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1、二概管的快安特性号如图Z0107中晶体二极管也称半导体二极管，它是在PN结上加接触电极、引线和管壳封装而成的。按其结构，通常有点接触型和面结型两类。常用符V、V D （本资料用D）来表示半导粹二根背图却！ 11二惬管伏姿時惟H!（线帀意图-屯席符号图Z0107电路符号120103点接触型!JjZ0109面结合型JZOHO平直点接触型适用于工作电流小、工作频率高的场合；（如图Z01O8）面结合型适用于工作电流较大、工作频率较低的场合；（如图Z0109）平面型适用于工作电流大、功率大、工作频率低的场合。（如图Z011O）按使用的半导体材料分，有硅二极管和锗二极管；按用途分，有普通二极管、整流二极管
2、、 检波二极管、混频二极管、稳压二极管、开关二极管、光敏二极管、变容二极管、光电二极 管等。二极管是由一个PN结构成的，它的主要特性就是单向导电性，通常主要用它的伏安特性 来表示。二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两端的电压uD之间的关系或 曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的UI曲线，称二极管的伏 安特性曲线。图Z0111是二极管的伏安特性曲线示意图，依此为例说明其特性。一、正向特性由图可以看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不 足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零）， 二极管呈
3、现出较大的电阻。这段曲线称为死区。当正向电压升高到一定值Uy （Uth ）以后内电场被显著减弱，正向电流才有明显增加。 U 被称为门限电压或阀电压。UY视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般 为0.5V左右，锗管为0.1V左右。在实际应用中，常把正向特性较直部分延长交于横轴的一 点，定为门限电压UY的值，如图中虚线与U轴的交点。当正向电压大于uy以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。把正向电流随正向电压线 性增长时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用UF来表示。通常，硅管的导通电 压约为0.60.8V （般取为0.7V）,锗管的导通电压约为0.10.3V （般取为0.2V）。二
4、、反向特性当二极管两端外加反向电压时，PN结内电场进一步增强，使扩散更难进行。这时只有少 数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流 Ir。反向电流很小，且几乎不随 反向电压的增大而增大（在一定的范围内），如图Z0111中所示。但反向电流是温度的函数， 将随温度的变化而变化。常温下，小功率硅管的反向电流在nA数量级，锗管的反向电流在 M A数量级。三、反向击穿特性当反向电压增大到一定数值Ubr时，反向电流剧增，这种现象称为二极管的击穿，Ubr （或用表示）称为击穿电压，Ubr视不同二极管而定，普通二极管一般在几十伏以上且 硅管较锗管为高。击穿特性的特点是，虽然反向电流剧增，但二极管的
5、端电压却变化很小，这一特点成为制作稳压二极管的依据。四、二极管伏安特性的数学表达式由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示:式中，6为流过二极管的电流，uD。为加在二极管两端的电压，VT称为温度的电压当量， 与热力学温度成正比，表示为Vt =E q其中T为热力学温度，单位是K； q是电子的电荷量，円创恥心叱；k为玻耳兹曼常数，1.燹lEtT巧蒐室温下，可求得VT = 26mV。IR (sat)是二极管的反向 饱和电流五、温度对二极管伏安特性的影响二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高, 其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。一般在室温 附近，温度每升高1 C,其正向压降减小22.5mV；温度每升高10 C：，反向电流大约 增大1倍左右。综上所述，二极管的伏安特性具有以下特点： 二极管具有单向导电性； 二极管的伏安特性具有非线性； 二极管的伏安特性与温度有关。
