微星主板bios设置详解.doc

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1、微星主板bios设置详解 一、BIOS主菜单1、Standard CMOS Features 标准CMOS属性2、Advanced BIOS Features 高级BIOS 属性3、Integrated Peripherals 整合周边设备4、Power Management 电源管理5、H/W Monitor 硬件监测6、Green Power 绿色节能7、BIOS Setting Password 开机密码设置8、Cell Menu 核心菜单9、M-Flash U盘刷新BIOS10、User Settings 用户设置项11、Load Fail-Safe Defaults 加载安全缺省值1

2、2、Load Optimized Defaults 加载优化值13、Save & Exit Setup 保存设置并退出14、Exit Without Saving 退出而不保存二、Cell Menu 核心菜单设置1、CPU相关设置CPU相关设置有9项1-1、CPU Specifications:这是查看CPU的规格和参数,也可以随时按F4查看。1-2、AND Cool n Quiet:AMD CPU的节能技术,也叫“凉又静”。依据CPU负载改变CPU的倍频和电压。当CPU空闲时,核心电压降到最低,倍频也降到最低。如果主板有微星的APS功能,请开启这个选项。该选项的设置是Enabled和Disa

3、bled。1-3、Adjust CPU FSB Frequency (MHz):调整CPU的前端总线频率。默认的频率是CPU的标准FSB频率,用户可以自己调整,就是超频。在这里直接键入频率数值,比如220。1-4、Adjust CPU Ratio:调整CPU的倍频。AMD的CPU一般是锁定最高倍频的,只能降低倍频。有个别不锁倍频的CPU才可以调整到更高的倍频。该项的默认设置是Auto。敲回车,弹出倍频列表,用户可以从中选择希望的倍频。1-5、Adjust CPU-NB Ratio:调整CPU内北桥(内存控制器)的倍率。AMD CPU整合了内存控制器,这个选项可以调整内存控制器的倍率。调整这个倍

4、率要与内存频率设置相互配合,一般需要多次调整,才能达到最佳效果,如果设置不正确,可能引起蓝屏死机。1-6、EC Firmware:EC固件设置。这是AMD SB710芯片组新开的一个设置项,用于开启被AMD关闭核心(有部分是不能正常运作的)。这项的默认设置是Normal。敲回车,弹出选项菜单供用户选择。Normal是普通模式,就是不开启关闭的核心。Special是特殊模式,开启被关闭的核心。注意这个选项要配合下面的Advanced Clock Calibration设置。1-7、Advanced Clock Calibration:高级时钟校准。这是SB750开始有的有的功能。用于校准CPU的

5、时钟频率,同时支持AMD的CPU超频软件AMD Over Drive。SB710继承了这项功能,还可以配合EC Firmware开启关闭的核心。默认设置是Disabled。敲回车弹出选项菜单:Auto是自动模式。想开启关闭的核心,请设置为Auto。All Cores是对所有核心都进行相同的高级时钟校准。选择了All Core后,菜单会多出一个选项。就是要求选择校准的百分比。在Value上敲回车会弹出百分比选择菜单。Per Core可以对每个核心单独设置时钟校准百分比。选择Per Core后,菜单会多出一个选项:也是要求选择校准的百分比。在每一个Value敲回车都会弹出百分比选择菜单。请注意,V

6、alue的个数与CPU的核心数相匹配,比如2核的就有2个Value选项。1-8、Auto Over Clock Technology:微星独有的一种自动超频技术,默认是Disabled,可以设置为Max FSB。就是系统自动侦测CPU可能超频的最大FSB值。设置该项后,系统可能重复启动多次,最后找到最大FSB启动。由于FSB涉及内存的频率,可能会因为内存缘故而出现在最大FSB情况下,不能进系统,或者蓝屏死机。1-9、Multistep OC Booster:这是微星独有的超频辅助技术,当CPU因超频较高,不能启动时,可以利用这个选项。它的作用是先以较低的频率启动进系统,然后再恢复原来频率。该选

7、项默认是Disabled,有Mode1和Mode2选项。Mode1是以低于原频率90%的频率启动。Mode2是以低于原频率80%的频率启动。2、内存相关设置内存设置有3项:2-1、MEMORY-Z:这是查看内存的SPD参数。也可以随时按F5查看插2条内存,弹出2条内存的SPD信息,如果插4条,就会有4条SPD信息。回车就可以查看1条内存的SPD:2-2、Advance DRAM Configuration:高级DRAM配置。就是用户自己配置内存时序参数。回车进入高级DRAM配置:2-2-1、DRAM Timing Mode:DRAM时序模式。有4项设置:Auto、DCT0、DCT1、Both。

