宝石合成方法及原理汇总情况

《宝石合成方法及原理汇总情况》由会员分享，可在线阅读，更多相关《宝石合成方法及原理汇总情况（5页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、宝石合成方法及原理汇总情况宝石合成原理与方法（汇总）第一章绪论要点人造宝石材料的重要性 人造宝石材料的发展 基本概念 晶体生长基本理论一、人造宝石材料的重要性 随着科学技术的发展，人民生活水平不断提高，人类对宝石的需 求也逐渐增加。然而天然宝石材料的资源毕竟是有限的，而人工宝石 材料能够大批量生产，且价格低廉，故人工宝石材料在市场上占有较 大的份额。随着科学技术的发展，人工宝石材料的品种日益繁多 ,合成 宝石的特性也越来越接近天然品种。宝石学家不断面临鉴别新的人造 宝石材料的挑战。某些人工的晶体材料也用于工业产品及设备的制造及生产中。例 如，人造钇铝榴石被广泛用于激光工业，合成水晶是用作控制和

2、稳定 无线电频率的振荡片和有线多路通讯滤波元件及雷达、声纳发射元件 等最理想的材料。二、人造宝石材料的发展 人工制造宝石的历史可追溯到1500年埃及人用玻璃模仿祖母绿、 青金石和绿松石等。人工合成宝石始于 18 世纪中期和 19 世纪，由于 矿物学研究的发展以及化学分析方法取得的进展，使人们逐渐掌握了 宝石的化学成分及性质，加上化学工业的发展以及对结晶过程的认识， 人工合成宝石才变为现实。1892 年出现了闻名的“日瓦红宝石”，这 是用氢氧火焰使品质差的红宝石粉末及添加的致色剂铬熔融，再重结 晶形成优质红宝石的方法。随后，这种方法经改进并得以商业化。 1890 年，助熔剂法合成红宝石获得成功；

3、1900 年助熔剂法合成祖母 绿成功。从此，宝石合成业飞速地发展起来。合成尖晶石、蓝宝石、 金红石、钛酸锶等逐渐面市。1953 年合成工业级钻石、1960 年水热 法合成祖母绿及1970年宝石级合成钻石也相继获得成功。我国的人工 宝石材料的生产起步较晚。五十年代末，为了发展我国的精密仪器仪 表工业，从原苏联引进了焰熔法合成刚玉的设备和技术，六十年代投 产后，主要用于手表轴承材料的生产。后来发展到有20多家焰熔法合 成宝石的工厂，能生长出各种品种的刚玉宝石、尖晶石、金红石和钛 酸锶等。我国进行水热法生长水晶的研究工作，始于1958年。目前几 乎全国各省都建立了合成水晶厂。我国的彩色石英从1992

4、年开始生产， 现在市场上能见到的各种颜色品种的合成石英。七十年代，由于工业和军事的需要，尤其是激光研究的需要，我 国先后用提拉法生产了人造钇铝榴石（YAG）和钆镓榴石（GGG ）晶 体，它们曾一度被用于仿钻石。 1982年，我国开始研究合成立方氧化 锆的生产技术，1983 年投产。由于合成立方氧化锆的折射率高、硬度 高、产量大、成本低，很快取代了其它仿钻石的晶体材料。广西宝石 研究所1993年成功生产水热法合成祖母绿，现已能生产水热法合成其 它颜色的绿柱石及红、蓝宝石。合成工业用钻石在我国是1963年投 产的，至八十年代末，我国已有 300 余家合成工业用钻石的厂家。但宝石级合成钻石的生产还在

5、探索之中。 l995 年，我用化学气相沉积 法生长出了多晶金刚石薄膜，已在首饰方面应用。所以我国的人工宝 石制造工业，虽然起步较晚，但发展迅猛。我们与发达国家的差异正 在逐渐缩小。三、基本概念 1合成宝石：指人工或半人工的无机合成材料，其化学成分、原 子结构、物理性质与其天然对应无机宝石基本相同。A.原料：半人工材料；如天然去皮水晶作为合成水晶的原料； 人工分离出的原料AI2O3作为合成红宝石的原料； B .有天然对应物：天然红宝石-合成红宝石 它们的物理性质、化学成分和原子结构都基本相同；C.可以有小的差异：天然尖晶石：MgO : AI2O3 = = 1 :1, RI 1.718 , SG

6、3.60合成尖晶石： MgO： Al2O3=1： 1.53.5；RI 1.727， SG3.63正是这微小的差异，使我们能够区分它们。2人造宝石：指人工生产的非天然形成的无机材料。狭义的人造宝石：具有独特的化学成分、原子结构和物理性质的 人工宝石材料；如YAG:钇铝榴石，丫3AI5O12 ；无天然对应物，广义的人造宝石：人工生产的宝石，包括合成宝石；四、晶体生长基本理论:晶体生长最早是一门工艺，由于热力学、统计物理学及其它学科 在晶体生长中的应用，使晶体生长理论逐步发展完善起来。晶体生长的发生最初是从溶液或熔体中形成固相的小晶芽，即成 核。晶核形成后，就形成了晶体 -介质的界面，晶体生长最重要

