《200MW高效太阳能电池片、100MW高效太阳能电池组件生产项目环境影响评价报告书》由会员分享，可在线阅读，更多相关《200MW高效太阳能电池片、100MW高效太阳能电池组件生产项目环境影响评价报告书（35页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、国环评证甲字第3213号（简 本）项目名称：200MW高效太阳能电池片、100MW高效太阳能电池组件生产项目 建设单位：成都浩朗科技有限公司评价单位：中国轻工业成都设计工程有限公司编制日期：2013年11月成都浩朗科技有限公司200MW高效太阳能电池片、100MW高效太阳能电池组件生产项目环境影响报告书简本目录1.建设项目情况11.1项目概况11.2主要建设内容11.3生产工艺31.4产业政策符合性131.5规划符合性132.建设项目周围环境现状162.1项目周围环境现状162.2项目评价范围163.环境影响预测与采取的环保措施173.1项目主要污染物类型、处理措施、排放情况173.2项目外环
2、境及主要保护目标193.3项目环境影响预测结果203.4项目污染物治理达标排放情况213.5项目环境风险影响分析223.6环保措施技术、经济论证223.7项目对环境影响的经济损益分析结果233.8项目卫生防护距离设置243.9建设单位拟采取的环境监测计划及环境管理制度244.公众参与264.1公众参与目的、作用和原则264.2公众参与调查的方式及内容275.环境影响评价结论296.联系方式306.1建设单位联系方式306.2评价单位联系方式30目录-1中国轻工业成都设计工程有限公司成都浩朗科技有限公司200MW高效太阳能电池片、100MW高效太阳能电池组件生产项目环境影响报告书简本 1. 1、
3、建设项目情况1.1 项目概况作为最理想的可再生发展，太阳能具有“取之不尽，用之不竭”的特点，而利用太阳能发电具有环保等优点，且不必考虑其安全性问题。这在发达国家得到了高度重视。在发展短缺，环境保护问题日益严重的我国，低成本高效率地利用太阳能将越发重要。太阳能电池就是利用光伏效应将太阳能直接转换为电能的一种装置。近10年里，全球太阳能电池产业规模新大了35倍，据有关机构统计，2008年，世界太阳能电池产量已达5456MW，组件产量已达6791MW。受国际市场拉动，我国太阳能电池产业同期也出现了迅猛增长，2002年以来我国太阳能电池产量的年均增长速度超过了100%，2008年太阳能电池产量已突破2
4、000MW，继2007年之后继续保持全球市场份额第一的地位。太阳能电池产业已成为全国许多地区的发展重点和投资热点，即使是在当前国际金融危机的大环境下，投资和发展的热情依然不减，且有方兴未艾之势。结合目前太阳能电池片及组件销售的形势，本项目筹建单位成都浩朗科技有限公司拟在成都市西南航空港经济开发区新建年产200MW大规格高效晶体硅太阳能电池及100MW配套电池组件生产能力生产线，总投资约为10.8亿元，总用地面积约235亩，建设生产车间、办公、仓库等公辅设施235500平方米，购置各类生产设备，建设配套设施，项目建成后形成年产200MW太阳能电池片及100MW电池组件的生产能力。项目经双流县发展
5、和改革局双发改投资备案2012104号备案同意。根据中华人民共和国环境影响评价法和国务院第253号令之规定，本项目应进行环境影响评价工作。受建设单位委托，由我公司承接了该项目环评工作，并组建了项目组。接受委托后，项目组立即开展了现场踏勘工作、资料收集工作、初步工程分析后，委托有资质单位开展现状监测工作，在对该建设项目进行详细工程分析和各专题研究后，编制了本环境影响报告书。1.2 主要建设内容新征土地235亩，生产车间、办公、仓库等公辅设施235500平方米，购置各类生产设备，建设配套设施，项目建成后形成年产200MW太阳能电池片及100MW电池组件的生产能力。项目组成表见表1。表1 本工程项目
