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1、模拟电子技术第1章 半导体二极管及其基本应用1. 1填空题1 半导体中有 空穴 和自由电子 两种载流子参与导电。2 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。3. PN结在 正偏 时导通 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大 ，正向压降将 减小。5. 整流电路是利用二极管的单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。6. 发光二极管是一种通以正向 电流就会 发光的二极管。7. 光电二极管能将 光 信号转
2、变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。8. 测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Q，交流电阻等于 26 Qo1. 2单选题1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （C ） oA .温度B.掺杂工艺 C .掺杂浓度D .晶格缺陷2. PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。A .价电子B .自由电子 C .空穴 D .杂质离子3. 硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B） oA .减小B.基本不变 C .增大4. 流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 （C ） oA .增大B.基本不变 C .减小5. 变容二极
3、管在电路中主要用作（D ） o 、A .整流 B .稳压 C .发光 D .可变电容器1. 3是非题1. 在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（V ）2. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（X ）3. 二极管在工作电流大于最大整流电流I f时会损坏。（X ）4. 只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。（X ）1. 4分析计算题1. 电路如图T1. 1所示，设二极管的导通电压 UD（on）=0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。解：（a）二极管正向导通，所以输出电压 U0= （6 0.7）V = 5.3 V。（b）令二极管断开，可得 UP =
4、 6 V、Uh= 10 V，UPUp-Uk,故 V1 优先导通 后，V2截止，所以输出电压U 0.7 V o2. 电路如图T1. 2所示，二极管具有理想特性，已知 ui = （sin 3t）V，试对应画出Ui、 Uo、i d的波形解：输入电压Ui为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即U0= 0，而流过二极管的电流iD= Ui/R,为半波正弦波，其最大值Id= 10 V/1 k Q = 10 mA;当Ui 为负半周时，二极管反偏截止，i d= 0, u= Ui为半波正弦波。因此可画出电压uo电流i d的波 形如图（b）所示。3. 稳压二极管电路如图T1. 3所示，已知UZ= 5
5、V, lz= 5 mA电压表中流过的电流忽 略不计。试求当开关s断开和闭合时，电压表Ov和电流表QA1读数分别为多大？解：当开关S断开，Rb支路不通，Ia2= 0,此时R与稳压二极管V相串联，因此由图可得 可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V。当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得 R两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，Ri、F2构成串联电路，电流表A、A的读数相同，即而电压表的读数，即 艮两端压降为3.6 V。第2章半导体三极管及其基本应用2. 1填空题1. 晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN 两种类型，它工作时有2 种载流子参与导电。2 .晶体
6、管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结 反偏_。3 .晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、 饱和、截止 _。4 一.当温度升高时，晶体管的参数B增大Icbo增大，导通电压UB减小_。5 .某晶体管工作在放大区，如果基极电流从 10卩A变化到20卩A时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数B约为_ 99。6 .某晶体管的极限参数 IcM=20mA Fb=100mWV Ubr）ce=30V,因此，当工作电压 UCe=10V 时，工作电流Ic不得超过10 mA ;当工作电压UCE=1V时，lc不得超过20 mA ;当工作电 流Ic=2 mA时，Uk不得超过
7、30 V。7 .场效应管从结构上可分为两大类：结型 、MOS ;根据导电沟道的不同又可分为N沟道 、P沟道 两类；对于MOSFET根据栅源电压为零时是否存在导电沟 道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型_。8 . UGs（off）表示 夹断 电压，Idss表示饱和漏极_电流，它们是 耗尽 型场效应管的 参数。2.2单选题1 .某NPN型管电路中，测得UBe=0 V, UBc= 5 V，则可知管子工作于（C ）状态。A .放大 B .饱和 c .截止 D .不能确定2. 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（B ）。A . NPN型低频小功率硅晶体管B . NPN型高频小功率硅晶体管
