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1、关于MOSFET驱动电阻的选择等效驱动电路:VCCDRIVE o Rg h QLegsOL为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm,考虑其他走线因素，取L=Length+10 ( nH)，其中 Length 单位取 mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。VL+VRg+VCgs=12V(一 、令驱动电流Id := q击VCgs( t)得到关于Cgs上的驱动电压微分方程：fd石 VCgs( t) R+ VCgs( t)- Vdr= 0GtJ用拉普拉斯变换得到变换函数：G :=一LCS
2、 S 2+ L1C + 竽这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是 临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形， 这是我们不希望看到的，因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状 态，考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。LC根据以上得到2 CC Rsink，具体数 值大小同IC的峰值驱 动输出能力有关，可以 近似认为R=Vcc/Ipeak。 一般IC的驱动输出能 力在0.5A左右，因此 Rsource 在 20 Q 左右。由前面的电压电流 曲线可以看到一般的应 用中IC的驱动可以直 接驱动MOSFET，
3、但是 考虑到通常驱动走线不TR(nS)19492302045229Rg(ohm)10221001022100L(nH)303030808080是直线，感量可能会更大，并且为了防止外部干扰，还是要使用Rg驱动电阻进行抑制。 考虑到走线分布电容的影响，这个电阻要尽量靠近MOSFET的栅极。关于Rg、L对于上升时间的影响：(Cgs=1nF，VCgs=0.9*Vdrive)可以看到L对上升时间的影响比较小，主要还是Rg影响比较大。上升时间可以用 2*Rg*Cgs来近似估算，通常上升时间小于导通时间的二十分之一时，MOSFET开关导通 时的损耗不致于会太大造成发热问题，因此当MOSFET的最小导通时间确
4、定后Rg最大值1 Tonmin也就确定了 Rg哀nm ，一般Rg在取值范围内越小越好，但是考虑emi的话可以40 Cgs适当取大。以上讨论的是MOSFET ON状态时电阻的选择，在MOSFET OFF状态时为了保证栅 极电荷快速泻放，此时阻值要尽量小，这也是RsinkRsource的原因。通常为了保证快速 泻放，在Rg上可以并联一个二极管。当泻放电阻过小，由于走线电感的原因也会引起谐 振(因此有些应用中也会在这个二极管上串一个小电阻)，但是由于二极管的反向电流不 导通，此时Rg又参与反向谐振回路 用高频小信号管1N4148。VCC因此可以抑制反向谐振的尖峰。这个二极管通常使实际使用中还要考虑MOSFET栅漏极还有 个电容Cgd的影响，MOSFET ON时Rg还要对 Cgd充电，会改变电压上升斜率，OFF时VCCrWI
