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1、第二章 晶体三极管概述1、结构：由两个背靠背的PN结组成，分NPN型和PNP型基区E oq CB(a)(b)PNPNPN无论是NPN型或是PNP型的三极管，它们均包含三个区：发射 区、基区和集电区，并相应地引出三个电极：发射极(E)、基极(B) 和集电极(C)。同时在三个区的两两交界处 形成两个PN结，分别 称为发射结和集电结。常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种三 极管类型：锗PNP、锗NPN、硅PNP、硅NPN四种系列。箭头方向：发射结正偏时实际电流流向，P-N 结构特点：(1) 发射区掺杂浓，基区、集电区掺杂稀，是N+PN或P+NP。(2) 基区很薄(“m),用两个二极管不能接成一个
2、三极管。三极管外观X813A3ADio2、用万用表判别三极管的引脚、类型和材料数字万用表应打到 档，打到 档时，万用表的实质测量电路如图。即让约为1mA的恒定电流流过被测器件，表头的读数即为被测器件 上的电压降，当该电压超过2V时，表头显示超量程（溢出）4位半 表显示为闪烁,3位半表显示，1”。内部恒流源的开路端电压约为2.8V（ 3 位半表），红表笔接电源正极，黑表笔接电源负极。显然当被测器件电阻值很大或开路时,表头显示超量程（溢出）EE对NPN管，当红笔接B,黑笔分别接E、C时表头有读数，如是Si管约为600700mV ,如是Ge管约为20030OmV对PNP管, 则当黑笔接B,红笔分别接
3、E、C时表头有读数。其他情况都有一个PN结是反向的，所以读数都是“溢出”载流子传输过程（1）发射区向基区注入电子由于发射结正偏，则E区自由电子（多子）扩散（注入）到B区形成电流IE，同时B区空穴也注入到E区形成电流IE。由于是EnEpN+P，%。2）注入的电子在基区边扩散边复合由E区注入到B区自由电子小部分在B区和空穴复合形成IB ,Bp 大部分继续扩散到集电结边沿。（3）集电区收集扩散来的电子和集电结两边少子的漂移 集电结加的是较大的反向电压，在该反向电压作用下，扩散到 集电结边沿的自由电子全部被拉到集电极，形成电流C1。同时，在Cn1该电压作用下，B区的少子自由电子和C区的少子空穴分别漂移
4、到 对方形成电流IC1和IC。它们的和就为集电结反向饱和电流ICBO。Cn1 CpCBO几个电流关系：IE= X IEpIB= IEpBp- ICBOIC= ICn1 + ICBO住要是IEn）（主要是 IBp ）（主要是 ICn1 ）IB+ IC= IEp + IBp- ICBOCn1CBOEpEn= IE把三极管当作一个结点，必然有上述关系。这么多电流中 ICn1 是有用的。它只受发射结正向电压的控制，不受Cn1集电结反向电压的控制。其它电流都是无用的，尤其要减小 IEp 和 EpIB发射结应是N+P,基区掺杂稀而且很薄。Bp希望IC / IE尽量大（接近1）CE说明：（1）两种载流子都参与导电，叫双极型晶体管（BJT）（2）不管是NPN还是PNP管，要使晶体管处于放大区，外部提供的条件都是“发射结正偏，集电结反偏”，只是两者外加的电压极性相反，管内实际电流方向相反。IBC0.2 0.3 V GeU UBE0.6 0.7 V Siu u :正 几 伏 以 上 CBEPNP： u u uEBCu uBE(0.6u (0.20V. 7 S)i0V. 3 G) eu u :负 几 伏 以 上 CBIB、 IC 是流进的BCIB、 IC 是流出的BCIE是流进的 EIE是流出的