7、的过 程就是界面过程。科学家们提出了许多生长机制或模型，结合热力学 和动力学探讨了这一过程。尽管晶体生长理论已有一百多年的发展历 程，但晶体生长理论还并不完善，现有的晶体生长模型还不能完全用 于指导晶体生长实践，为了提高晶体质量还有许多实际问题尚待解决。1成核成核过程实际是一个相变过程。相是一个体系中均匀一致的部分， 它与另外的其它部分有明显的分界线。图 1-1 石墨-钻石的相图化学成分相同的物质，在不同的温压条件下，可以呈不同的结构（同质多象）、或不同的状态如固相、液相和气相。相变：当某一体系在外界条件改变时，会发生状态的改变，这种 现象即相变。宝石合成的过程即生长晶体，从液相变为固相，或固

8、相 变为固相、气相变为固相；相变过程受温压条件、介质组分的控制。相图：根据相变理论公式（克拉帕珑方程），即反映压力、温度 和组分的关系，作出的表示相变、温度、压力、组分关系的图解。石墨的相图是一元相图，如图 1-1 所示。这个相图表明，在很大 的压力和温度围存在碳的固态相变。它是根据热力学原理，结合多次 实验和外推等做出的。石墨在温度 1400-16000C 和 4.5-6X109Kb 的 压力下会转变为钻石，该图是合成钻石的依据。影响成核的外因主要是过冷度和过饱和度，成核的相变有滞后现 象，即当温度降至相变点TO时，或当浓度刚达到饱和时，并不能看到成 核相变，成核总需要一定程度的过冷或过饱和

9、。在理想均匀环境下， 任何地方成核几率均匀，但实际条件常常不是理想均匀的。在空间各 点成核的概率不同，即非均匀成核。一般在界面上，如外来质点（尘 土颗粒表面）、容器壁以及原有晶体表面上容易形成晶核。在自然界， 如雨雪，冰雹的形成，在合成晶体过程中的单晶生长都是非均匀成核。在合成晶体过程中，为了获得理想的晶体，人为提供的晶核称为 种晶或籽晶。种晶一般都是从已有的大晶体上切取的。种晶上的缺陷，如位错、 开裂、晶格畸变等在一定的围会“遗传”给新生长的晶体。在选择种 晶时要避开缺陷。根据晶体生长习性和应用的要求，种晶可采用粒状、 棒状、片状等不同的形态。种晶的光性方位对合成晶体的形态、生长 速度等有很

10、大的影响。所以种晶的选择非常重要。2.晶体生长界面稳定性：晶核出现后，过冷或过饱和，驱使质点按一定的晶体结构在晶核 上排列生长。温度梯度和浓度梯度直接影响界面的稳定性，从而影响 晶面的生长速度、晶体的形态。晶体生长过程中，介质的温度、浓度会影响晶体与介质的界面的宏观形状，如是凸起、凹陷或平坦光滑。界面为平坦光滑状态，则界 面稳定性；如果生长条件的干扰，界面会产生凹凸不平，即形成不稳 定界面。影响界面稳定性的因素主要有熔体温度梯度、溶质浓度梯度、 生长速率等。A、熔体温度梯度：生长界面处的温度分布，有三种情况： 温度梯度为正，这是熔体为过热熔体；温度梯度为负，即dT/dx0,熔体为过冷熔体； 温

11、度梯度为零，即 dT/dx=0。温度梯度大于 0，熔体过热，远离界面温度高，突起处（温度高） 生长慢，凹入处（温度低）生长快；最终使晶体界面达到光滑；从而 导致界面稳定和平衡的状态。温度梯度小于或等于 0，熔体过冷，远离界面温度低，突起处（温度低）生长更快；不利于晶体界面光滑；所以导致界面不稳定。在熔体中结晶的合成方法，如提拉法，要使熔体温度略高于熔点， 而应该避免过冷或等于熔点的状况；合成过程中温度有波动，或局部 不均匀，则出现突起与凹入的界面，在晶体生长中应该尽量避免。氏溶质浓度梯度： 当晶体生长体系为多组分体系，或生长体系中含有杂质元素时， 晶体生长会发生分凝效应，即某元素在晶体与溶液中

12、的浓度不等。随 着晶面生长前移，界面前沿该元素的浓度将提高，形成了界面前沿液 体中的浓度梯度。该元素浓度的提高会改变凝固点温度，一般都会使 凝固点下降。这时，界面前沿液体中有两个温度分布，在界面前沿有 一个区域，实际温度小于液相温度，造成界面前沿出现过冷现象，这 种由成分分布变化而引起的过冷现象叫组分过冷。组分过冷现象也会 使界面变成不稳定的粗糙界面。但如果正温度梯度非常大，则不会产 生组分过冷现象。在溶液中生长时，溶质在界面附近汇集，在高浓度处有用质点作 为溶质不断结晶。C、生长速率梯度：晶体生长时，生长界面向液体或熔体推进，生长越慢界面越稳定 生长速率梯度与晶体生长动力学参数有关，也与温度梯度、浓度梯度 有关。上一页下一页