纯晶体的凝固

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1、内容提要 由一种元素或化合物构成的晶体称为单组元晶体或纯晶体,该体系称为单元系。某组元由液相至固相的转变称为凝固。如果凝固后的固体是晶体,则凝固又称为结晶。研究纯晶体的凝固,首先必须了解晶体凝固的热力学条件。在恒压条件下,晶体凝固的热力 学条件是需要过冷度,即实际凝固温度应低于熔点T。m晶体的凝固经历了形核与长大两个过程。形核又分为均匀形核与非均匀(异质)形核。对于均匀形核,当过冷液体中出现晶胚时,一方面,体系的体积自由能下降,这是结晶的驱 动力;另一方面,由于晶胚构成新的表面而增强了表面自由能,这成为结晶的阻力。综合驱 动力和阻力的作用,可导出晶核的临界半径r*,其物理意义是,当半径小于r*

2、的晶胚是不稳 定的,不能自发长大,最终熔化而消失,而半径等于或大于r*的晶胚可以自发长大成为晶核。临界半径对应的自由能血称为形核功。理论推导表明,曲是大于零的,其值等于表 面能的三分之一,因此,这部分的能量必须依靠液相中存在的能量起伏来提供。综合所述可知,结晶条件需要过冷度、结构起伏(出现半径大于r*的晶胚)和能量起伏。在研究结晶问题时,形核率是一个重要的参数,它涉及到凝固后的晶粒的大小,而晶粒尺寸 对材料的性能有重要影响。形核率受两个因素控制,即形核功因子核和扩散几率因子。对纯金属均匀形核研究发现,有效形核温度约在0.2T,表明均匀形核所需的过冷度很大。m而纯金属在实际凝固中,所需过冷度却很

3、小,其原因是实际凝固是非均匀(异质)形核。异 质基底通常可有效地降低单位体积的表面能,从而降低形核功,这种异质基底的催化作用使 非均匀(异质)形核的过冷度仅为0.02T。m形核后地长大涉及到长大的形态、长大的方式和长大的速率。影响晶体长大特征的重要因素是液一一固界面的构造。液一一固界面的结构可分为光滑界面 和粗糙界面。晶体的长大速率与其长大方式有关。连续长大方式对应的是粗糙界面,其长大速率最大,与动态过冷度(液一一固界面向液体推移时所需的过冷度)成正比;而二维形核+Z长大(螺 形位错形核对应)是光滑界面,它们的生长速率均小于连续长大方式的生长速率。纯晶体凝固时的生长形态不仅与液固界面的微观结构有关,而且取决于界面前沿液体中 的温度分布情况。在正的温度梯度下,粗糙界面的晶体,其生长形态呈平面状。在负的温度 梯度下,粗糙界面结构的晶体,其生长形态呈树枝状。重点与难点1 结晶的热力学、结构和能量条件;2 均匀形核的临界晶核半径和形核功的推导;3 润湿角的变化范围及其含义;4 液固界面的分类5 晶体的生长方式及其对生长速率的关系;6液固界面结构和液固界面前沿液体的温度分布对晶体形态的影响;7减小晶粒尺寸的方法;重要概念与名词凝固,结晶,近程有序,结构起伏,能量起伏,过冷度,均匀形核,非均匀形核,晶胚, 晶核,临界晶核,临界形核功,光滑界面,粗糙界面,温度梯度,平面状,树枝状。重要公式

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