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1、RZC3606T高性能开关电源次级同步整流控制器功能描述RZC3606T 是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制器集成电路，可以方便地在 应用中构建满足 CoC V5 及 DoE 能效的低电压大电流开关电源系统，是理想的超低导通 压降整流器件解决方案。芯片集成了全时波形追踪功能，可支持高达 100kHz 的开关频率应 用，并且支持 CCM/CRM/DCM 等各种开关电源工作模式应用，可在开关电源的每一个波形 转换的边沿自动快速打开或关闭外部的 Low RDS(ON) MOSFET 器件，利用其极低的导通压 降实现远小于诸如肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流 器件
2、的温度，可方便地实现低压大电流的开关电源应用。带电压钳位的大电流图腾柱驱动输出可直接用于驱动外部的 MOSFET 器件，最高可达 1A 的峰值电流驱动能力可确保快速开通和关断外部的大电流 MOSFET 器件，获得优异的 转换效能；输出电压钳位功能使得高供电电压下栅极仍然安全可靠。芯片还内置了高压直接检测技术，检测端子耐压高达 120V，配合高达 15V 的供电电压 范围，使得控制器可直接使用高至 15V 的输出电压整流应用中，极大拓展了可使用范围。高 集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简单，在 5V 输出直接供电的应用中，只需搭配 1 颗 MOSFET 即可构建一个完整的开关电源输出同步整流
3、应用。功能特性支持开关电源 CCM/CRM/DCM 模式高电流超快速图腾柱输出驱动电路输出峰值驱动电流能力高达 1A极宽的输出电压范围:3.2V15V可 5V 直接供电或由辅助绕组供电内置高压隔离开关耐压高达 120V 配合 Low RDS(ON) MOS 构建理想二极管无开关时静态工作电流可低至 0.2mA支持开关电源频率最高至 100kHz极简外围最低仅有 1 颗 MOS 开关占板面积极小的 SOT23-5 封装形式应用领域高能效电源适配器多口 USB 充电器低压大电流开关电源深圳市骊微电子科技有限公司电源方案开发设计半导体专业供应商引脚图示引脚定义引脚号引脚名描述1VDD内部供电脚，连接
4、退耦电容2GND接地脚，连接外部 MOSFET 源极3GATE驱动输出脚，连接外部 MOSFET 栅极4VS波形检测脚，连接外部 MOSFET 漏极5VCC芯片供电脚典型应用电路+5VC11T1 U1VDDVCC5R44VS3GATE GND2Q1R1D1R2R3图 1.典型完整应用电路注：上图为 5V 输出的典型应用，输出电压低于 3V 或高于 7V 不能应用此电路。另外此图 方框内为优化的栅极驱动电路，对 EMI 性能无要求的可将方框内器件省去，芯片 3 脚 GATE 直接连接至 MOS 管的栅极。绝对最大额定值注 1参数数值VS 输入电压120VVS 输入电流+1-30mA 注 2VCC
5、 输入电压40VVDD 输入电压7.5V其他 PIN 脚输入电压-0.3V+7.5V耗散功率 PD250mW工作结温（TJ）+150存储温度-55+150焊接温度(焊接，5 秒)+260注 1：超过绝对最大额定值，可能对设备造成永久损坏。这些仅是极限参数，器件工作在这 些或其它超过“推荐工作条件”的状态都不是被推荐的。长时间工作在绝对最大额定状态会影 响器件可靠性。注 2：测试信号周期 1s，脉宽 1ms。推荐工作条件参数数值VCC 供电电压3.215VVS 峰值电压100V工作环境温度内部电路框图图 2.内部电路框图电气特性（无特别说明 Ta=25）项目符号测试条件最小值典型值最大值单位VC
6、C 供电部分开启电压VCC-ONVCC 从 0V15V3.03.13.2V关断电压VCC-OFFVCC 从 15V0V2.52.73.0VUVLO 磁滞电压VCC-HYT0.3V静态电流IVCCGATE=OPEN，VS=00.2mA工作电流ICCGATE=2.2nF，VS=50KHz2mAVDD 内部供电电压电压范围VDDRANGEVCC=OPEN3.07.5V额定电压VDDRATEDVCC=3.215V3.077.5V静态电流IVDDQVDD=5V，GATE=OPEN100uA欠压保护阈值VDDUVPVDD 从 7V0V4V电流限制IVDDC30mAGATE 驱动输出部分高边开关内阻RDUP
