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1、=精选公文范文，管理类，工作总结类，工作计划类文档，欢迎阅读下载=电力电子技术试题库答案电力电子技术试题库答案 一、填空题 1、 电力电子技术是利用对电能进行的技术.3电力电子技术研究的对象是、和电力电子装置的开发与应用。.1957年公司）研制出第一只晶闸管，它标志着的诞生。6、电力二极管的主要类型有，和肖特基二极管。7、电力二极管的主要类型有普通二极管，和。8、晶闸管是一种既具有，又具有的大功率半导体器件。9、晶闸管有三个电极，分别是，和门极或栅极。10、晶闸管有三个电极，分别是阳极，和。11、晶闸管的正向特性又有和之分。12、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的，而不能控制器件的。13、
2、电流的波形系数Kf指和比值。14、电力晶体管是一种、的双极型晶体管。15、电力晶体管的安全工作区分为和。16、双向晶闸管有两个电极和一个极。17、双向晶闸管有(I+触发方式)，III+触发和III-触发。18、IGBT的保护有，过电压保护和。19、降压变换电路的输出电压与输入电压的关系为，升压变换电路的输出电压与输入电压的关系为。20、全控型电力电子器件控制极既能控制器件的，也不能控制器件的。21、电力器件的换流方式有，负载换流和脉冲换流。22、负载换流式逆变电路分为，。23、按照稳压控制方式，直流变换电路可分为和。24、在脉冲频率调制工作方式下，维持,改变(Ts)。 在脉冲宽度调制工作方式下
3、，维持,改变(ton)。26、降压直流变换电路输出电压为，输出电流为。27、GTO在门极导通，在门极关断。28、晶闸管交流测过电压分为和。29、在单相半波整流电路中，晶闸管所承受的最大电压为，其最大输出电压为。30、单相半波可控整流电路当控制角越大，波形系数，输出电压平均值。31、在单相全波整流电路中，晶闸管所承受的最大电压为，其最大输出电压为。32、单相半波带大电感负载加续流二极管的可控整流电路中，流过晶闸管的电流平均值为Id/2）,有效值为/2】1/2）。33、单相半波带大电感负载加续流二极管的可控整流电路中，流过续流二极管的电流平均值为Id/2）,有效值为/2】1/2）。 单相桥式大电感
4、负载的可控整流电路，流过每一个晶闸管的电流平均值为，有效值为。35、单相全控桥整流电路电阻性负载整流输出电压平均值为，而带大电感性负载时输出电压平均值为。36单相半控桥带大电感负载接续流二极管时，流过晶闸管的、电流平均值为Id/2）,有效值为/2】1/2）。 三相全控桥整流电路带大电感负载时，输出电压平均值为，晶闸管承受的最大电压为。38、单结晶体管从截止区转变为负阻区的转折点为，该点的电压为。在升降压变换电路中，当结晶体管的负阻特性是指和之间的特性。45、PWM逆变电路有和两种控制方式。46、有源逆变主要用于、和高压直流输电以及太阳能发电等。 二、判断题 1、 晶闸管的门极既可以控制它的导通
5、，也可以控制它的关断。2、晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。3、晶闸管的门极可以控制它的导通，但不能控制它的关断。4、晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。5、额定电流为100A的晶闸管，允许通过的最大平均电流为157A。6、在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。7、在室温下门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为掣住电流。 ( 错 )8、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。 9、在晶闸管加上触发电压，当