8、Auto就是按内存条的SPD设置内存时序参数。DCT0是设置通道A,DCT1是设置通道B,Both是设置2个通道。默认设置是Auto。这是DCT0的时序参数设置:内存时序参数最主要的有4个。CL-tRCD-tRP-tRAS,这4个参数也是在内存条上常常看到的,比如8-8-8-24,就是这4个参数。附注:内存时序参数知识1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的,所以用行(Row)地址和列(Column)地址标识一个内存单元。2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址,才可以对内存读写。3、内存芯片是易失性存储器,必须经常对内存的

9、每个存储单元充电,才可以保持存储的数据。读写前要先对选定的存储单元预充电(Pre charge)。4、对内存的存储单元读写前要先发出激活(Active)命令,然后才是读写命令。5、CL就是CAS Latency,CAS(列地址选通)潜伏时间,实际上也是延迟。指的是CPU发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔。6、tRCD是RAS-to-CAS Delay,行地址选通到列地址选通的延迟。一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电,数据信号足够强。7、tRP是Row-Pre charge Delay,行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。在这段时间内

10、对激活的行充电。8、tRAS是Row-active Delay,行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值ns,也可用相对时间周期。一般多用周期表达。周期数越小,内存的速度越高。选购内存,不仅要看标注的频率,还要看标注的时序参数。内存时序参数标准由JEDEC制定。下面列出DDR3的时序参数规格,供参考。标准的时序参数有7-7-7/8-8-8/9-9-9三种,其中7-7-7的最好。还有非标准的7-8-8/8-9-9的,这种时序参数的内存条,上标称频率就会死机蓝屏。降一级频率就没有问题。2-2-2、DRAM Drive Strength:D

11、RAM驱动强度。该选项有4个参数,Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置,DCT0是设置通道A,DCT1是设置通道B,Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时,会增加设置项目,下面看看用户自己手动设置的项目:每个通道的信号驱动强度设置包括8项。CKE Drive Strength:时钟允许(Clock enable)信号驱动强度CS/ODT Drive Strength:片选/内建终端电阻驱动强度Addr/Cmd Drive Strength:地址/命令驱动强度Clock Drive Strength:时钟信号驱动强度Data Drive Strength:数据信

12、号驱动强度DQS Drive Strebgth:数据请求信号驱动强度ProcOdt:CPU内建终端电阻驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度,一般以默认为1,设置选项是默认的倍率:2-2-3、DRAM Advance Control:DRAM高级控制。该选项有4个参数,Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置,DCT0是设置通道A,DCT1是设置通道B,Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时,会增加设置项目,下面看看用户自己手动设置的项目:每个通道的高级控制有6项。DRAM Termination:内存芯片的片内终端电阻。从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻

13、放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数,设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默认是Auto。DRAM Drive Weak:减弱DRAM驱动强度。设置参数有Auto、Normal、Reduced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度,Reduced是减弱驱动强度。DRAM Parity Enable:允许DRAM 奇偶校验。奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。DRAM Self Ref

14、resh Rate Enable:允许DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充电,通过充电保持数据信号。自刷新是关闭系统时钟CKE,DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。DRAM Burst Length 32:DRAM突发模式的长度32。突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。连续读写的长度有32字节和64字节。这项设置就是选择32字节,还是64字节。设置参数有Auto、64字节、32字节。默认是Auto。Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。Bank Swizzle Mode:Bank搅和模式。内存芯

15、片内的存储单元是按矩阵排列的,每一矩阵组成一个Bank,芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等,一般中文称之为逻辑Bank。内存芯片组成内存条后,也有Bank,一般以64位为一个Bank。通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。双面就是2个Bank。CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位,一次交换64位数据,也就是通常说的“带宽”,双通道就是128位。这种Bank称之为物理Bank。CPU访问内存时先定位物理Bank,然后通过片选(信号)定位芯片内的逻辑Bank。插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank,访问命令不管实际有几个片选Bank,都是覆盖2个。Bank Swizzle模式就是通过异或(XOR)逻辑运算,判定实际的片选Bank。设置参数有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交给BIOS和系统处理。Disabled就是禁止Swizzle模式,Enabled就是允许。Swizzle模式可以提高CPU的性能,但是会影响显卡性能。一般还是设置Auto为好。2-2-4、1T/2T Memory Timing:1T/2T内存时序。这个选项也叫做“命令速度”,就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。

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