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控制器MOSFET开关特性 MOSFET的开启过程： 1、在t0前，MOSFET工作于截至状态，从t0开始，驱动开始开通；2、在区间t0-t1，栅极电源对Cgs电容充电，栅源电压慢慢升高，在t1时刻，Vgs等于维持电压Vth，MOSFET开始导通；在区间t1-t2，图1和图2的波形，差异很大，图1中，Vds在t1时刻就开始下降，在t1-t2下降幅度剧烈，在t2时刻，基本下降结束；但是在图2中，Vds在t2时刻才开始下降，米勒平台结束后，Vds降压结束！所以，如果以为准，那么，接下来我们可以对Millier Platform做出合理的分析：3、t1-t2区间，MOSFET未开启，VDS变化微弱，Cds变化很小，对GS 电容的充电影响不大；4、t2-t3区间，至t2 时刻，MOSFET 的VDS电压骤衰，此时Cds放电，导致Cgd的漏极端电压下降，开始放电，Millier 电容大大增加，然后，外部驱动对Millier电容进行充电，结电容Cgd的电压不变（有时会降一点），Millier 电容上电压最终变为0V，MOSFET 的VDS 电压等于Vgs的电压； MOSFET的关断过程：MOSFET的关断过程即为逆过程！备注：密勒电容(Miller Capacitance)就是跨接在放大器（放大工作的器件或者电路）的输出端与输入端之间的电容。 - 1 -
