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1、泓域咨询/南充碳化硅衬底项目商业计划书报告说明目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。根据谨慎财务估算，项目总投资11228.29万元，其中：建设投资8919.32万元，占项目总投资的79
2、.44%；建设期利息204.63万元，占项目总投资的1.82%；流动资金2104.34万元，占项目总投资的18.74%。项目正常运营每年营业收入19100.00万元，综合总成本费用14674.09万元，净利润3241.37万元，财务内部收益率21.89%，财务净现值5112.47万元，全部投资回收期5.85年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。经分析，本期项目符合国家产业相关政策，项目建设及投产的各项指标均表现较好，财务评价的各项指标均高于行业平均水平，项目的社会效益、环境效益较好，因此，项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本，制定好项目的详细
3、规划及资金使用计划，加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理，特别是加强产品生产的现金流管理，确保企业现金流充足，同时保证各产业链及各工序之间的衔接，控制产品的次品率，赢得市场和打造企业良好发展的局面。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 行业发展分析9一、 行业发展态势及面临的机遇9二、 碳化硅材料产业链11三、 碳化硅衬底类型17第二章 项目背景及必要性18一、 宽禁带半导体材料简介18二、 半导体材料行业概述20三、 碳化硅半导体行业的战略意义
4、20四、 打造区域带动作用强的重要增长极21五、 打造融入国内国际市场的经济腹地24六、 项目实施的必要性26第三章 公司基本情况27一、 公司基本信息27二、 公司简介27三、 公司竞争优势28四、 公司主要财务数据29公司合并资产负债表主要数据29公司合并利润表主要数据30五、 核心人员介绍30六、 经营宗旨31七、 公司发展规划32第四章 项目总论37一、 项目名称及建设性质37二、 项目承办单位37三、 项目定位及建设理由38四、 报告编制说明39五、 项目建设选址41六、 项目生产规模41七、 建筑物建设规模41八、 环境影响41九、 项目总投资及资金构成41十、 资金筹措方案42十
5、一、 项目预期经济效益规划目标42十二、 项目建设进度规划43主要经济指标一览表43第五章 产品规划方案46一、 建设规模及主要建设内容46二、 产品规划方案及生产纲领46产品规划方案一览表46第六章 选址方案分析48一、 项目选址原则48二、 建设区基本情况48三、 建设创新发展动能强的科创中心53四、 积极培育现代产业体系55五、 项目选址综合评价57第七章 运营管理模式58一、 公司经营宗旨58二、 公司的目标、主要职责58三、 各部门职责及权限59四、 财务会计制度62第八章 法人治理结构68一、 股东权利及义务68二、 董事73三、 高级管理人员77四、 监事79第九章 发展规划81
6、一、 公司发展规划81二、 保障措施85第十章 SWOT分析88一、 优势分析（S）88二、 劣势分析（W）89三、 机会分析（O）90四、 威胁分析（T）90第十一章 环境保护方案98一、 编制依据98二、 建设期大气环境影响分析99三、 建设期水环境影响分析101四、 建设期固体废弃物环境影响分析101五、 建设期声环境影响分析102六、 环境管理分析102七、 结论105八、 建议105第十二章 项目实施进度计划106一、 项目进度安排106项目实施进度计划一览表106二、 项目实施保障措施107第十三章 劳动安全生产分析108一、 编制依据108二、 防范措施111三、 预期效果评价1
7、13第十四章 组织机构管理115一、 人力资源配置115劳动定员一览表115二、 员工技能培训115第十五章 投资计划方案117一、 投资估算的依据和说明117二、 建设投资估算118建设投资估算表122三、 建设期利息122建设期利息估算表122固定资产投资估算表124四、 流动资金124流动资金估算表125五、 项目总投资126总投资及构成一览表126六、 资金筹措与投资计划127项目投资计划与资金筹措一览表127第十六章 项目经济效益分析129一、 经济评价财务测算129营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表130固定资产折旧费估算表131无形资产和其他资产摊销估算
8、表132利润及利润分配表134二、 项目盈利能力分析134项目投资现金流量表136三、 偿债能力分析137借款还本付息计划表138第十七章 项目招标及投标分析140一、 项目招标依据140二、 项目招标范围140三、 招标要求140四、 招标组织方式141五、 招标信息发布143第十八章 项目总结分析144第十九章 附表附录146主要经济指标一览表146建设投资估算表147建设期利息估算表148固定资产投资估算表149流动资金估算表150总投资及构成一览表151项目投资计划与资金筹措一览表152营业收入、税金及附加和增值税估算表153综合总成本费用估算表153利润及利润分配表154项目投资现金
9、流量表155借款还本付息计划表157第一章 行业发展分析一、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛，全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超
10、预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场
11、进行锁定，供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产
12、业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月，国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设；2021年3月，十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发
13、展。二、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延
14、片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，
15、有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技
