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1、本人在网络上找了N久的,目前最全的,只有极个别简单的题没有写出来，别的都很全的.晶体结构2、（1）一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c，求出该晶面的米勒指 数；（2）一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c，求出该晶面的米勒指数。解：（1）h:k:l=1/2:1/3:1/6=3:2:1,该晶面的米勒指数为（321）；（2）（321）5、已知Mg2+半径为0.072nm，O2-半径为0.140nm，计算MgO晶体结构的堆积系 数与密度。解：MgO为NaCl型，O2-做密堆积，Mg2+填充空隙。rO2- =0.140nm，rMg2+=0.072nm，z=4，晶胞中质点体积
2、：(4/3r O2-3+4/3rMg2+ 3)4，a=2(r+r-)，晶胞体积=a3，堆积系数=晶胞中MgO体积/晶胞体积=68.5%，密度=晶胞中MgO质量/晶胞体积=3.49g/cm3。6、计算体心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、堆积系数。解：体心：原子数 2，配位数 8，堆积密度 55.5%； 面心：原子数 4，配位数 6，堆积密度 74.04%； 六方：原子数 6，配位数 6，堆积密度 74.04%。7、从理论计算公式计算NaC1与MgO的晶格能。MgO的熔点为2800，NaC1为80l, 请说明这种差别的原因。解：u=z1z2e2N0A/r0(1-1/n)/40，e=
3、1.60210-19，0=8.85410-12，N0=6.0221023，NaCl：z1=1，z2=1，A=1.748，nNa+=7，nCl-=9，n=8，r0=2.81910-10m，u NaCl=752KJ/mol；MgO：z1=2，z2=2，A=1.748，nO2-=7，nMg2+=，n=7，r0=2.1010m，uMgO=392KJ/mol；uMgO uNaCl，MgO的熔点高。9、证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为259；解：设球半径为a，则球的体积为4/3a3，求的z=4，则球的总体积（晶胞）44/3a3，立方体晶胞体积：(2a)3=16a3，空间利用率=球所占体积/空间体积=
4、74.1%，空隙率=1-74.1%=25.9%。10、金属镁原子作六方密堆积，测得它的密度为1.74克/厘米3，求它的晶胞体 积。解：=m/V晶=1.74g/cm3，V=1.3710-22。11、根据半径比关系，说明下列离子与O2配位时的配位数各是多? ro2-=0.132nm rSi4+=0.039nm rK+=0.133nm rAl3+=0.057nmrMg2+=0.078nm解：Si4+4；K+12；Al3+6；Mg2+6。13、有效离子半径可通过晶体结构测定算出。在下面NaCl型结构晶体中，测得 MgS和MnS的晶胞参数均为a=0.52nm(在这两种结构中，阴离子是相互接触的)。若Ca
5、S(a=0.567nm)、CaO(a=0.48nm)和MgO(a=0.42nm)为一般阳离子阴离子接触，试求这些晶体中各离子的半径。解：MgS中a=5.20?，阴离子相互接触，a=2r-，rS2-=1.84?；CaS中a=5.67?，阴-阳离子相互接触，a=2(r+r-)，rCa2+=0.95?；CaO中a=4.80?， a=2(r+r-)，rO2-=1.40?；MgO中a=4.20?， a=2(r+r-)，rMg2+=0.70?。14、氟化锂(LiF)为NaCl型结构，测得其密度为2.6gcm3，根据此数据汁算晶 胞参数，并将此值与你从离子半径计算得到数值进行比较。解：LiF为NaCl型结构
6、，z=4，V=a3，=m/V=2.6g/cm3，a=4.05?，根据离子半径a1=2(r+r-)=4.14?，a0.301?，O2-不能互相接触;（2）体对角线=a=4(r+r-)，a=4.665?；（3）=m/V=1.963g/cm3. 17、MgO和CaO同属NaCl型结构，而它们与水作用时则CaO要比MgO活泼，试 解释之。解：rMg2+与rCa2+不同，rCa2+ rMg2+，使CaO结构较MgO疏松，H2O易于进入，所以活泼18、根据CaF2晶胞图画出CaF2晶胞的投影图。19、算一算CdI2晶体中的I-及CaTiO3晶体中O2-的电价是否饱和。20、(1)画出O2-作而心立方堆积时
7、，各四面体空隙和八面体空隙的所在位置(以一个晶胞为结构基元表示出来)。(2)计算四面体空隙数、八而休空隙数与O2-数之比。 (3)根据电价规则，在下面情况下，空隙内各需填入何种价数的阳离子，并对每一种结构举出个例子。（a）所有四面体空隙位置均填满； (b) 所有八而体空隙位置均填满；(c) 填满半四面体空隙位置； (d) 填满半八面休空隙位置。解：（2）四面体空隙数/O2-数=2:1，八面体空隙数/O2-数=1:1； （3）(a)CN=4，z+/48=2，z+=1，Na2O，Li2O；(b)CN=6，z+/66=2，z+=2， FeO，MnO；（c）CN=4，z+/44=2，z+=4，ZnS，
