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1、MOS集成电路工艺流程4A?r/IFMMILPAPEASICAMMOS技术以全属氧化畅丰导体CMOSJ场败应晶体管为主要元件构成的集成勒路。简称MOSIC。1964年克岀绝缘栅场效应晶体管。1968年解决了MOS赛件的稳逐胳MOSIC得到迤遠发畏。MOS具有以下优点适用作需速数学和栈拟亀路。与双极型集成电路相比，MOSIC具有以下优点：(5制底结构简单，隔寓方便。亀路尺寸小、功耗低适于高翕度集成。MOS管为双向專件,设计灵涪性壽。动态工作孩特的能力。厦度特性好。其缺点是速度轶低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成亀路功耗低、Q富，左用作数学集成电路；双极燮集成迟則CMOS的分类換晶体管的沟道导电
2、类型，可分为P沟MOSIC.N询MOSIC以及將P询和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC,分别称为PMOS、NMOS和CMOS集成电珞。随着工艺技术的发長，CMOS條成电路巳成为集成电路的主流，工艺也目越完耳和家杂，由P阱或N阱CMOS发畏到取阱CMOS工空。gb年代又岀現了集巩极型削瘩和互补全属氧他肠眸导体fCMOSJ电路优点的BiCMOS集成电路结枸。按赫极材料可分为轲标、硅赫、硅化肠标和堆竦金属(如钿、鸽丿赫等MOSICP阱CMOS工艺P阱CMOS工艺玖N型单晶硅为衬底，应其上制作P阱。血P阱内，PMOS管做農N矍轴底上。P阱工艺包括用离子*d或扩散的方法虚N型材底中攥遠
3、浓度JL以中和N型材底并使其星pF*矍特性的P燮杂质，以锋证P沟道壬件的正常特性。P阱CMOS工艺P阱杂质浓度的典型值要比N矍材底中的高50倍才能椽证春件性能。然而P阱的过度掺杂会对N沟道晶体管产生有窖的彩响,如提富了背棚偏置的灵敘度，增加了P阱CMOS工艺削连接肘，P阱搖最负勒住，N材底接最正勉後，通过反向偏置的PN结卖现PMOS赛件和NMOS器件之间的相互隔富。P阱CMOS怂片別面示意图见下T4-SLJBP阱CMOS工艺结构缺点这种结构的缺盍是：C1J由于NPNft体管的基S.4P阱中，所以基区的厚度太大，使得亀流增益变小；(2) 集亀憑的串联电阻很丸，彩响春件性能；(3) NPN管和PM
4、OS管共材底，使得NgW管只能接圈良就伐，从而限制了N曲管的使用。P阱CMOS工艺阱的走义:蛊材底上形成的、搀杂类燮与衬底柏反的区城称为阱或称为盆.P阱CMOS凍始衬底采用n型，注入p（滾度比N衬底富510信）矍杂质形成P阱.|P阱CMOS工艺适于制备费态逻辑电路.光刻定义:处一种图形复印和化学庸蚀扌的精廟表面加工技术（旻集成电爆工艺中的关徴性技术）（图形转秒过程）.CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例lo光刻I阱区光刻，刻出阱区注入孔S1O2CMOS集成电路工艺以P阱硅栅CMOS为例2。阱区注入及推进，形成阱区CMOS集成电路工艺以P阱硅栅CMOS为例3。去除Si。?，长薄氧，长Si
5、?%U13N4CMOS集成电路工艺以P阱硅栅CMOS为例4。光II有源区光刻Si3N4&CMOS集成屯路工艺以P阱硅栅CMOS为例5。光IIIN管场区光刻，N管场区注入，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。E+光刻胶CMOS集成电路工艺以P阱硅栅CMOS为例6。光IIIN管场区光刻，刻出N管场区注入孔；N管场区注入。P-N-&CMOS集成电路工艺“以P阱硅栅CMOS为例7。光IV-一-p管场区光刻，p管场区注入，调节PMOS管的开启电压，生长多晶硅。B-+P-N-SCMOS集成电路工艺以P阱硅栅CMOS为例10。光VEN管场区光刻，N管场区注入，形成NMOS的源、漏区及N+保护环As光刻
6、胶11CMOS集成电路工艺“以P阱硅栅CMOS为例11。长PSG（磷硅玻璃）。PSGNH-N4f-P-1ZZ77.1P+11P+-iN-Sp+iBJ_口+INP+CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例13。光刻IX引线孔光刻（反刻AL）oCMOS集成电路工艺以P阱硅栅CMOS为例12。光刻训引线孔光刻。PSGPSGVDDOUTDP型单晶片P+/P外延片P-Sub242.氧化、光刻N阱(NWELL)N阱CMOS工艺衬底准备3.N阱注入，N阱推进，退火，清洁表面4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区（ACTIVE反版）5场区氧化（LOCOS），清洁表面（场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入）6.
7、栅氧化，淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂，反刻多晶（POLYSILICON-POLY）28LPAPEAftCOM7.P+ACTIVE注入（PPLUS）（硅栅自对准）&N+ACTIVE注入（NPLUS-PPLUS反版）（硅栅自对准）9.淀积BPSG,光刻接触孔(CONTACT),回流10蒸镀金属1,反刻金属1(METAL1)行绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(VIA)13.钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(PAD)硅栅自对准的作用在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成MOS管的沟道区，使MOS管的沟道尺寸更精确，寄生电容更小0MOS管衬底电极的引出NMOS管和PMOS管的衬底电极都从上表面引出，由于P-
8、Sub和N阱的参杂浓度都较低，为了避免整流接触，电极引出处必须有浓参杂区。其它MOS工艺简介叹阱CMOSx艺玖阱CMOS工艺主要步躱如下：衬底氧化，生长Sis%。形成阱版，在P阱区Si3N4,I(V衬底准备：(2) 光刻P阱，P阱护散幷生长Si02oN阱注入并护散。注入O(3) 去光刻胶，(4) #Si3N4,(5) 有源区衬底氧化，生长SisNy有源区光刻和庸饨，形成有源区版。(6) N管场注入光刻，N管场注入。lrft*上a工沙(7)场区氧化，有g.Si3N4和Si。?庸蚀，栅氧化，沟道掺杂(阈值削压调节注入丿O(8丿多晶硅涂积、掺杂、光刻和庸饨，形成多晶哇版。(9)NMOS管光刻和注入硼，形成N+版。(10)PMOS管光刻和注入确,(11丿硅片表面生长Si。?薄膜。(12)接羅孔光刻，接融孔痛饨。(13丿涂积铝，反刻铝，形成铝连线LPAPEAftCOM谢谢丸家！号！