6、元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为维持电流。 10、反励式变换器是指开关管导通时电源将电能转换为磁能储存在电感中，开关管截止时再将磁能转换为电能传送给负载。 并联谐振式逆变电路，为了实现负载换流，要求补偿后的总负载呈容性。12、并联谐振式逆变电路，为了实现负载换流，要求补偿后的总负载呈感性。13、直流测为电流源的逆变电路称为电流型逆变电路。14、直流测接大电感的逆变电路称为电流型逆变电路。直流测接大电容的逆变电路称为电流型逆变电路。16、电压型逆变电路其直流电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。 17、电压型逆变电路其直流电压基本无脉动，直流
7、回路呈现高阻抗。 18、电压型逆变电路其交流侧电压波形为矩形波，电流波形接近三角波或正弦波。19、电压型逆变电路其交流侧电流波形为矩形波，电压波形接近三角波或正弦波。20、电流型逆变电路其直流电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。 21、有源逆变是将直流电逆变成与交流电网同频率的交流电回馈电网。22、有源逆变是将直流电逆变成其它频率的交流电供负载使用。23、为了实现有源逆变其直流侧的直流电动势应稍大于变流器直流侧的平均值。24、为了实现有源逆变其直流侧的直流电动势应稍小于变流器直流侧的平均值。 全桥直流变换电路根据控制方式的不同可分为双极型PWM控制方式和单极型PWM控制方式。升压直流变换电路是
8、一种输出电流的平均值高于输入直流电流的变换电路。27、升降压直流变换电路的输出电压平均值可以大于或小于输入直流电压。 28、库克变换电路与升降压变换电路本质上是一样的。29、库克变换电路与升降压变换电路输出输入关系式相同，但本质上是不一样的。30、库克变换电路属于升降压型直流变换电路。 31、三相可控整流电路带电感性负载时输出电压平均值计算公式只有一个。 32、硒堆可以吸收浪涌过电压，但是用过被击穿后就不能再用。32、硒堆可以吸收浪涌过电压，用过被击穿后还能再用。33、硒堆长期放置不用会发生储存老化现象。34、硒堆长期放置不用不会发生储存老化现象。35、如果控制角太小，会造成逆变失败。36、如
9、果逆变角太小，会造成逆变失败。37、交流调压电路是既改变频率，又改变输出电压的幅值的电路。38、交流调压电路是维持频率不变，只改变输出电压的幅值的电路。39、交流调压电路是维持输出电压的幅值不变，只改变频率的电路。 双向晶闸管的四种触发方式中I触发灵敏度最高。41、双向晶闸管的四种触发方式中III-触发灵敏度最高。42、双向晶闸管的四种触发方式中III触发灵敏度最高。43、双向晶闸管的四种触发方式中I-触发灵敏度最高。44、IGBT是将MOSFET与GTR的优点集于一身。45、峰点电流是维持单结晶体管导通的最小电流。 46、谷点电流是维持单结晶体管导通的最小电流。47、单结晶体管自激振荡电路可
10、以触发电阻性负载和电感性负载电路。48、单结晶体管自激振荡电路只能触发电阻性负载电路。49、单结晶体管自激振荡电路只能触发电感性负载电路。 三、名词解释 晶闸管的额定电压：门极断开，元件处在额定结温时，正向阳极电压为正向阻断不重复峰值电压UDSM的80所对应的电压称为正向重复峰值电压UDRM。元件承受反向电压时，阳极电压为反向不重复峰值电压URSM的80所对应的电压，称为反向重复峰值电压URRM。晶闸管铭牌标注的额定电压，通常取与中的最小值，然后取标准系列。 晶闸管的额定电流：在环境温度为400和规定的冷却条件下，晶闸管在电阻性负载导通角不小于1700的单相工频正弦半波电路中，当结温稳定且不超
11、过额定结温时，所允许的最大通态平均电流，称为额定通态平均电流，用IT(AV)表示，将此电流按表所示的晶闸管标准电流系列取相应的电流等级，称为元件的额定电流。3、动态平均电压：在规定的环境温度、标准散热条件下，当元件流过正弦半波的额定电流平均值和处于稳定结温时，元件阳极与阴极之间电压降的平均值称为通态平均电压。4、维持电流：在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。5、掣住电流：在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。6、晶闸管断态电压临界上升率：晶闸管的结在阻断状态下相当