6、组成及主要环境问题项目组成名称内容及规模主要环境问题备注施工期运营期南厂区（B区）主体工程太阳能电池片生产车间B区1、2、3号厂房，建筑面积48803.54m2,2F（局部3F），1条单晶硅太阳能电池片生产线，主要生产工艺包括预清洗、碱制绒、扩散、等离子刻蚀、去PSG、PECVD、印刷烧结、测试包装等，年产单晶硅太阳能电池片100MW。施工废水施工烟尘施工噪声施工固废废气、废水、固废、噪声B区6、7、8号厂房，建筑面积48803.54m2,2F（局部3F），1条单晶硅太阳能电池片生产线，主要生产工艺包括预清洗、碱制绒、扩散、等离子刻蚀、去PSG、PECVD、印刷烧结、测试包装等，年产单晶硅太阳
7、能电池片100MW。废气、废水、固废、噪声B区10、11、12号厂房，建筑面积48737.76m2,2F（局部3F），1条多晶硅太阳能电池片生产线，主要生产工艺包括预清洗、酸制绒、扩散、等离子刻蚀、去PSG、PECVD、印刷烧结、测试包装等，年产多晶硅太阳能电池片100MW。废气、废水、固废、噪声辅助公用工程供电高低压配电室，装机容量6000kVA，3台2000kVA干式变压器，位于9号厂房1F噪声供水生产生活用水依托园区市政供水，日用水量约2210m3/d；厂区雨污分流管网。噪声纯水站位于9号厂房1F，建筑面积1920m2，反渗透法（RO）纯水制备，纯水制备能力200t/h反洗废水循环水站3
8、套循环冷却水系统，位于9号厂房1F，包括循环冷却水池、冷却塔、冷冻机组和循环冷冻水池，总循环水量600m3/h，冷冻机组采用419KW（36.1X104kcal/h）乙二醇冷冻机组。噪声空压站1920m2，60Nm3/min无油空压机3套，位于5号厂房1F噪声制氮站3套制氮机组，采用深冷空分法制氮工艺，总氮气制备能力2400m3/h，分别位于2号、7号、11号厂房1F噪声仓储工程原料库房原料仓库7000m2，位于5号厂房1-2F噪声成品库房成品仓库16000m2，位于9号厂房1-2F、15号厂房1-2F噪声固废库房设置于15号厂房成品库房内，固废分类收集固废危废库房设置于固废库房内，各类危废分
9、类单独收集储存固废办公生活设施生产管理用房A区配套管理用房，建筑面积1131m2，2F，含食堂生活废水、生活垃圾环保设施污水处理生活污水隔油池50m3（代处理北厂区污水）污水、污泥2000m3/d生产生活废水处理设施，由含氟废水单元和有机废水单元组成，含氟废水单元采用钙盐沉淀，有机废水单元采用USAB+水解酸化+二级接触氧化工艺，设300m3污水事故池污水、污泥废气处理多晶制绒腐蚀槽酸性废气配备1套二级碱喷淋废气处理系统，1根25m排气筒废气、吸收废水酸洗、扩散、刻蚀酸性废气配备3套二级碱喷淋废气处理系统，3根25m排气筒废气、吸收废水POU燃烧室+湿式室净化装置+镀膜废气吸收塔，用于处理PE
10、CVD工艺产生的镀膜废气，配套1个20m排气筒废气、吸收废水丝网印刷烘干与烧结废气配备3套活性炭吸附有机废气处理系统，配套1个20m排气筒废气、固废单晶制绒有机废气净化装置2套，采用活性炭吸附，配套1个20m排气筒废气、固废北厂区（A区）主体工程太阳能电池组件生产车间A区1-7号厂房，建筑面积60580m2，2F（局部6F），设置3条太阳能电池组件生产线，主要生产工艺包括分检、正面焊接、背面串接、层压敷设、层压、切边、装框、接线盒焊接、高压测试等，年产太阳能电池组件100MW。废气、废水、固废、噪声辅助公用工程供电高低压配电室，装机容量2000kVA，1台2000kVA干式变压器，位于2号厂房