8、c . PNP型低频小功率锗晶体管D . NPN型低频大功率硅晶体管3. 输入（c ）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A .正弦小信号 B .低频大信号 c .低频小信号 D .高频小信号4. （ D ）具有不同的低频小信号电路模型。A . NPN型管和PNP型管 B .增强型场效应管和耗尽型场效应管c. N沟道场效应管和P沟道场效应管 D .晶体管和场效应管5. 当LGs= 0时，（B ）管不可能工作在恒流区。A . JFET B .增强型 MOS? c .耗尽型 MOS? D . NMO管6 .下列场效应管中，无原始导电沟道的为（B）。A . N 沟道 JFET B
9、.增强 AI PMOStc .耗尽型NMO管 D .耗尽型PMO管2 . 3是非题1 可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。(X )2 . MOSFE具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。(V )3 . EMO管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。(X )4 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。(V )5 .场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。(V )2. 4分析计算题1 .图T2. 1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。解：(a)UBE=U LE= 0.7 0= 0.7V，发射结正偏； U=U UC= 0.7 3 = 2.3 V，集电结反偏 因此
10、晶体管工作在放大状态。(b) Ube=UB UE= 23 = 1V,发射结反偏；UC= 2 5= 3 V，集电结反偏 因此晶体管工作在截止状态。(c) Ube=CB UE= 32.3 = 0.7V，发射结正偏；UC= 3 2.6 = 0.4V，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。(d) 该管为PNP型晶体管UEb=U UB= ( 2) ( 2.7) = 0.7V，发射结正偏； UCb=LC UB= ( 5) ( 2.7) = 2.3V，集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。2 .图T2. 2所示电路中，晶体管均为硅管，B =100,试判断各晶体管工作状态，并 求各管的Ib、Ic、LCe。解：(
11、a)方法一：设晶体管工作在放大状态，则有Ic=B Ib= 100X 0.053 = 5.3mALCe= 125.3 X 3 = 3.9 VIbs，所以晶体管处于饱和状态，因而有I b= 0.053 mA、I c= I cs= 3.9 mA、LCe= UCE(sat)= 0.3 V(b) I b (60.0084mA8.4 A510K设晶体管工作在放大状态，则有Ic= 100X 0.008 4 mA = 0.84 mAU ce= 5 V 0.84 X 3= 2.48 V U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。(c) 基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以
12、晶体管截止，则I B= 0， I C= 0,LCe= 5 V3. 放大电路如图T2. 3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各 电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。解：(a)将G、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将G、G短路、直流电源对地短 接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号 等效电路如下图(c)所示。(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图(a) 、(b)、(c)所示。4场效应管的符号如图T2. 4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转 移特性曲线。解：（a）为P沟道耗尽
13、型MOS管，它的转移特性曲线如下图（a）所示，其特点是ugs= 0 时，i D I DSS（b）为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图（b）所示，其特点是ugs 0 时，i d 0（c）为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图（c）所示，其特点是ugs 0时，i D I DSS,且 UGS 0第3章放大电路基础3.1填空题1. 放大电路的输入电压 U 10 mV,输出电压U 1 V，该放大电路的电压放大倍数为 100，电压增益为40 dB 。2. 放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越 大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小 ，放大电路的负
14、载能力就越 强_。3 .共集电极放大电路的输出电压与输入电压同 相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小 。4. 差分放大电路的输入电压 U 1 V，U 0.98 V ,则它的差模输入电压 Ud 0.02 V,共模输入电压UC 0.99 V 。5. 差分放大电路对差模 输入信号具有良好的放大作用，对共模 输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小 。6. 乙类互补对称功放由NPN 和PNP两种类型晶体管构成，其主要优点是效率咼 。7 .两级放大电路，第一级电压增益为 40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总 电压放大倍数为1000 倍，总电压增益为60 dB。8. 集成运算放大器输入级一般采用差分 放大电路，其作用是用来减小_零点漂移_。9. 理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等 ，称为 虚 短_;输入电流近似为0 ，称为 虚断_。10. 集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入 端和反相输入 端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相 。3. 2单选题1 .测量某放
