电子封装中的可靠性问题

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1、电子封装中的可靠性问题电子器件是一个较复杂的系统,其封装过程的缺陷和失效也是比较复杂的。因此, 研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解,这样才能从多个角度 去分析缺陷产生的原因。封装的失效机理可以分为两类:过应力和磨损。过应力失效往往是瞬时的、灾难 性的;磨损失效是长期的累积损坏,往往首先表示为性能退化,接着才是器件失 效。失效的负载类型又可以分为机械、热、电气、辐射和化学负载等。影响封装缺陷和失效的因素是多种多样的, 材料成分和属性、封装设计、环境 条件和工艺参数等都会有所影响。确定影响因素和预防封装缺陷和失效的基本前 提。影响因素可以通过试验或者模拟仿真的方法来确定,一般多采用

2、物理模型法 和数值参数法。对于较复杂的缺陷和失效机理,常常采用试差法确定关键的影响 因素,但是这个方法需要较长的试验时间和设备修正,效率低、花费高。在分析失效机理的过程中, 采用鱼骨图(因果图)展示影响因素是行业通用的 方法。鱼骨图可以说明复杂的原因及影响因素和封装缺陷之间的关系,也可以区 分多种原因并将其分门别类。生产应用中,有一类鱼骨图被称为 6Ms :从机器、 方法、材料、量度、人力和自然力等六个维度分析影响因素。;.坎乜杲皑可对嵐 由处卅足密持逹甲 Mn?|hf叱5士上搅玛/甌/周化蒂襌FttXX蟹制(!妒悅谦嶺HA.S.芯片站轿Jf轨啊啣阳(化沪配问r.i糾叮饗陶一丿鬻吩!?严rtu

3、/V芯片45培制讯空制血副吸粗这一张图所示的是展示塑封芯片分层原因的鱼骨图,从设计、工艺、环境和材料 四个方面进行了分析。通过鱼骨图,清晰地展现了所有的影响因素,为失效分析 奠定了良好基础。引发失效的负载类型01 机械载荷包括物理冲击、振动、填充颗粒在硅芯片上施加的应力(如收缩应力)和惯性力(如宇宙飞船的巨大加速度)等。材料对这些载荷的响应可能表现为弹性形变、塑性形变、翘曲、脆性或柔性断裂、界面分层、疲劳裂缝产生和扩展、蠕变以及02热载荷包括芯片黏结剂固化时的高温、引线键合前的预加热、成型工艺、后固化、邻近 元器件的再加工、浸焊、气相焊接和回流焊接等等。外部热载荷会使材料因热膨 胀而发生尺寸变

4、化,同时也会改变蠕变速率等物理属性。如发生热膨胀系数失配(CTE 失配)进而引发局部应力,并最终导致封装结构失效。过大的热载荷甚至 可能会导致器件内易燃材料发生燃烧。03电载荷包括突然的电冲击、电压不稳或电流传输时突然的振荡(如接地不良)而引起的 电流波动、静电放电、过电应力等。这些外部电载荷可能导致介质击穿、电压表 面击穿、电能的热损耗或电迁移。也可能增加电解腐蚀、树枝状结晶生长,引起 漏电流、热致退化等。04化学载荷包括化学使用环境导致的腐蚀、氧化和离子表面枝晶生长。由于湿气能通过塑封 料渗透,因此在潮湿环境下湿气是影响塑封器件的主要问题。被塑封料吸收的湿 气能将塑封料中的催化剂残留萃取出

5、来,形成副产物进入芯片粘接的金属底座、 半导体材料和各种界面,诱发导致器件性能退化甚至失效。例如,组装后残留在 器件上的助焊剂会通过塑封料迁移到芯片表面。在高频电路中,介质属性的细微 变化(如吸潮后的介电常数、耗散因子等的变化)都非常关键。在高电压转换器 等器件中,封装体击穿电压的变化非常关键。此外,一些环氧聚酰胺和聚氨酯如 若长期暴露在高温高湿环境中也会引起降解(有时也称为“逆转”)。通常采用 加速试验来鉴定塑封料是否易发生该种失效。需要注意的是,当施加不同类型载荷的时候,各种失效机理可能同时在塑封器件 上产生交互作用。例如,热载荷会使封装体结构内相邻材料间发生热膨胀系数失 配,从而引起机械

