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1、泓域咨询/南通碳化硅项目投资计划书目录第一章 项目基本情况7一、 项目名称及投资人7二、 编制原则7三、 编制依据8四、 编制范围及内容9五、 项目建设背景9六、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 行业发展分析14一、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积14二、 碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛15三、 SiC材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局17第三章 项目背景及必要性18一、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期18二、 直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC将加速替代18三、 提升中心城市能级
2、，加快推进新型城镇化19四、 高效畅通经济循环，积极拓展国内市场22五、 项目实施的必要性24第四章 选址方案26一、 项目选址原则26二、 建设区基本情况26三、 壮大实体经济规模，筑牢产业高质量发展根基33四、 项目选址综合评价35第五章 产品规划与建设内容36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表36第六章 建筑工程方案分析38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案40三、 建筑工程建设指标41建筑工程投资一览表41第七章 SWOT分析43一、 优势分析（S）43二、 劣势分析（W）45三、 机会分析（O）45四、 威胁分析（T）46第八
3、章 法人治理52一、 股东权利及义务52二、 董事59三、 高级管理人员63四、 监事66第九章 原辅材料及成品分析68一、 项目建设期原辅材料供应情况68二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理68第十章 进度实施计划70一、 项目进度安排70项目实施进度计划一览表70二、 项目实施保障措施71第十一章 项目节能方案72一、 项目节能概述72二、 能源消费种类和数量分析73能耗分析一览表73三、 项目节能措施74四、 节能综合评价75第十二章 技术方案76一、 企业技术研发分析76二、 项目技术工艺分析79三、 质量管理80四、 设备选型方案81主要设备购置一览表82第十三章 环境保护分析83
4、一、 编制依据83二、 建设期大气环境影响分析83三、 建设期水环境影响分析84四、 建设期固体废弃物环境影响分析85五、 建设期声环境影响分析86六、 环境管理分析87七、 结论88八、 建议88第十四章 劳动安全90一、 编制依据90二、 防范措施93三、 预期效果评价97第十五章 投资计划方案98一、 投资估算的依据和说明98二、 建设投资估算99建设投资估算表103三、 建设期利息103建设期利息估算表103固定资产投资估算表105四、 流动资金105流动资金估算表106五、 项目总投资107总投资及构成一览表107六、 资金筹措与投资计划108项目投资计划与资金筹措一览表108第十六
5、章 经济收益分析110一、 经济评价财务测算110营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表111固定资产折旧费估算表112无形资产和其他资产摊销估算表113利润及利润分配表115二、 项目盈利能力分析115项目投资现金流量表117三、 偿债能力分析118借款还本付息计划表119第十七章 项目风险分析121一、 项目风险分析121二、 项目风险对策123第十八章 项目总结分析126第十九章 附表附件128主要经济指标一览表128建设投资估算表129建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134营业收
6、入、税金及附加和增值税估算表135综合总成本费用估算表135利润及利润分配表136项目投资现金流量表137借款还本付息计划表139第一章 项目基本情况一、 项目名称及投资人（一）项目名称南通碳化硅项目（二）项目投资人xx（集团）有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（待定）。二、 编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环
7、境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大
8、限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。三、 编制依据1、国家建设方针，政策和长远规划；2、项目建议书或项目建设单位规划方案；3、可靠的自然，地理，气候，社会，经济等基础资料；4、其他必要资料。四、 编制范围及内容1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工程技术方案；6、公用工程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；1
9、1、经济评价。五、 项目建设背景SiC衬底和外延技术壁垒较高，存在长晶速度慢、扩径难度高、杂质控制难度高等难点。目前行业处于寡头垄断局面，Wolfspeed占据全球SiC材料超过60%市场份额（根据Yole）。2020年SiC材料市场规模5.92亿美元，2025年将达29.90亿美元，CAGR为38.2%。1）目前全球SiC材料处于跑马圈地阶段，海内外加速扩产，国内远期规划年产能超400万片/年，建议关注重复建设问题；2）虽然国内产能规划量很大，但是由于良率及衬底质量原因，国内有效产能仍然稀缺，尤其是导电型衬底，中长期行业能达到45%-50%毛利率，建议关注具备优质产能的龙头。六、 结论分析（
10、一）项目选址本期项目选址位于xx（待定），占地面积约31.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨碳化硅的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资13643.40万元，其中：建设投资10935.13万元，占项目总投资的80.15%；建设期利息111.65万元，占项目总投资的0.82%；流动资金2596.62万元，占项目总投资的19.03%。（五）资金筹措项目总投资13643.40万元，根据资金筹措方案，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）9086.41万
11、元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额4556.99万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：23900.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：20135.83万元。3、项目达产年净利润（NP）：2743.74万元。4、财务内部收益率（FIRR）：12.28%。5、全部投资回收期（Pt）：6.84年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：11393.62万元（产值）。（七）社会效益由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。本项
12、目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积20667.00约31.00亩1.1总建筑面积38442.681.2基底面积12400.201.3投资强度万元/亩328.612总投资万元13643.402.1建设投资万元10935.132.1.1工程费用万元9137.532.1.2其他费用万元1484.482.1.3预备费万元313.122.2建设期利息万元111.652.3流动
13、资金万元2596.623资金筹措万元13643.403.1自筹资金万元9086.413.2银行贷款万元4556.994营业收入万元23900.00正常运营年份5总成本费用万元20135.836利润总额万元3658.327净利润万元2743.748所得税万元914.589增值税万元882.1410税金及附加万元105.8511纳税总额万元1902.5712工业增加值万元6602.2813盈亏平衡点万元11393.62产值14回收期年6.8415内部收益率12.28%所得税后16财务净现值万元163.08所得税后第二章 行业发展分析一、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆
14、变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET
