霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量

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1、霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量B 班 D 组 何韵摘要：霍尔效应是磁电效应的一种，利用这一现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业 自动化技术、检测技术及信息处理等方面.霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法.本实 验的目的在于了解霍尔效应的原理及有关霍尔器件对材料的要求，使用霍尔效应试验组合 仪，采用“对称测量法”消除副效应的影响，经测量得到试样的VI和VI曲线，并通 H M H S过实验测定的霍尔系数，判断出半导体材料试样的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等 重要参数.关键词：霍尔效应 hall effect,半导体霍尔元件 semiconductor hall effect devi

2、ces，对称测量法 symmetrical measurement, 载流子 charge carrier，副效应 secondary effect美国物理学家霍尔(Hall,Edwin Herbert,1855T938)于 1879 年 在实验中发现,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁 场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应. 这个电势差也被叫做霍尔电势差.霍尔的发现震动了当时的科学界, 许多科学家转向了这一领域，不久就发现了爱廷豪森(Ett ingshausen) 效应、能斯托(Nernst)效应、里吉-勒迪克(Righi-Leduc)效应和不等 位电势差

3、等四个伴生效应.在霍尔效应发现约100年后，德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing, 1943-)等在研究极低温度和强磁场中的半导体时发现了 量子霍耳效应,这是当代凝聚态物理学令人惊异的进展之一,克利青 为此获得了1985年的诺贝尔物理学奖.之后，美籍华裔物理学家崔琦 (Daniel Chee Tsui,1939-)和 美国物 理学家劳克林(Rober t B.Laughlin， 1950-)、施特默(Horst L. St rmer， 1949-)在更强磁 场下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发现使人们 对量子现象的认识更进一步，他们为此获得了1998年的诺贝

4、尔物理学奖最近，复旦校友、斯坦福教授张首晟与母校合作开展了“量子自 旋霍尔效应”的研究.“量子自旋霍尔效应”最先由张首晟教授预言 之后被实验证实.这一成果是美国科学杂志评出的 2007年十大科 学进展之一.如果这一效应在室温下工作，它可能导致新的低功率的 “自旋电子学”计算设备的产生.目前工业上应用的高精度的电压和 电流型传感器有很多就是根据霍尔效应制成的,误差精度能达到0.1% 以下.一、霍尔效应的原理1. 霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而 引起的偏转.置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在 垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，即霍尔电

5、场 E ,H 这个现象被称为霍尔效应.在x方向通以电流I，在z方向加磁场B,则在y方向即试样A-A 电S极两侧因一号电荷的聚集而产生附加电场.电场的指向取决于式样的 导电类型，如图1 示.图1EhvO, N 型Eh0, P 型霍尔电场E阻止载流子继续向侧面偏移，平衡时载流子所受电场力等H于洛仑兹力eE = evBH得 E = vBH其中V为载流子在电流方向的平均漂移速率.设试样宽b（y方向的长度）厚d （z方向的长度），载流子浓度为n， 则I =nbdV e得v = -L,由此得到,Snbde=E b = Lsb = LB.H nde ne dV与IB乘积成正比，与试样厚度d成反比，比例系数R

6、=l/ne称为H S H霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数.R - x 104 (cm 3 / C)，其中磁场单位用T.H IBS2. R与其他参数的关系H(1) 由R的符号判断导电类型：三元组(I,B,E )满足H S H右手螺旋法则，则导电类型为N型，反之为P型.(2) 由 R 求载流子的浓度：假定所有载流子的漂移速度H相同，则n =丄.若考虑载流子的统计分布，须引入R eH3n /8的修正因子.(3) 结合电导率。求载流子的迁移率U.由。=ne卩得卩= |Rh| o.3. 霍尔效应与材料性能 为得到较大的霍尔电压，根据其产生原理，可以采取下述方法：(1) 关键是选取R较大的材料，

7、而R = up(其中P为电HH阻率)，金属导体卩和P都很小，不良导体P较大， 但卩太小，都不适合做霍尔元件.只有半导体卩和P 大小适中，是制作霍尔元件的较理想材料.由于电子 的迁移率比空穴的迁移率大，一般霍尔元件采用 N 型材料.(2) 其次是减小d,因此常用薄膜型霍尔器件.般，用霍尔灵敏度K = _(mV/(mA.T)来表示器件的灵敏度.H ned二、霍尔效应的副效应上述推导是从理想情况出发的 ,实际情况要复杂得多 ,在产生霍尔电压VH的同时，还伴生有四种副效应,副效应产生的电压叠加在霍 H尔电压上,造成系统误差.为便于说明，画一简图如图2所示(1)爱廷豪森(Ettingshausen)图2

