位错成像原理

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位错是一位错线为中心的一个管道畸变区,在位错管道区内晶体畸变,在管道区, 原子偏离其平行位置,使晶面发生不同程度的局部旋转。通过倾转试样使完整区域的 晶面稍微偏离布拉格条件,而位于多原子面两边畸变的晶面满足布拉格条件而产生强 烈的衍射,形成G和-G衍射斑点。由于倒易点拉长那些偏离布拉格条件的晶面仍然有 少量的衍射强度。用 G 衍射束双束成像将产生位错线的像,在暗场像中位错线为亮线, 在明场线中,位错线为暗线。位错线的像总是偏离而位于实际位错的一侧,偏离方位 取决于用那个衍射束成像。由于偏离参数s随离开衍射晶面而逐渐变化,因此衍射强 度在一定范围内变化,而位错线的像具有一定的宽度。若是多束成像条件,由于同时 有多个衍射束存在,在明场像中则位错线的像可能是两根大体平行的暗线,类似于对 称弯曲试样所产生的双弯曲条纹。标定位错图像:

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