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1、baoxiaozi彳歿:麻擀E瞞弭&匪楼顶等级：业余侠客文章：33积分：703注册：2006-7-9交流一下可控硅关断过电压保护方式关于可控硅关断过电压保护 常见的有以下二种：1、每只可控硅分别并联RC方式；2、反向阻断式阻容保护，即整流桥+RC.（同时还可以对交流侧 和直流侧保护）。和大家交流一下，一般以上二种方式哪种更好些呢？ 大家所接触的励磁功率柜都用哪种方式？呈2007TT0 13:55:47chenxmit等级：超级版 主文章：积分：注册：-141095146072006-6沪悄悄话第 订信息 卫搜素 3邮箱 紀引用 谕回复2楼在可控硅分别并联合适RC方式效果最好，但参数计算复杂，且
2、器件的保护 不好搞，万一器件损坏（短路），会影响整个整流柜；反向阻断式阻容保护，即整流桥+RC.（同时还可以对交流侧和直流侧保护）， 效果差一些，电阻功耗大，但可以设立保险，安全性能好。baoxiaozi等级：业余侠客文章：33积分：703注册：2006-7-9楼尾007TT0 17:01:30第Q悄悄话辰好岌迫信息茁搜素 邮箱3引用心回复3不知道各厂家都侧向于哪种方式？感觉第一种方式，如果再配上交流侧和直流侧的阻容和压敏电阻保护，各 保护元件比较分散；而反向阻断式则比较集中，从机柜走线来看，后者是 不是更方便一些。割007-1-10 17:3 A 编辑6:50孤独的 我护悄悄话亠好友 信息
3、接索 邮箱总引用等级：版主 文章：351积分：12011 注册：2006-5-9呈2007T-23 23:16:50baoxiaozi等级：业余侠 客文章：积分：注册：337032006-7-9昱007T-24 17:22:43xiaoyaolll6我们的是第一种保护方式,我们每年的大修都量这两个元件的参数,我会更努力褊辑第悄悄话亠好岌訂信息百撰素 挪箱0引用迢回复6楼GIF此主题相关图片如下:中编辑 TE 宜忙二HI护悄悄话亠好友第 信息 撰素 邮箱0引用 丄回童Q悄悄话艮好岌.訂信息詡撰索 邮箱Q引用第9回复楼等级：贵宾 文章：123 积分：1607 注册：2006-7-2呈2007-2-
4、2 20:49:52等级：新手上路文章：5积分：240注册：2006-12-24我们厂采用的是UNITROL F系列调节器是第二种阻容回路另：论坛里讨论UNITROL 5000的贴子非常多 至今未见过F系列的相关内 容，是不是采用F系列的电厂本身就不多？戛2007T-24 21:47:23HDK这个问题好，可控硅关断过电压也就是换相过电压，其根源是相控整流 器由某一相关闭向另一相导通的过程中，形成的电压突变或电压差，欲 使励磁电流也突增，在发电机磁极这类大电感负载产生的-Ldi/dt感应 电势，则努力维持了励磁电流的平稳，这中间阳极电压越高，可控硅触 发角越大则换相过电压就越高，所以必须采取措
5、施进行保护。既然要保护我们先弄清楚保护对象的状态，1.已经触发导通的可控硅元 件两端电压仅为管压降，没有过电压，无需保护；2.刚刚关闭的可控硅 元件，正承受反向阻断电压不会导通，也无需保护;3.那么只有那个开 始承受正向电压，尚未触发的可控硅元件，|（苏：哪个呀，刚关闭的那个 吧？）有可能受到较高过电压或者dv/dt超过允许值而误导通，这才是 过压保护应该起作用的地方。那么如何选择保护？ 一方面选择保护的方式，另一方面选择保护的参 数。基本原则是保护电路不应该离被保护元件过远，所以第一种基本的 RC阻容保护仍是最有效的保护方式之一，只是参数选择要有针对性；再 辅以反相阻断式保护进一步吸收阳极和
6、转子侧的谐波能量，效果更好。 二者可以设计成相互补充、相互配合的组合型过电压保护，不必要非此 即彼的互相排斥，互相取代，尺有所短、寸有所长，当然这方面我们也 正在偿试，可望不久会有所突破。HDK等级：贵宾第 护悄悄话亠好岌 信息 撰索 邮箱妒引用A编辑文章：123积分：1607注册：2006-7-2其实现代电机励磁的过电压保护问题，已经不仅仅是对可控硅元件的保 护问题，它还牵扯到整个励磁回路，乃至转子磁极、电机的轴电压轴电 流和轴承轴瓦的运行安全，随着电机规格的做大、参数的提高，励磁谐 波过电压对电机运行的潜在危害也越发暴露出来，如磁极铁芯的电腐 蚀、较咼的轴电压、轴电流对轴承油膜的破坏并导致烧瓦事故等等，其 根源就是我们上面的分析，其问题就是我们的过电压保护方式和参数配 置不合理或不够全面完整，保护的范围太窄或不够有效，期望励磁人能 跳出励磁的圈子来看待这个问题，即要保证励磁自己不出事，也不要对 发电机或其它设备造成干扰或损害。戛2007-2-2 21:14:120編辑
