对其执行能够产生控制信号和的是_C_。 AMOV AL, 50H BMOV 50H, AL CIN A
6、L, 10H DOUT 10H, AL11. 当8086 CPU响应中断时，顺序将_C_内容压入堆栈中。ACS、IP、标志寄存器FLAG B标志寄存器FLAG、IP、CSC标志寄存器FLAG、CS、IP DIP、CS、标志寄存器FLAG12. 可用作简单输入接口的电路是_B_。A译码器 B三态缓冲器 C锁存器 D转换器13. 在8086 CPU的下列寄存器中，可用作寄存器间接寻址的有_ABCD_(多选)ASI BDI CBX DBP ECX14. 设（SP）=50H，执行指令 RETF 0004H后，寄存器SP的内容是_B_。A54H B58H C4EH D4CH E50H15. 下列8086
7、汇编指令正确的是_CDE_。(多选)AMOV DS,1234H BIN AL,100H CXCHG BX, AX DMOV SI, AH EPUSH CS16. 8086/8088 CPU主要由_EU_和_BIU_两大部件构成。17. 在一个基本总线写操作周期中，8086 CPU通过引脚AD15AD0在 _T1_状态输出地址信息；在_T2和T3_状态输出数据信息。18. 8086汇编程序源文件MY.ASM经过_编译_后，才能得到目标文件 MY.OBJ，目标文件经过_链接_后，才能得到可执行文件MY.EXE。19. 解释SRAM、DRAM、Flash ROM在读写特性上有何区别？在微机中有哪些部分分别采用的是SRAM、DRAM、Flash ROM？SRAM采用双稳态触发器存储信息，掉电信息丢失，速度快，无需刷新，由于功耗较大，单片容量相对较小；微机中CACHE通常采用SRAMDRAM采用电容存放信息，掉电信息丢失，速度较快，由于电容有漏电，因此需要每隔一段时间就进行刷新，单片容量较大；微机中内存中主存储器RAM部分一般采用DRAM；FlashROM是电可擦除的ROM，掉电信息不丢失，写操作时，需按扇区擦除再写；内存中BIOS ROM一般采用FlashROM。
