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1、 深 圳 大 学 本 科 毕 业 论 文（设计） 题目: 低功耗CMOS电压参考电路的设计研究 姓名: 高晓杰 专业: 集成电路设计与集成系统 学院: 信息工程学院 学号: 2011130344 指导教师: 姜梅 职称： 讲师 2015年 4 月19 日深圳大学本科毕业论文（设计）诚信声明本人郑重声明：所呈交的毕业论文（设计），题目 低功耗CMOS电压参考电路的设计研究 是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式注明。除此之外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。本人完全意识到本声明的法律结果。 毕业
2、论文（设计）作者签名： 日期： 年 月 日 目录摘要.11. 前言.11.1 选题背景.11.2 基准源发展史.11.3 国内外发展现状及趋势.3 1.3.1 低温漂系数基准源.3 1.3.2 低电压基准源.3 1.3.3 高电源抑制比基准源.3 1.3.4 低功耗基准源.4 1.4 本文主要工作和论文结构.42. 基准源的理论分析.62.1 基准源的分类.6 2.1.1 掩埋型齐纳二极管基准源.6 2.1.2 XFET基准源.6 2.1.3带隙基准源.72.2 经典带隙基准源的结构和原理.7 2.2.1 负温度系数电压的实现.8 2.2.2 正温度系数电压的实现.9 2.2.3 带隙基准电压
3、源基本结构.102.3 基准源的几个重要参数.11 2.3.1 温漂系数.12 2.3.2 电源抑制比.12 2.3.3 噪声.12 2.3.4 功耗.12 2.3.5 灵敏度.13 2.3.6 精度.13 2.3.7 启动时间.13 2.3.8负载调整率.13 2.3.9 长期稳定性.133. 工作在亚阈值区的传统MOSFET模型.14 3.1 MOSFET的物理结构.143.2 MOSFET的阈值电压.153.3 亚阈值区MOSFET的IV特性.163.4 亚阈值区MOSFET栅源电压的温度特性.163.5 传统亚阈值MOSFET基准源电路模型.174. 工作在亚阈值区的新型基准电压源.184.1 电路基本介绍.184.2 电路设计原理.184.3 电路具体设计.20 4.3.1 电路原理图.20 4.3.2 器件参数的确定.
