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1、习题一1.1用万用表的电阻挡测量二极管的正向电阻值时,用不同的量程测出的电阻值是否相同?为什么?解：用不同的量程测出的电阻值不相同。因为使用万用表的欧姆挡时，表内电路为1.5V电池与一个电阻串联。但不同量程时 电阻阻值不同，量程越大，电阻值也越大。1.2.试判断图题1.2中的二极管是导通还是截止？设二极管是理想的，求出A、O两端的电压uAO？图题1.2解：(a)假设二极管D断开，则UD=-4-（-10）=6V，所以D导通，UAO=-4Vi(b) 假设二极管D1和D2断开，则UD1=0-（-12）=12V，UD2=-15-（-12）=-3V，所以D1优先导通，UAO=0V，D2截止。(c) 假设
2、二极管D1和D2断开，则UD1=9V，UD2=9-（-6）=15V，所以D2优先导通，UAO=-6V，D1截止。1.3.电路如图题1.3所示，已知ui10sint(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图题1.3 图1.3解：ui和uo的波形如解图1.3所示。1.4 已知V，二极管的正向压降可忽略不计，试画出图题1.4各电路输出电压的波形。图题1.4解：图略1.5 电路如图题1.5（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。（a）图题1.5解：（1）当uI1=uI2=0.3V时，则D1和D
3、2导通，uO=0.4V；（2）当uI1和uI2至少有一个为3V时，则D1和D2中至少有一个导通，uO被钳为在2.3V；图略。1.6 有两只晶体管，一只的200，ICEO200A；另一只的100，ICEO10A，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？解：应选用第二只管子。1.7 某晶体管一时辨认不出型号，但可以从电路中测出它的三个电极对地电压分别为：U1=-6.2V，U2=-6V，U3=-9V。试分析哪个电极是发射极、基极、集电极。该管是NPN型还是PNP型？是锗管还是硅管？你能说出其中的道理吗？解： U3=-9V的电极是集电极，U2=-6V的电极是发射极，U1=-6.2V的电极是基极
4、。该管是NPN型、锗管。1.8 测得某电路中几个三极管的各极电位如图题1.8示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区？解：(a) 放大区(b) 截止区、(c) 放大区(d) 饱和区(e) 截止区、(f) 临界饱和区(g) 放大区(h) 放大区图题1.8示1.9 电路如图题1.9所示，晶体管导通时UBE0.7V，=50，VCC=9V，Rc =2K，RB=50K。试分析输入电压UI分别为8V、4V和1V时，T的工作状态及输出电压uO的值。图题1.9解：（1）当UI8V时，A 所以T处于饱和状态。 （2）当UI4V时，因为 A 所以T处于放大状态。 （3）当UI1V时，发射结反偏，T截止
5、。 1.10分别判断图题1.10所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。图题1.10解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能1.11场效应管的转移特性如图题1.11所示，试分别判断它们属于哪种类型的管子？对于耗尽型的，指出夹断电压UGS(off)，和饱和电流IDSS的值；对于增强型的，指出其开启电压UGS(th的值。图题1.11解：图111(a)：N沟结型FET，IDSS=4mA，UGS(off)4V。 图111(b)：N沟耗尽型MOSFET，IDSS=2mA，UGS(off)4V。图111(c)：P沟增强型MOSFET，IDSS=无意
6、义，UGS(th)-2V图111（d）P沟耗尽型MOSFET ，IDSS=2mA，UGS(th)2V1.12 场效应管的输出特性如图题1.12所示，试分别判断它们属于哪种类型的管子？对于耗尽型的，指出夹断电压UGS(off)的值；对于增强型的，指出其开启电压UGS(th的值。图题1.12解：图112(a)：N沟结型FET，UGS(off)4V。 图112(b)：N沟增强型MOSFET，UGS(th)1V。图112(c)：N沟耗尽型MOSFET，UGS(off)3V。1.13 结型场效应管的输出特性如图题1.13所示，试求出（1）夹断电压UGS(off)，和饱和电流IDSS的值；（2）当UDS=
7、10V，ID=4mA时的跨导gm。图题1.13解：（1）UGS(off)3V，IDSS=6mA。（2）通过UDS=10V，ID=4mA的点作一条横坐标的垂线，则可得uGS=1V, idS=2mA, 所以 1.14指出图题1.14所示的电路中场效应管分别工作在饱和区、夹断区还是可变电阻区？其中 两个管子的参数分别为：(a)IDSS2mA，UGS（off）4V，VDD12V，RD =5K；(b)IDSS3mA，UGS（off）3V，VDD 12V，RD =2K； (a) (b)图题1.14解：(a)UGSQ=0V ID=IDSS=2（设场效应管工作在饱和区） UDS=VDD-IDD=12-25=2 当UGSQ=0V 所对应的转折点的UDS=UGS-UGS（OFF）=0-（-4）=4 工作在可变电阻区(b)P沟道结型场效型管UGSQ=0，则对应的电流ID= IDSS3mA，相对应的区与区的转折点电压为UDS=UGS UGS（off）3V，设场效型管工作在饱和区，则UDS=VDD IDRD12+33V=6 3场效型管工作在饱和区1.15 分别判断图题1.15所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。图题1.15解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