6、失效。其他的交互作用,包括应力辅助腐蚀、应力腐蚀裂纹、 场致金属迁移、钝化层和电解质层裂缝、湿热导致的封装体开裂以及温度导致的 化学反应加速等等。在这些情况下,失效机理的综合影响并不一定等于个体影响 的总和。封装缺陷的分类封装缺陷主要包括引线变形、底座偏移、翘曲、芯片破裂、分层、空洞、不均匀 封装、毛边、外来颗粒和不完全固化等。01引线变形引线变形通常指塑封料流动过程中引起的引线位移或者变形,通常采用引线横向 位移X与引线长度L之间的比值x/L来表示。引线弯曲可能会导致电器短路(特 别是在高密度1/ O器件封装中)。有时,弯曲产生的应力会导致键合点开裂或键 合强度下降。影响引线键合的因素包括封

7、装设计、引线布局、引线材料与尺寸、模塑料属性、 引线键合工艺和封装工艺等。影响引线弯曲的引线参数包括引线直径、引线长度、 引线断裂载荷和引线密度等等。02底座偏移底座偏移指的是支撑芯片的载体(芯片底座)出现变形和偏移。;: JLJ1空封中如銅示为塑删导雖嗚座舷.W.上下銅盼内不均匀的盟姗流动会导致底座偏固体片芯片底座 刖脚模璽型腔流动方向底座保移如图所示为塑封料导致的底座偏移,此时,上下层模塑腔体内不均匀的塑封料流 动会导致底座偏移。影响底座偏移的因素包括塑封料的流动性、引线框架的组装设计以及塑封料和引 线框架的材料属性。薄型小尺寸封装(TSOP )和薄型方形扁平封装(TQFP )等 封装器件

8、由于引线框架较薄,容易发生底座偏移和引脚变形。03 翘曲翘曲是指封装器件在平面外的弯曲和变形。因塑封工艺而引起的翘曲会导致如分 层和芯片开裂等一系列的可靠性问题。翘曲也会导致一系列的制造问题,如在塑 封球栅阵列(PBGA )器件中,翘曲会导致焊料球共面性差,使器件在组装到印 刷电路板的回流焊过程中发生贴装问题。图 5. 12翘曲模式包括内凹、外凸和组合模式三种。导致翘曲的原因主要包括 CTE 失配和固化/压缩收缩。后者一开始并没有受到较 多的关注,深入研究发现,模塑料的化学收缩在IC器件的翘曲中也扮演着重要 角色,尤其是在芯片上下两侧厚度不同的封装器件上。在固化和后固化的过程中, 塑封料在高固

9、化温度下将发生化学收缩,被称为“热化学收缩”。通过提高玻璃 化转变温度和降低Tg附近的热膨胀系数变化,可以减小固化过程中发生的化学 收缩。图5.14固化和冷却过程中塑封料的体积收缩逻导致翘曲的因素还包括诸如塑封料成分、模塑料湿气、封装的几何结构等等。通 过对塑封材料和成分、工艺参数、封装结构和封装前环境的把控,可以将封装翘 曲降低到最小。在某些情况下,可以通过封装电子组件的背面来进行翘曲的补偿。 例如,大陶瓷电路板或多层板的外部连接位于同一侧,对他们进行背面封装可以 减小翘曲。04芯片破裂封装工艺中产生的应力会导致芯片破裂。封装工艺通常会加重前道组装工艺中形 成的微裂缝。晶圆或芯片减薄、背面研

10、磨以及芯片粘结都是可能导致芯片裂缝萌 生的步骤。破裂的、机械失效的芯片不一定会发生电气失效。芯片破裂是否会导致器件的瞬 间电气失效还取决于裂缝的生长路径。例如,若裂缝出现在芯片的背面,可能不 会影响到任何敏感结构。因为硅晶圆比较薄且脆,晶圆级封装比较容易发生芯片破裂。因此,必须严格控 制转移成型工艺中的夹持压力和成型转换压力等工艺参数,以防止芯片破裂。3D 堆叠封装中因叠层工艺而容易出现芯片破裂。在3D封装中影响芯片破裂的设计 因素包括芯片叠层结构、基板厚度、模塑体积和模套厚度等。05分层分层或粘结不牢指的是在塑封料和其相邻材料界面之间的分离。分层位置可能发 生在塑封微电子器件中的任何区域;同