8、SiC；(d)CN=6，z+/63=2，z+=4，MnO2。21、下列硅酸盐矿物各属何种结构类型：Mg2SiO4，KAISi3O8，CaMgSi2O6， Mg3Si4O10(OH)2，Ca2AlAlSiO7。解：岛状；架状；单链；层状（复网）；组群（双四面体）。22、根据Mg2SiO4在(110)面的投影图回答： (1) 结构中有几种配位多面体，各配位多面体间的连接方式怎样?(2) O2-的电价是否饱和?(3) 晶胞的分子数是多少? (4) Si4+和Mg2+所占的四面体空隙和八面体空隙的分数是多少?解：（1）有两种配位多面体，SiO4，MgO6，同层的MgO6八面体共棱，如59MgO6和49
9、MgO6共棱75O2-和27O2-，不同层的MgO6八面体共顶，如1MgO6和51MgO6共顶是22O2-，同层的MgO6与SiO4共顶，如TMgO6和7SiO4共顶22O2-，不同层的MgO6与SiO4共棱，TMgO6和43SiO4共28O2-和28O2-；（2）（3）z=4； （4）Si4+占四面体空隙=1/8，Mg2+占八面体空隙=1/2。 23、石棉矿如透闪石Ca2Mg5Si4O11(OH)2具有纤维状结晶习性，而滑石Mg2Si4O10(OH)2却具有片状结晶习性，试解释之。解：透闪石双链结构，链内的Si-O键要比链5的Ca-O、Mg-O键强很多，所以很容易沿链间结合力较弱处劈裂成为纤
10、维状；滑石复网层结构，复网层由两个SiO4层和中间的水镁石层结构构成，复网层与复网层之间靠教弱的分之间作用力联系，因分子间力弱，所以易沿分子间力联系处解理成片状。24、石墨、滑石和高岭石具有层状结构，说明它们结构的区别及由此引起的性质上的差异。解：石墨中同层C原子进行SP2杂化，形成大键，每一层都是六边形网状结构。由于间隙较大，电子可在同层中运动，可以导电，层间分子间力作用，所以石墨比较软。25、(1)在硅酸盐晶体中，Al3+为什么能部分置换硅氧骨架中的Si4+；(2) Al3+置换Si4+后，对硅酸盐组成有何影响? (3)用电价规则说明Al3+置换骨架中的Si4+时，通常不超过一半，否 则将
11、使结构不稳定。解：（1）Al3+可与O2-形成AlO45-；Al3+与Si4+处于第二周期，性质类似，易于进入硅酸盐晶体结构中与Si4+发生同晶取代，由于鲍林规则，只能部分取代；（2）Al3+置换Si4+是部分取代，Al3+取代Si4+时，结构单元AlSiO4ASiO5，失去了电中性，有过剩的负电荷，为了保持电中性，将有一些半径较大而电荷较低的阳离子如K+、Ca2+、Ba2+进入结构中；（3）设Al3+置换了一半的Si4+，则O2-与一个Si4+一个Al3+相连，阳离子静电键强度=3/41+4/41=7/4，O2-电荷数为-2，二者相差为1/4，若取代超过一半，二者相差必然1/4，造成结构不稳
12、定。 晶体结构缺陷1、 说明下列符号的含义：VNa，VNa，VCl，.(VNaVCl)，CaK，CaCa，Cai解：钠原子空位；钠离子空位，带一个单位负电荷；氯离子空位，带一个单位正电荷；最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心；Ca2+占据K.位置，带一个单位正电荷；Ca原子位于Ca原子位置上；Ca2+处于晶格间隙位置。2、写出下列缺陷反应式：(1)NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体；(2)CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶体；(3)NaCl形成肖脱基缺陷；(4)AgI形成弗仑克尔缺陷(Ag+进入间隙)。解：（1）NaClNaCa+ ClCl + VCl （2）CaCl2CaN
13、a + 2ClCl + VNa （3）OVNa + VCl （4）AgAgVAg + Agi3、MgO的密度是3.58克厘米3，其晶格参数是0.42nm，计算单位晶胞MgO的 肖脱基缺陷数。解：设有缺陷的MgO晶胞的晶胞分子数为x，晶胞体积V=(4.20)3，x=VN0/M=3.96,单位晶胞的肖脱基缺陷数=4-x=0.044、(a)MgO晶体中，肖脱基缺陷的生成能为6eV，计算在25和1600时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中，含有百万分之一摩尔的A12O3杂质，则在1600时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势，说明原因。解：（a）根据热缺陷浓度公式 n/N=exp(-E/2
14、RT)，E=6eV=61.60210-19=9.61210-19J,T=298k：n/N=1.9210-51，T=1873k：n/N=8.010-9；（b）在MgO中加入百万分之一的AL2O3，AL2O32ALMg + VMg + 3OO，AL2O3= 10-6，杂质缺陷=310-6/2=1.510-6，比较可知，杂质缺陷占优。5、MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJmol，计算该晶体在1000K和1500K的缺陷浓度。 解：n/N=exp(-E/2RT)，R=8.314，T=1000k：n/N=6.410-3；T=1500k：n/N=3.510-26、非化学计量化合物FexO中，Fe3+Fe2+=0.1，求FexO中的空位浓度及x值
