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1、泓域/功率半导体公司薪酬管理报告功率半导体公司薪酬管理报告xx（集团）有限公司目录一、 项目概况4二、 产业环境分析6三、 功率半导体：电能转换与电路控制的核心器件，关注IGBT、SiC器件的增量机遇7四、 必要性分析13五、 绩效反馈的形式13六、 绩效反馈及其重要性17七、 绩效反馈面谈过程中应注意的问题19八、 绩效反馈面谈的内容及策略22九、 薪酬等级25十、 薪酬结构的概念及其构成27十一、 薪酬结构设计的步骤29十二、 薪酬结构设计的目标30十三、 量表法32十四、 描述法39十五、 绩效评价主体的选择依据47十六、 不同绩效评价主体的选择与比较49十七、 工作业绩评价56十八、
2、工作能力评价57十九、 人力资源分析58劳动定员一览表58二十、 SWOT分析60二十一、 法人治理结构70二十二、 项目风险分析81二十三、 项目风险对策84一、 项目概况（一）项目基本情况1、承办单位名称：xx（集团）有限公司2、项目性质：扩建3、项目建设地点：xxx（待定）4、项目联系人：范xx（二）主办单位基本情况公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促
3、进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。公司全面推行
4、“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 （三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约67.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资34031.81万元，其中：建设投资28006.30万元，占项目总投资的82.29%；建设期利息369.6
5、8万元，占项目总投资的1.09%；流动资金5655.83万元，占项目总投资的16.62%。（五）项目资本金筹措方案项目总投资34031.81万元，根据资金筹措方案，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）18942.71万元。（六）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额15089.10万元。（七）项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：67800.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：55333.30万元。3、项目达产年净利润（NP）：9103.15万元。4、财务内部收益率（FIRR）：20.48%。5、全部投资回收期（Pt）：5.60年（含建设
6、期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：28676.73万元（产值）。（八）项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。二、 产业环境分析建设高质高效、持续发展的经济发展强市。经济保持平稳较快增长，产业结构优化升级，实体经济不断壮大，质量效益明显提高。创新驱动成为经济社会发展的主要动力，科技创新能力明显增强。区域协同发展取得明显成效，开放型经济达到新水平。产业强市成效显著，项目建设鳞次栉比，传统产业优化升级，新兴产业蓬勃兴起，现代农业和服务业迅猛发展、蒸蒸日上，市域综合经济实力和影响力迈上新台阶。建设生态良好、环境优美的秀美生态城市。城镇化进
7、程进一步加快，中心城区综合服务功能大幅提升，中小城市和特色小城镇格局基本形成，城镇化率达到60%以上。生态文明建设加快推进，具备条件的农村基本建成美丽乡村。节约型社会、循环经济深入发展，主要污染物减排如期实现省下达目标任务，森林覆盖率大幅提升，环境质量明显改善，经济、人口与资源环境相协调的发展格局初步形成。三、 功率半导体：电能转换与电路控制的核心器件，关注IGBT、SiC器件的增量机遇功率半导体是电能转换与电路控制的核心器件。主要功能为改变电路中的电压、电流、频率、导通状态等物理特性，以实现对电能的管理。功率半导体在电子电路中起到功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用，广泛应用于
8、汽车、工业控制、轨道交通、消费电子、发电与配电、移动通讯等电力电子领域，其实现电力转换的核心目标是提高能量转换率、减少功率损耗。功率半导体从早起简单的二极管向高性能、集成化方向发展。按类别划分，功率半导体可分为功率器件和功率IC两大类，其中功率器件主要包括二极管、晶体管和晶闸管，晶体管根据应用领域和制程不同又可分为IGBT、MOSFET和双极型晶体管等；功率IC属于模拟IC，包含电源管理IC、驱动IC、AC/DC和DC/DC等。为满足更广泛的应用需求和复杂的应用环境，器件设计及制造难度逐渐提高。功率半导体器件根据不同的器件特性分别应用于不同应用领域，二极管、晶闸管等器件生产工艺相对简单，在中低
