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1、目录第一章 项目背景分析3一、 半导体分立器件行业特点3二、 半导体分立器件行业发展概况5第二章 市场分析8一、 半导体分立器件行业发展趋势8二、 半导体分立器件行业发展趋势10第三章 产品方案分析14一、 建设规模及主要建设内容14二、 产品规划方案及生产纲领14产品规划方案一览表14第四章 运营模式分析17一、 公司经营宗旨17二、 公司的目标、主要职责17三、 各部门职责及权限18四、 财务会计制度21第五章 经济效益及财务分析25一、 基本假设及基础参数选取25二、 经济评价财务测算25营业收入、税金及附加和增值税估算表25综合总成本费用估算表27利润及利润分配表29三、 项目盈利能力
2、分析29项目投资现金流量表31四、 财务生存能力分析32五、 偿债能力分析32借款还本付息计划表34六、 经济评价结论34第六章 项目招标方案35一、 项目招标依据35二、 项目招标范围35三、 招标要求35四、 招标组织方式37五、 招标信息发布39第七章 总结40第一章 项目背景分析一、 半导体分立器件行业特点1、行业技术特点半导体分立器件的技术涵盖电气工程中的众多领域，不同领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展，并带来广阔的发展前景。随着终端产品的整体技术水平要求越来越高，功率半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展，CAD设计、离子注入、溅射、多层金属化、亚微米光刻等先进
3、工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提高、制造难度也相应增大。目前日本和美国等发达国家的功率器件领域，很多VDMOS（功率场效应管）、IGBT产品已采用VLSI（超大规模集成电路）的微细加工工艺进行制作，生产线已大量采用8英寸、0.18微米工艺技术，大大提高了功率半导体分立器件的性能。产品性能提高的同时，半导体分立器件的产品链也在不断延伸和拓宽。现代功率半导体分立器件向大功率、易驱动和高频化方向发展。晶闸管、MOSFET和IGBT在其各自领域实现技术和性能的不断突破，每类产品系列的规格、型号和种类愈加丰富。同时，新型产品如结合晶体管和晶闸管优点的集成门极换流晶闸管（IGCT
4、）及碳化硅、氮化镓等宽禁带功率半导体分立器件陆续被研发面世，并开始产业化应用，应用领域也渗透到能源技术、激光技术等前沿领域。我国半导体分立器件行业的整体技术水平仍落后于日本、韩国、美国和欧洲，国内产品种类较为单一，以硅基二极管、三极管和晶闸管为主，MOSFET、IGBT等产品近年才有所发展。目前，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及性能水平已有大幅提高。部分优质企业在功率二极管及整流桥领域的技术工艺水平已经达到或接近国际先进水平，并凭借其成本、技术优势逐步实现进口替代。但在部分高端产品领域，目前国内生产技术与国外先进水平尚存在一定的差距。2、行业周
5、期性、季节性、区域性特征（1）周期性半导体分立器件作为基础性的功能元器件，应用涵盖了消费电子、LED照明、智能电网、汽车电子、计算机及外设、网络通讯等众多下游领域。随着半导体分立器件行业新型技术特征的发展，其应用领域将不断扩大。由于半导体分立器件所服务的行业领域较为广泛，具体受下游单一行业周期性变化影响不显著，但与整体宏观经济景气度具有一定的关联性。（2）季节性由于半导体分立器件应用领域广泛，下游客户季节性需求呈现此消彼长的动态均衡，行业的季节性特征不明显，但是第一季度受到春节假期的影响，工厂开工时间较短，故第一季度销售较全年比重往往相对较小。（3）区域性国内半导体分立器件的生产及研发主要集中
6、在经济较为发达、工业基础配套完善的区域。经过多年发展，我国已形成了三大电子信息产业集聚区，即以江浙沪为中心的长江三角洲地区，以广州、深圳为龙头的珠江三角洲地区以及以北京、天津为轴线的环渤海湾地区。二、 半导体分立器件行业发展概况半导体分立器件主要用于各类电子设备的整流、稳压、开关、混频、放大等，具有广泛的应用范围和不可替代性。大功率、大电流、高反压、高频、高速、高灵敏度、低噪声等半导体分立器件由于不易集成或集成成本较高，依然具有广阔的发展空间；即使容易集成的小信号晶体管，由于其具有使用方面的灵活性和通用性，因而也具有稳定的发展空间。目前半导体分立器件产业通常沿着功率、频率和微型化等方向发展，形
7、成了新的器件理论和新的封装结构，各种新型半导体分立器件产品不断上市，促进着电子信息技术的快速发展。在全球范围内，依托电子信息产业的快速发展，半导体分立器件市场一直保持着较好的发展势头。虽然目前全球半导体分立器件市场也进入了调整发展期，但随着世界各国对节能减排的日益重视，半导体分立器件的应用已从传统的工业控制和4C（通信、计算机、消费电子、汽车）领域扩展到新能源、轨道交通、智能电网、变频家电、物联网、VR/AR、无线充电/快充等诸多产业，为行业提供了新的发展机遇。中国半导体分立器件产业在上世纪50年代初创，70年代逐渐成长，80年代的改革开放到90年代以后进入全面发展阶段，21世纪初中国加入WT
8、O，为我国半导体分立器件产业带来了新的发展契机。受益于国际电子制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推出的支持政策，半导体分立器件行业已经进入快速发展通道。目前，我国已经成为全球重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场，根据中国半导体行业协会数据，2018年我国半导体分立器件市场规模已达到2,658亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其技术及工艺的先进性，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间较大。从中长期看，国内功率半导体需求将持续快速增长。根据中国半导体行业协会预测，到2020年分立器