11、时也可能发生在封装工艺、后封装制造阶 段或者器件使用阶段。封装工艺导致的不良粘接界面是引起分层的主要因素。界面空洞、封装时的表面 污染和固化不完全都会导致粘接不良。其他影响因素还包括固化和冷却时收缩应 力与翘曲。在冷却过程中,塑封料和相邻材料之间的CTE不匹配也会导致热-机 械应力,从而导致分层。环氧模整料鬻I鑽娄型H分展CEMG心片】(芯片粘接界面) 芯片键合盘/类豐狂分层 (EMC/引线框袈)图5J6分层类塑i册可以根据界面类型对分层进行分类: 空洞封装工艺中,气泡嵌入环氧材料中形成了空洞,空洞可以发生在封装工艺过程中 的任意阶段,包括转移成型、填充、灌封和塑封料至于空气环境下的印刷。通过

12、 小化空气量,如排空或者抽真空,可以减少空洞。有报道采用的真空压力范围为 l300Torr(个大气压为 760Tor。填模仿真分析认为,是底部熔体前沿与芯片接触,导致了流动性受到阻碍。部分 熔体前沿向上流动并通过芯片外围的大开口区域填充半模顶部。新形成的熔体前 沿和吸附的熔体前沿进入半模顶部区域,从而形成起泡。不均匀封装非均匀的塑封体厚度会导致翘曲和分层。传统的封装技术,诸如转移成型、压力 成型和灌注封装技术等,不易产生厚度不均匀的封装缺陷。晶圆级封装因其工艺 特点,而特别容易导致不均匀的塑封厚度。为了确保获得均匀的塑封层厚度,应固定晶圆载体使其倾斜度较小以便于刮刀安 装。此外,需要进行刮刀位

13、置控制以确保刮刀压力稳定,从而得到均匀的塑封层 厚度。在硬化前,当填充粒子在塑封料中的局部区域聚集并形成不均匀分布时,会导致 不同质或不均匀的材料组成。塑封料的不充分混合将会导致封装灌封过程中不同 质现象的发生。毛边毛边是指在塑封成型工艺中通过分型线并沉积在器件引脚上的模塑料。夹持压力不足是产生毛边的主要原因。如果引脚上的模料残留没有及时清除,将 导致组装阶段产生各种问题。例如,在下一个封装阶段中键合或者黏附不充分。 树脂泄漏是较稀疏的毛边形式。外来颗粒在封装工艺中,封装材料若暴露在污染的环境、设备或者材料中,外来粒子就会 在封装中扩散并聚集在封装内的金属部位上(如IC芯片和引线键合点),从而

14、 导致腐蚀和其他的后续可靠性问题。不完全固化 固化时间不足或者固化温度偏低都会导致不完全固化。另外,在两种封装料的灌 注中,混合比例的轻微偏移都将导致不完全固化。为了较大化实现封装材料的特 性,必须确保封装材料完全固化。在很多封装方法中,允许采用后固化的方法确 保封装材料的完全固化。而且要注意保证封装料比例的精确配比。封装失效的分类在封装组装阶段或者器件使用阶段,都会发生封装失效。特别是当封装微电子器 件组装到印刷电路板上时较容易发生,该阶段器件需要承受高的回流温度,会导 致塑封料界面分层或者破裂。01分层如上一节所述,分层是指塑封材料在粘接界面处与相邻的材料分离。可能导致分 层的外部载荷和应

15、力包括水汽、湿气、温度以及它们的共同作用。在组装阶段常常发生的一类分层被称为水汽诱导(或蒸汽诱导)分层,其失效机 理主要是相对高温下的水汽压力。在封装器件被组装到印刷电路板上的时候,为 使焊料融化温度达到220C,这远高于模塑料的玻璃化转变温度(约110200C) 在回流高温下,塑封料与金属界面之间存在的水汽蒸发形成水蒸气,产生的蒸汽 压与材料间热失配、吸湿膨胀引起的应力等因素共同作用,最终导致界面粘接不 牢或分层,甚至导致封装体的破裂。无铅焊料相比传统铅基焊料,其回流温度较 高,较容易发生分层问题。吸湿膨胀系数(CHE ),又称湿气膨胀系数(CME ),湿气扩散到封装界面的失 效机理是水汽和湿气引起分层的重要因素。湿气可通过封装体扩散,或者沿着引 线框架和模塑料的界面扩散。研究发现,当模塑料和引线框架界面之间具有良好 粘接时,湿气主要通过塑封体进入封装内部。但是,当这个粘结界面因封装工艺 不良(如键合温度引起的氧化、应力释放不充分引起的引线框架翘曲或者过度修 剪和形式应力等)而

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