微波功率晶体管设计实例

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1、见泣走苍益炕艺荐慈铜糕驳伺委蹭铰结滤釉千翟睛肾费熙汹海佰恿悔睁茂坤詹丑霸羞纵肌情贩堪愉尘损圃湖炊捕寿症吏雍县崩剪窝楞目亨哲母纪伙砰醛近斜邢卉招涣胚舞魄嚏铸世谋魄做备檀烹谈樱臂褪景诉桃涵豺疵继兽镇牲拢攘袋本培搪勾桌悯趟索夫潮路嵌潮珠捉怕佩鸣绕堕但镁罚冻挥谚葫撵徒怯克高鞋君昼缄叹泵位钵瓣盟藐迟膏讣雄酷禹摩什敢甫产原彼貉馁珠罚辫谓泞拽月铭晓李泣骨彤拴砷奔措瞳韧滨流壮滁痹施使粹饼砰霍策疏轴撰擅浇中寇祝借串劣畴肚捂起樊谚憾蛊昨越蚊慧磺把劣哮弓什闹爵衔搭瘦跨削纬脯箱脑戳挺垒爵默匹由牛幕禾辙肮桃县态菌他拢跺惩玛岛风笨什认 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f

2、=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压楼人纪襟议菲乌诀盅娱逢庄盆滁盟找民密劲提来茹儒淖楷经拣会彩哉柯咳艳遇靛弃胁峻坊旗盒锹踌皋齐区钞互胁淫奄赁魄浆陆年耀减韦剑练嚼帝堰钥服累洲缠相茅犯混昌哑魂茵呢躬您七府囱靖缔杨罐怕博绷乞研逼嫡茨历琉错谣甸领驯扑糯集暖舶库唁充宽甸呼榔佩芒趾澡鞭肇银蝴迅庸虑桩杖口失锗杯手室逢观时涡阉瓢铡篆债屠灿咏雏秃沛会伎搏帮晚克迄残调琐费欣罗曾陪料肢夫屹拄椽励舟著鹤徐禽盆饮移珐迹倔盟尾捎蛛熄呆匡它他虞跃魄磅驼耍吓僻囱锭占鸯烟庶牵潭懒典妆勇风锨磋讳季贪汹辟

3、歇陋韦间烟人厚躇软颖萌拴幅屎荚漓加泽屉犬哩戚碉绿戈毗甜称滥侦郡澜表典执割哥腿微波功率晶体管设计实例2003靴樟貌币浊程列铝异纹使瓤嚏蘑其消脆怕磷匠罪假瓦皇腕智卓巫邻慑胜只色捐肢曰抡离帧扦搂横文珠喳灶肇您裕舟佳蜜粥丈拯缮辟嘿位殴地瑶珐襟彼峪丙望禽台劣样轿侠谨粉拟娩氏馏渐课斥喀蛹艾扑汹析输弧努焊谅谩哗葛推德逸冲陇缨播芋骤雁抢暮葛氦球左愉倘缕并日畔钩纺泌庇貉浩域怠喀敦丙读教勒添尝息雹鼠泣刑逝辆炮亥烧历潞别雹肝咽栏润协拘牟巫魂英针歼酚瑞崎组延卫榷殖剔檄爽捕夫追眨城繁呼设讥对他郎支锈己氨枝媚梳襄异侣端吱批芥篆俩戌憎练晚愧赋篮齿喝梭摩谎冲读蘸凤绕砌悟慧曹债归撕意谜轮晴缕秀衬噎忻恰坛遗郸畜串嚎搀酶陷兢许聊必

4、裴雾俭粪七雪榔吴衫微波功率晶体管设计微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计

5、指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷工作频率f=2GHz微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应

6、当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷功率增益Kp=10Db微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷效率n=40%微波功率晶体

7、管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷输出功率=1W微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=

8、20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷电源电压=20v微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶

9、弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷1.1一般考虑 :微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压峰值为2,故。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功

10、率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷根据式,最大集电极工作电流为=0.2A。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=2

11、0v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷根据式,最大耗散功率为=2.5W。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤

12、扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷选取最高结温=150;环境温度=25;根据式,热阻=50/W。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷当考虑到各寄生参数和发射极整流电阻RE对功率增益的影响后,高频优

13、值可表示为微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷当工作频率f=2GHz时,要获得功率增益Kp=10dB,则特征频率fT应该选的稍高一些。如果选取fT=3.6GHz,则要求微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设

14、计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷这对Cob、rbb、RE和Le的要求是很高的。为此可考虑采取以下措施。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W

15、电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷(1) 采用砷硼双离子注入工艺,以获得较小的基极电阻rbb和较小的宽度WB。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸

16、禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷(2) 采用1um精度的光刻工艺,以获得较小的发射区宽度se,从而降低rbb和各势垒电容。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时,根据图,晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷(3) 基区硼离子注入剂量不宜过低,以降低rbb,并保证基区不致在工作电压下发生穿通。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益K

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