8、在磁场中的霍尔元件x效应引起的电势差VE.由于电子实 际上并非以同一速度v沿X轴负向 运动,速度大的电子回转半径大,能 较快地到达接点3的侧面,从而导致 3侧面较4侧面集中较多能量高的电 子,结果3、4侧面出现温差,产生温 差电动势VE.匕的正负与I和B的方向有关.EE(2)能斯托(Nernst)效应引起的电势差VN.焊点1、2间接触电阻 可能不同,通电发热程度不同,故1、2两点间温度可能不同,于是引起 热扩散电流.与霍尔效应类似,该热扩散电流也会在3 、 4点间形成电势差V 若只考虑接触电阻的差异，则VN的方向仅与B的方向有关.(3) 里吉-勒迪克(Righi-Leduc)效应产生的电势差V

9、R .在能斯托 R效应的热扩散电流的载流子由于速度不同 ,一样具有爱廷豪森效应,又会在3、4点间形成温差电动势VR.匕的正负仅与B的方向有关, RR而与 I 的方向无关.(4) 不等位电势差效应引起的电势差V0.由于制造上困难及材料 的不均匀性,3、4两点实际上不可能在同一条等势线上.因此,即使未 加磁场，当I流过时,3、4两点也会出现电势差V0. V0的正负只与电 流方向 I 有关,而与 B 的方向无关.综上所述,在确定的磁场B和电流I下，实际测出的电压是VH、VE、HEVN、VR和V0这5种电压的代数和.根据副效应的性质,采用电流和磁 场换向的对称测量法,尽量消减它们的影响.具体做法如下：

10、 给样品加（+B、+I）时，测得3、4两端横向电压为V = V + V + V + V + V0 ;1 HENR0 给样品加（+B、一I）时，测得3、4两端横向电压为V = V V + V + V V 2 HENR0 给样品加（一B、一I）时，测得3、4两端横向电压为V = V + V 一 V 一 V 一 V 3 HENR0 给样品加（一B、+I）时，测得3、4两端横向电压为V =一 V 一 V 一 V 一 V + V 4 HENR0由以上四式可得VV+ V3 一-V =4 V+4 V1234HE1VH=4（牛-V + V 23V ）一 V4通常VE比匕小得多，可以略去不计，因此霍尔电压为1V

11、 = 4 （V V + v v）H41234三、具体实验过程实验采 用霍 尔实验 组合仪， 给定的霍 尔元 件长 l=1.5mm， 宽 b=1.5mm， 厚 d=0.2mm，KH=184mV/（mA.T）.1. 首先根据仪器性能，连接测试仪与试验以之间的各种连线，注意接线对应连接.2. 实验中使用换向开关改变电源正负极的连接从而改变电流和磁场的方向，可以实现对称测量.在作vi曲线和vi曲线时，使H S H M 用控制变量法.3. 将测试仪的功能切换置于“V ” .H当I =500mA （磁感应强度B）保持不变时，调整I ,用换向开关改MS变电流和磁场的方向，测V1，V2，V3，V4.列表记录数

12、据如下：I (mA)SV (mV)1V (mV)2V (mV)3V (mV)4V - V + V - V /、V =23(mv)H4+B, +IS+B,IS-B,-IS-B, +IS0.5-1.170.88-0.881.17-1.031.00-2.341.76-1.762.34-2.051.50-3.502.62-2.633.50-3.062.00-4.663.50-3.504.67-4.082.50-5.824.37-4.375.83-5.093.00-6.995.27-5.247.01-6.13作 v I 曲线HSVHIS曲线注意到随着B和I的方向的改变，测得的V1, V2, V3, V4

13、大小不同,S1234这是由于霍尔效应的副效应引起的，最后用V =V + V3 V得 H4到可消除副效应对结果的影响.4. 当I =3.00mA保持不变时，调整I再次用换向开关改变电流SM ，和磁场的方向，测V1，V2, V3，V4列表记录数据如下:I (A)MV (mV)1V (mV)2V (mV)3V (mV)4“ V 一 V + V 一 VV =234H4(mv)+b, +iS+b, -iS-b, -IS-b, +iS0.100-2.110.35-0.352.11-1.230.1502.710.95-0.952.71-1.830.200-3.321.57-1.563.32-2.440.25

14、0-3.932.17-2.173.93-3.050.300-4.542.784.55-2.78-3.660.350-5.163.40-3.405.16-4.280.400-5.774.01-4.015.77-4.890.450-6.394.62-4.626.39-5.500.500-7.005.24-5.247.00-6.12作vi曲线H M-1VH111曲线-2-3-4-5-B-1Oi.4 0.450 1S 01.20.25 OU炉）X: D.2 Y： -2.44XX: 0.25r： -3.05N: 0-.4X： 0.35丫:Y:-4.2S判断霍尔片的导电类型：当I0, I0时，V小于零，则霍尔SMH片为N型半导体。由给定的K,根据公式K二R/d得霍尔系数：r =_3.68 x 104（cm 3/