7、VCC=15V，IO=100mA2低边开关内阻RDDOWNVCC=15V，IO=-100mA1.5低电平VOLVCC=15V，IO=-100mA0.15V高电平VOHVCC=15V，IO=100mA6.57.5V上升时间T-R0V4V，CL=2nF20ns下降时间T-F4V0V，CL=2nF10ns接地电阻RGATE18KVS 波形采样部分耐压能力VVSBRIVS=10uA120V上拉电流ISDVS=0V50uA开通阈值电压VSTHONRVS=0-150-70mV关闭阈值电压VSTHOFFRVS=0-15mV重置阈值电压VSTHONSRVS=050100mV消隐保持时间THOLD0.5uS工作
8、原理描述RZC3606T 是一颗外形小巧的高性能次级侧同步整流控制 IC，针对高能效的开关电源 转 换器而设计，高兼容性可用于诸如 CCM/CRM/DCM 等各种电源模式中，可使低压大电 流输出的系统轻松地满足 CoC V5 及 DoE 级等国际能效标准要求。VCC 与 VDD 供电RZC3606T 内部电源管理单元在 VCC 上电后即开始工作，并产生所需要的各种参考电 压与电流信号，并在 VDD 端子输出一个稳定的电压（典型值为 7V）供内部电路使用，VDD 的电源退耦在芯片外部完成，通常只需在 VDD 端子对地并联一个不小于 2.2uF 的无极电容 即可，如下图所示。+12VC15T1 U
9、1VCCVDD1R44VSC23GATE GND2Q1R1D1R2R3图 3.VDD 退耦电路在输出电压不大于 7V 且不低于 3.2V 的应用中，可直接将芯片的 VCC 与 VDD连接在 一 起直接由输出进行供电，此时可无需额外的退偶电容，如图 1 典型完整应用电路。当输出 电压正常工作中有可能低于 3.2V（例如手机充电器在 CV 模式负载时）时应在 VCC 端子单 独提供可满足芯片正常工作范围的电压为芯片供电，例如直接从 MOS 漏极正反激整流一个 电压到 VCC 端子，但须保持 VCC 电压在最高输入电压条件下不大于 40V，如图 4 所示， 图中限流电阻 R1 是必须的且要仔细调整。
10、VOUTC1C3T1D1R1U15VCCVDD14VSC2R4Q13GATE GND2图 4.VCC 正反激供电电路当输出电压可能会低于 3.2V 但上述方式又无法满足最高 VCC 电压在 40V 以下时， 可 使用一个单独的绕组为芯片进行供电，如图 5 所示。VOUTC1C3 R1D1U15VCCVDD14VSC2R4Q13GATE GND2R2VS 开关波形采样图 5.VCC 辅助绕组供电RZC3606T 使用了一个中高压工艺制程的波形采样电路，其耐压能力达 120V，因而可 通过 VS 引脚直接与变压器相连，从而获得开关电源的波形信号，并在内部进行分析判断， 从而在开关边沿正确快速的对外
11、部 MOSFET 进行开关控制。GATE 输出驱动芯片内置图腾柱驱动输出，同时具有电压钳位功能，当 VCC 电压高于 7.5V 时将自动 限制驱动输出电压幅度不大于 7.5V，从而避免驱动输出电压过高造成 MOSFET 栅极过压损 坏。典型 GATE 脚输出驱动波形如图 6，低电压关断信号，大幅减少 MOSFET 关断损耗， 有效提升系统整体效率。图 6.典型 GATE 脚输出驱动波形内置的驱动电路具有1A 的峰值电流驱动能力，应用中应在 GATE 端子与 MOSFET 栅 极之间串联必要的电阻网络，从而降低栅极驱动速度，优化 EMI 指标，同时保持快速的 MOSFET 开关速度，保持良好的同步整流转换效率，优化的栅极驱动电路如图 1。PCB 布线应用中应保持合理的 PCB 布线方式，确保芯片相关连接引脚具有尽可能短的路径。任 何新设计 PCB，务必打样调试验证，确保散热与 EMC 性能得到有效保障。封装信息SOT23-5申明：规格书如有更新恕不另行通知。请在使用本芯片之前更新规格书至最新版。Copyright 2007 - 2019 RZC. All Rights Reserved