9、件的市场需求将达到3,103.5亿元。近年来物联网、可穿戴设备、云计算、大数据、新能源、医疗电子、VR/AR、安防电子等新兴应用领域将成为国内半导体分立器件产业的持续增长点。第二章 市场分析一、 半导体分立器件行业发展趋势信息产业数字化、智能化、网络化的不断推进，新材料（如GaN、AlN、SiC、SiGe、锑化物、金刚石、有机材料等）和新技术（如微纳米、MEMS、碳纳米管等）的不断涌现，都将对半导体分立器件未来的发展产生深远的影响，将会从不同的侧面促进半导体分立器件向高频、宽带、高速、低噪声、大功率、大电流、高线性、大动态范围、高效率、高亮度、高灵敏度、低功耗、低成本、高可靠、微小型等方面快速
10、发展。此外，随着智能移动终端、5G网络、物联网、新能源汽车、大数据、人工智能等新兴行业的发展，新型半导体分立器件也将不断涌现。1、新产品、新材料不断涌现，不断拓展新的应用领域当前半导体分立器件产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注，有望成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域，具有极强的应用战略性和前瞻性。目前美欧、日韩及台湾等地区已经实现SiC、GaN等新材料半导体功率器件的量产。新材料半导体的涌现将不断提升半导体器件的性能，
11、使得产品能够满足更多应用领域的需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品，尤其是高功率器件，由于其技术及工艺的先进性，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。目前，国内行业内企业通过多年的技术和资本积累，依托国家产业政策的重点扶持，也已开始布局新型半导体材料领域，并取得了一定成效。2、小型化、模块化、系统化程度不断提升未来伴随着移动智能终端、5G网络、物联网、新能源、AR/VR等新兴行业的发展，新型半导体分立器件将不断涌现，在替代原有市场应用的同时，将持续开拓新兴应用领域。同时，为了使现有半导体分立器件能适应
12、市场需求的快速变化，需要采用新技术、开发新的应用材料、继续优化完善结构设计、制造工艺和封装技术等，提高器件的性能。此外，下游电子信息产品小型化、智能化发展趋势，必然要求内嵌其中的半导体分立器件等关键零部件尽可能小型化、微型化以及多功能化。为适应整机装配效率和提高整机性能可靠性、稳定性的要求，半导体分立器件将趋于体积小型化、组装模块化、功能系统化。3、产业链属性决定IDM将成为主流发展模式半导体分立器件产业链主要包含器件及芯片设计、芯片制造、封装测试三大工艺环节，根据所涉及经营环节的不同，半导体分立器件制造业的经营模式分为纵向一体化（IDM）以及垂直分工两种。由于分立器件在投资规模方面采用IDM
13、模式具备经济效益上的较强可行性，同时半导体分立器件的产品设计和生产工艺都对产品性能产生较大影响，对企业设计与工艺结合能力要求较高，业内领先企业一般沿着原有业务进行产业链延伸，逐步完善IDM模式发展。由于不同企业的发展历程及技术优势不同，分立器件行业发展IDM模式有两种典型路径：一类是以芯片技术为基础的公司，该类企业通常在特定品种的分立器件拥有较强的竞争优势，为客户提供自主芯片对应的分立器件，在发展过程中逐步补强封测技术和产能。另一类是以封测技术为基础的公司，该类企业具备“多品种、多规格”的产品系列，可以为客户提供“一站式”采购服务，在发展过程中不断发展芯片技术和产能。二、 半导体分立器件行业发
14、展趋势信息产业数字化、智能化、网络化的不断推进，新材料（如GaN、AlN、SiC、SiGe、锑化物、金刚石、有机材料等）和新技术（如微纳米、MEMS、碳纳米管等）的不断涌现，都将对半导体分立器件未来的发展产生深远的影响，将会从不同的侧面促进半导体分立器件向高频、宽带、高速、低噪声、大功率、大电流、高线性、大动态范围、高效率、高亮度、高灵敏度、低功耗、低成本、高可靠、微小型等方面快速发展。此外，随着智能移动终端、5G网络、物联网、新能源汽车、大数据、人工智能等新兴行业的发展，新型半导体分立器件也将不断涌现。1、新产品、新材料不断涌现，不断拓展新的应用领域当前半导体分立器件产业正在发生深刻的变革，
15、其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注，有望成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域，具有极强的应用战略性和前瞻性。目前美欧、日韩及台湾等地区已经实现SiC、GaN等新材料半导体功率器件的量产。新材料半导体的涌现将不断提升半导体器件的性能，使得产品能够满足更多应用领域的需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品，尤其是高功率器件，由于其技术及工艺的先进性，还较大程度上依赖
16、进口，未来进口替代空间巨大。目前，国内行业内企业通过多年的技术和资本积累，依托国家产业政策的重点扶持，也已开始布局新型半导体材料领域，并取得了一定成效。2、小型化、模块化、系统化程度不断提升未来伴随着移动智能终端、5G网络、物联网、新能源、AR/VR等新兴行业的发展，新型半导体分立器件将不断涌现，在替代原有市场应用的同时，将持续开拓新兴应用领域。同时，为了使现有半导体分立器件能适应市场需求的快速变化，需要采用新技术、开发新的应用材料、继续优化完善结构设计、制造工艺和封装技术等，提高器件的性能。此外，下游电子信息产品小型化、智能化发展趋势，必然要求内嵌其中的半导体分立器件等关键零部件尽可能小型化、微型化以及多功能化。为适应整机装配