12、于一个电容，若突加一正向阳极电压，便会有一个充电电流流过结面，该充电电流经靠近阴极的PN结时，产生相当于触发电流的作用，如果这个电流过大，将会使元件误触发导通，因此对晶闸管必须规定允许的最大断态电压上升率。我们把在规定条件下，晶闸管直接从断态转换到通态的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率。7、GTR的二次击穿：处于工作状态的GTR，当其集电极反偏电压UCE逐渐增大到最大电压定额BUCEO时，集电极电流急剧增大，但此时集电结的电压基本保持不变，这叫做一次击穿。发生一次击穿时，如果有外接电阻限制电流Ic的增大，一般不会引起GTR的特性变坏。如果继续增大UCE，又不限制Ic的增长，当Ic上升到
13、A点时，UCE突然下降，而Ic继续增大，这个现象称为二次击穿。8、GTR安全工作区：是指在输出特性曲线上GTR能够安全运行的电流电压的极限范围。9、换相重叠角：在以前分析和计算可控整流电流时，都认为晶闸管为理想开关，实际上整流变压器有漏抗，晶闸管之间的换流不能瞬时完成，会出现参与换流的两个晶闸管同时导通的现象，同时导通的时间对应的电角度称为换相重叠角。10、晶闸管的伏安特性：晶闸管阳极与阴极之间的电压Ua与阳极电流Ia的关系曲线。11、换相过电压：是指晶闸管与全控型器件反向并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，该反向电流急剧减少，会线路电感在器
14、件两端感应出过电压。12、关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而线路电感在器件两端感应出的过电压。13、控制角：在单相相控整流电路中，定义晶闸管从承受正向电压起到触发导通之间的电角度称为控制角或触发角。14、导通角：晶闸管在一个周期内导通的电角度称为导通角。15、自然换相点：是三相电路中各相晶闸管能被正常触发导通的最早时刻，在该点以前，对应的晶闸管因承受反压而不能触发导通，称为自然换流点。 四、简答题 简述GTR基极驱动电路的功能：答：提供合适的正反向基流以保证GTR可靠导通与关断。实现主电路与控制电路的隔离。自动保护功能，以便在故障发生时快速自动切断驱动信号，避免损坏GTR。电路尽
15、可能简单，工作稳定可靠、抗干扰能力强。 简述IGBT的性能与参数特点：答：IGBT的开关特性好，开关速度快，其开关时间是同容量GTR的1/10。IGBT的通态压降低。IGBT的集电极电流最大值ICM。IGBT的安全工作区比GTR宽，且具有耐脉冲电流冲击的能力。IGBT的输入阻抗高，可达1091011数量级，呈纯电容性，驱动功率小。与VDMOS和GTR相比，IGBT的耐压可以做的更高，最大允许电压可达4500V以上。IGBT的最高允许结温TjM为1500。VDMOS的通态压降随结温升高而显著增加，而IGBT的通压降在室温和最高结温之间变化很小，具有良好的温度特性。3、简述晶闸管整流电路对触发脉冲
16、的要求：答：触发信号可为直流、交流或脉冲电压。触发信号应有足够的功率。触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿尽可能陡，以使元件在触发导通后，阳极电流迅速上升到掣住电流而维持导通。触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步。4、简述晶闸管有源逆变的条件：答：有直流电动势源，极性与晶闸管的导通方向一致，且数值稍大于变流器直流侧的平均电压。变流器工作在900范围。直流侧串接大电感。5、简述无源逆变电路的分类：答：根据输入直流电源特点分：电压型；电流型。根据电路的结构特点分：半桥式；全桥式；推挽式。根据换流方式分：负载换流型；脉冲换流型；自换流型。根据负载特点分：非谐振式；谐振式。6、简述逆导晶闸管在使用时应注意的问题。 答：逆导晶闸管的反相击穿电压很低，只能适用于反向不需承受电压的场合。逆导晶闸管存在着晶闸管区和整流区之间的隔离区。逆导晶闸管的额定电流分别以晶闸管和整流管的额