11、1F噪声供水生产生活用水依托园区市政供水，日用水量约111m3/d；厂区雨污分流管网。供气依托市政天然气管网循环水站1套循环冷却水系统，位于3号厂房1F，包括循环冷却水池、冷却塔，总循环水量80m3/h噪声空压站30Nm3/min无油空压机1套，位于1号厂房1F噪声仓储工程原料库房原料仓库共6000m2，位于1-7号厂房1F噪声成品库房成品仓库4000m2，位于6号、7号厂房1-2F噪声固废库房设置于6号厂房1F，固废分类收集固废危废库房设置于固废库房内，各类危废分类单独收集储存固废办公生活设施生活配套设施A区配套管理用房，建筑面积1131m2，2F，含食堂生活废水、生活垃圾、油烟车库地下车库
12、5956m2汽车尾气环保设施污水处理50m3生活污水隔油池+预处理池 污水、污泥废气处理生产废气布袋除尘装置3套，配套1个15m排气筒废气、固废员工食堂安装油烟净化装置，配套1个15m排气筒油烟1.3 生产工艺1.3.1 太阳能电池片生产工艺太阳能电池片制造主要包括预清洗制绒、扩散、等离子刻蚀、去PSG、PECVD镀膜、印刷烧结、测试包装等工艺，对于单晶/多晶硅片的处理，仅在制绒阶段工艺存在差异，后续工艺均相同。1、预清洗制绒工艺预清洗购进的原材料硅片由于表面附着粉尘、金属离子，采用超声波清洗方式进行清洗，洗涤采用去离子水，甩干后插入片篮，然后分别按照单晶/多晶硅片的不同性质进行碱/酸制绒。制
13、绒制绒是利用硅的各向异性腐蚀特性，在硅片表面蚀刻出类似于金字塔或凹坑状结构，其目的是利用陷光原理，减少光的反射率，提高短路电流，增加P-N结的面积，从而提高电池片成品的光电转换效率。、单晶硅片制绒单晶硅片采用碱制绒，即将硅片浸入70的制绒液中（5wt%NaOH，1.5wt%硅酸钠，5wt%异丙醇），反应1520min，利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀，采用碱与醇的混合溶液对晶面进行腐蚀，在硅表面形成无数的四面方锥体类似“金字塔”状的绒面。单晶硅片制绒工艺反应方程式为：制绒后的硅片表面附着部分制绒液，呈碱性，经去离子水漂洗甩干后，首先进入中和槽利用5%wtHCl溶液浸泡3min，去除表面残留的钠
14、离子和金属杂质，再进入酸洗槽内经5%wtHF溶液浸泡20S去除硅片表面的SiO2，HF去除SiO2反应式：酸洗槽出来的硅片再经去离子水两级溢流反洗后和喷淋后，通过氮气保护烘干的方式，得到干燥和洁净的硅片表面，然后将硅片送入扩散工序。制绒液通过添加异丙醇与NaOH反复使用，当使用一定时间后Na2SiO3浓度增加，导致反应效率降低，此时需整体更换制绒液，重新配制。、多晶硅片制绒多晶硅片采用酸制绒，即将硅片浸入68的混合酸液（氢氟酸、硝酸）中（10wt%HF，35wt%HNO3），反应1.52min，利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性，对硅进行氧化和络合剥离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，从而形成类似“凹陷坑”状的绒面。多晶硅片制绒工艺反应方程式为：制绒后的硅片经去离子水漂洗后，进入3%wtNaOH溶液碱洗槽进行洗涤，去除硅片表面未完全反应的表面腐蚀层，再经去离子水漂洗甩干后，进入中和槽利用10%wtHCl溶液浸泡3min，去除表面