9、端领域大量使用；IGBT、MOSFET等器件更多应用于高压、高可靠性领域，器件结构相对复杂并且生产工艺门槛较高，成本较高，在新能源汽车、轨道交通、工业变频等领域广泛使用。功率半导体下游应用广泛，几乎涵盖所有电子制造业。功率半导体的主要作用是电力转换和功率控制，核心目标为提高能量转换效率并减少功耗，其下游应用广泛，几乎涵盖所有电子制造业。从下游应用领域的占比来看，汽车是功率半导体最主要的下游应用领域，2019年全球功率半导体细分市场规模占比从高到低依次为：汽车（35%）、工业（27%）、消费电子（13%）和其他（25%）领域；国内市场方面，2019年汽车、消费电子、工业电源、电力、通信等其他领域
10、占功率半导体下游应用比重分别为27%、23%、19%、15%和16%。功率半导体市场结构：电源管理IC、MOSFET和IGBT位列前三。从市场结构来看，电源管理IC、MOSFET和IGBT为我国功率半导体占比最高的三个分支。根据IHS数据，截至2018年，我国电源管理IC市场规模为84.3亿美元，份额占比达61%，MOSFET和IGBT份额分别为20%和14%，三者占比合计达95%。近几年，受益下游消费电子、通讯行业和新能源汽车的快速发展，电源管理IC市场维持稳健增长态势，而未来随着新能源汽车行业快速发展，IGBT和MOSFET有望步入快速发展期。而在功率器件方面，MOSFET、功率二极管和I
11、GBT是功率器件中最重要的三个细分领域。从市场份额看，根据Yole数据，2017年全球MOSFET规模占功率器件市场的35.4%，位列第一，功率二极管和IGBT市场份额分别为31.3%和25.0%，分列第二、三位。汽车是功率最主要的下游应用领域，新能源汽车驱动功率市场发展。从下游应用领域看，汽车是功率半导体最主要的下游应用领域，2019年细分市场规模占比达35%。随着社会经济的快速发展及技术工艺的不断进步，新能源汽车及充电桩、智能装备制造、物联网、新能源发电、轨道交通等新兴应用领域逐渐成为功率半导体的重要应用市场，带动功率半导体需求快速增长。以新能源汽车为例，电驱系统是新能源汽车的动力源，相当
12、于传统汽车的发动机和变速箱，是新能源汽车的核心部件。随着新能源汽车逐步渗透，对应功率半导体市场规模也有望迎来快速增长。根据Omdia统计，预计2024年功率半导体全球市场规模将达到538亿美元，中国作为全球最大的功率半导体消费国，预计2024年市场规模达到197亿美元，占全球场比重为36.6%。IGBT是工控领域的核心。IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）全称为绝缘栅双极晶体管，结构上由BJT和MOSFET组合而成，兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，是未来功率半导体应用的主要发展方向
13、之一。IGBT是一个非通即断的开关器件，通过栅源极电压的变化控制其关断状态，能够根据信号指令来调节电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的，是能量变换与传输的核心器件。行业格局：英飞凌保持领先，国内企业合计市场份额较低。根据Omdia统计，全球IGBT市场竞争格局较为集中，2019年全球前五大IGBT标准模块厂商分别为英飞凌、三菱电机、富士电机、赛米控和日立功率半导体，合计市场份额约70%，其中英飞凌市场份额接近37%；在中国IGBT市场中，英飞凌仍保持领先的市场份额，国内企业合计市场份额较低，有巨大的发展空间。新能源汽车拉动IGBT需求。IGBT模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作
14、用，是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分显著，根据英飞凌年报显示，新能源汽车中功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的5倍以上。其中，IGBT约占新能源汽车电控系统成本的37%，是电控系统中最核心的电子器件之一，因此，未来新能源汽车市场的快速增长，有望带动以IGBT为代表的功率半导体器件的价值量显著提升，从而有力推动IGBT市场的发展。EVTank指出，2018至2025年我国新能源汽车IGBT市场规模将从38亿元增长至165亿元，2018-2025年复合增长率为23.33%。IGBT模块方面，从2020年全球IGBT模块应用占比来看
15、，工业控制占比33.5%，是目前IGBT最大的应用领域，新能源汽车占比14.2%。Omdia指出，未来，汽车电动化、智能化推动车规级IGBT成为增长最快的细分领域，新能源汽车在2024年将超过工业控制成为IGBT最大的下游应用领域，年均复合增长率达到29.4%，远超行业平均增速。SiC：SiC为代表的第三代半导体具有较高功率密度，适用于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。目前车规级半导体主要采用硅基材料，但受自身性能极限限制，硅基器件的功率密度难以进一步提高，硅基材料在高开关频率及高压下损耗大幅提升。与硅基半导体材料相比，以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。SiC器件整体成本仍处于较高水平，未来有望逐步下降。与传统硅基材料相比，SiC在能量损耗、封装尺寸和工作频率等方面优势明显，但由于在生产成本但由于生产设备、制造工艺、良率与成本的劣势，碳化硅基器件过去仅在小范围内应用。目前国际主流SiC衬底尺寸为4英寸和6英寸，晶圆面积较小、芯片裁切效率较低、单晶衬底及外延良率较低导致SiC器件成本高昂，叠加后续晶圆制造、封装良率较低，且载流能力和栅氧稳定性仍待提高，SiC器件整体成本仍处于较高水平。未来随着全球半导体厂商加速研发及扩产，产线良率将逐步提高，
