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1、半导体器件基础知识同步检测（总2页）-本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可-内页可以根据需求调整合适字体及大小-半导体器件基础知识一填空题1晶体二极管加一定的电压时导通，加电压时,这一导电特性称为二极管的.2 PN结处于导通状态时电阻，处于截止状态时电阻.3二极管导通后，正向电流和正向电压呈关系,正向电流变化较大时，二极管两端正向压降的近于硅管的正向压降为V,错管约为4用万用表“RX 1 K”档测试二极管，若测得电阻较大时，则黑表笔接触的是二 极管的极,与红表笔接触的是二极管的极.5三极管的放大作用的实质是电流对电流的控制作用.6场效应管是一种控制器件，用极电压来控制电流.它具有高和低特点
2、.场效应管有场效应管和场效应管两大类，每类又有沟道和沟道的区分.7试判断图中各三极管处于何种工作状态,并指出管型.2V管型 ，工作状态，,(2)(3)(4)(1)(a)(b)(c)8图所示各电路中，如电源电压均为3V,输入电压分别为+6V,0V和一6V,求各 电路的输出电压VqO V。二V (2) Vo=V (3) Vo=V9晶体三极管集电极电流过大、过小都会使其B值;当lolcm时,将引起下降，当VceV(br)ce时将引起；当PcPcm 时,将引起.10 G。称类三极管的电流，它反映三极管的Go越越好.二判断题三极管的放大作用具体表现在 f ()2工作在放大状态下的NPN型三极管VBEVC
3、E.()3三极管的输出特性曲线是b与I。之间的关系曲线.4只要三极管的发射结处于正偏,通常认为它处于截止状态.()5三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线相似.()6二极管一旦反向击穿就会损坏.()7二极管导通后，其电流大小与二极管的型号无关.()8三极管具有恒流特性，场效应管具有恒压特性.()9N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零.()10二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小;当反向电压大于反向击 穿电压后,反向电流迅速增大.()三选择题1某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管，测得Ve=-3V,Vbc=,Vce=6V,则该管是 ()VccA PNP管处于放大状态B
4、PNP管处于截止状态 C NPN管处于放大状态D NPN管处于截止状态. 2用图示电路测试三极管时，合上开关爼、S?后,电 压表读数为,，毫安表没有指示，可能是下面哪一种 原因()A集电极内部开路B发射极内部开路CCE极间已击穿D发射结已击穿3工作在放大区的某三极管，当b从20 U A增大到 40 U A时,I。从1mA变为2mA,则它的B值约为()A10 B50 C100D75 4当温度升高时，晶体管的参数和电流应发生如下变化()A B I、lCE0 仁 |VBEI ! B B I、lCE0 I、I VBEI tC B 仁 lCE0 仁 |VBEI tD B I、lCE0 仁 I VBEI
5、t5 三极管输出特性曲线常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）A ic， B Vc C i D iE B E6某硅二极管的反向击穿电压为150V，则其最高工作电压为A约150 V，B略大于150VC不得大于40VD约等于75V7在右图中，二极管为硅管，工作于正常导通状态的是（）2图示电路中，设VD为理想二极管，问当开关S打开或闭合时，A点电位分别 为多少3理想二极管接成图示电路，求流过二极管VD】、VD2的电流各为多少输出电压 V0为多少A -100V-50VB 10V7VC 5V4VD -12V负极电位是-5V,则该晶体二极管处于（其电流方向如图所示，则8晶体二极管的正极电位是-
6、10V, A零偏 B反偏C正偏 9图中工作于放大状态的晶体管， 该管是（）A PNP 型，B=40 B NPN 型，B=41 C NPN 型，B=40 D NPN 型，B =4110测得工作于放大状态的三极管各极电位如图所示, 其中是硅材料NPN管是（）4 如图所示电路中，问二极管为硅管时，通过二极管的电流为多少毫安若二极管 为锗管时，通过二极管的电流又为多少毫安3. 5TJ 2. 8v 12V12V11.3VC12V6V刊D5测工作在放大状态下的三极管的两个电极电流，如图所 示，贝V:（1 ）另一个电极的电流为多少其方向是流入还是流出管子（2）三脚分别是什么电极该管的管型是什么（3） 该管的B为多少i4nnA6在图示电路中，略去管压降和漏电流，求各电路的输出电压V。和电流I的 值。四综合题1图示的二极管电路中，设VD为理想二极管，问二极 管处于何种状态，电路的输出V。为多少
