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1、MOSFET分类：MOSFET（Metal - Oxide - Semiconductor Field Effect Transistor）金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOSFET根据导电沟道形成机理可分为：1增强型2、耗尽型极限参数:VDS：漏源极极限电压VGS：栅源极极限电压ID：最大漏源电流，正常工作状态，DS所允许通过的最大电流。D 丁C）,；r（J） ry Dsron） 1 J max fmax： MOS最大结点丁作温慢15gR亦:対装热阻（臥外売）PD：最大耗散功率（漏源） PD=ID方*Rds （on）静态参数：VBRDSS:漏源击穿电压，测试条件：VGS=0,IDS=25
2、0uA （正温度系数）IDSS:漏源极漏电流，测试条件：VGS=O,VDS=RATEVDSIGSS：栅源极漏电流，测试条件：VDS=0,VGS= RATEVGSVGS（TH）：开启电压。测试条件：VGS=VDS,ID=250uA。（负温度系数）RDS（on）：漏源导通电阻。使用370B测试。（一般在几毫欧）VDS：正向导通压降。动态参数：Ciss/Coss 输入输出电容。Ciss=CGD+CGSCoss=CDG+CDS开断时间：Td （on）：导通延迟时间Tr：上升时间Td（off）：关断延迟时间Tf：下降时间UK UE 结纱线践纱 A B c D ESOASale Operating Area正偏压时的安全动作区安全动作区由u个限制区构成导通阻抗限制 血 额宦电流限制额定功耗限制额定电压限制- 二次击穿限制呼二次击寡眼制:为了避免主个别骨芯单元的电 流箋中.阴肛疋前温度毁应強所引起的芯片的屈 部发热损坏而设直的眼制
