半导体物理知识点总结材料

《半导体物理知识点总结材料》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体物理知识点总结材料（34页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、word一、半导体物理知识大纲 核心知识单元A：半导体电子状态与能级课程根底掌握物理概念与物理过程、是后面知识的根底 半导体中的电子状态第1章 半导体中的杂质和缺陷能级第2章 核心知识单元B：半导体载流子统计分布与输运课程重点掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法 半导体中载流子的统计分布第3章 半导体的导电性第4章 非平衡载流子第5章 核心知识单元C：半导体的根本效应物理效应与应用掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用 半导体光学性质第10章 半导体热电性质第11章 半导体磁和压阻效应第12章二、半导体物理知识点和考点总结第一章 半导体中的电子状态本章

2、各节容提要： 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。最后，介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。在1.1节，半导体的几种常见晶体结构与结合性质。重点掌握在1.2节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进展比拟，在此根底上引入本征激发的概念。重点掌握在1.3节，引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。重点掌握在1.4节，阐述本

3、征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。重点掌握在1.5节，介绍盘旋共振测试有效质量的原理和方法。理解即可在1.6节，介绍Si、Ge的能带结构。掌握能带结构特征在1.7节，介绍-族化合物的能带结构，主要了解GaAs的能带结构。掌握能带结构特征本章重难点：重点：1、 半导体硅、锗的晶体结构金刚石型结构与其特点；三五族化合物半导体的闪锌矿型结构与其特点。2、 熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同：孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动，自由电子是在恒定为零的势场中运动，而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动共有化运动，单电子近似认为，

4、晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以与其它大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期一样。3、 晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂，是形成半导体能带的原因，半导体能带的特点： 存在轨道杂化，失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导带，下能带称为价带 低温下，价带填满电子，导带全空，高温下价带中的一局部电子跃迁到导带，使晶体呈现弱导电性。 导带与价带间的能隙Energy gap称为禁带forbidden band.禁带宽度取决于晶体种类、晶体结构与温度。 当原子数很大时，导带、价带能级密度很大，可以

5、认为能级准连续。4、 晶体中电子运动状态的数学描述：自由电子的运动状态：对于波矢为k的运动状态，自由电子的能量E，动量p，速度v均有确定的数值。因此，波矢k可用以描述自由电子的运动状态，不同的k值标志自由电子的不同状态，自由电子的E和k的关系曲线呈抛物线形状，是连续能谱，从零到无限大的所有能量值都是允许的。晶体中的电子运动：服从布洛赫定理：晶体中的电子是以调幅平面波在晶体中传播。这个波函数称为布洛赫波函数。求解薛定谔方程，得到电子在周期场中运动时其能量不连续，形成一系列允带和禁带。一个允带对应的K值围称为布里渊区。5、 用能带理论解释导带、半导体、绝缘体的导电性。6、 理解半导体中求Ek与k的

6、关系的方法：晶体中电子的运动状态要比自由电子复杂得多，要得到它的Ek表达式很困难。但在半导体中起作用地是位于导带底或价带顶附近的电子。因此，可采用级数展开的方法研究带底或带顶Ek关系。7、 掌握电子的有效质量的定义：/一维，注意，在能带底是正值，在能带顶是负值。电子的速度为v，注意v可以是正值，也可以是负值，这取决于能量对波矢的变化率。8、 引入电子有效质量后，半导体中电子所受的外力与加速度的关系具有牛顿第二定律的形式，即af/。可见是以有效质量代换了电子惯性质量。9、 有效质量的意义：在经典牛顿第二定律中a=f/m0,式中f是外合力，是惯性质量。但半导体中电子在外力作用下，描述电子运动规律的

7、方程中出现的是有效质量mn*，而不是电子的惯性质量。这是因为外力f并不是电子受力的总和，半导体中的电子即使在没有外加电场作用时，它也要受到半导体部原子与其它电子的势场作用。当电子在外力作用下运动时，它一方面受到外电场力f的作用，同时还和半导体部原子、电子相互作用着，电子的加速度应该是半导体部势场和外电场作用的综合效果。但是，要找出部势场的具体形式并且求得加速度遇到一定的困难，引进有效质量后可使问题变得简单，直接把外力f和电子的加速度联系起来，而部势场的作用如此由有效质量加以概括。因此，引进有效质量的意义在于它概括了半导体部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动运动规律时，可以不涉

8、与到半导体部势场的作用。特别是mn*可以直接由实验测定，因而可以很方便地解决电子的运动规律。在能带底部附近，d2E/dk20，电子的有效质量是正值；在能带顶附近，d2E/dk20，数值上与该处的电子有效质量一样，即0 ，空穴带电荷q。 空穴的能量坐标与电子的相反，分布也服从能量最小原理。13、 本征半导体的导电机构：对本征半导体，导带中出现多少电子，价带中就对应出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电，这就是本征半导体的导电机构。这一点是半导体同金属的最大差异，金属中只有电子一种荷载电流的粒子称为载流子，而半导体中有电子和空穴两种载流子。正是由于这两种载流子的作用，使半导体表现出

9、许多奇异的特性，可用来制造形形色色的器件。14、 盘旋共振的实验发现，硅、锗电子有效质量各向异性，说明其等能面各向异性。通过分析，硅有六个椭球等能面，分别分布在晶向的六个等效晶轴上，电子主要分布在这六个椭球的中心极值附近。仅从盘旋共振的实验还不能决定导带极值椭球中心确实定位置。通过施主电子自旋共振实验得出，硅的导带极值位于方向的布里渊区边界的0.85倍处。15、 n型锗的实验指出，锗的导电极小值位于方向的布里渊区边界上共有八个。极值附近等能面为沿方向旋转的八个椭球面，每个椭球面有半个在布里渊区，因此，在简约布里渊区共有四个椭球。16、 硅和锗的价带结构：有三条价带，其中有两条价带的极值在k0处

10、重合，有两种空穴有效质量与之对应，分别为重空穴和轻空穴，还有第三个价带，其带顶比前两个价带降低了，对于硅，0.04ev，对于锗0.29ev，这条价带给出了第三种空穴。空穴重要分布在前两个价带。在价带顶附近，等能面接近平面。17、 ，它的能量比布里渊区中心极小值的能量高0.29ev。正是由于这个能谷的存在，使砷化镓具有特殊的性能见第四章。价带结构与硅、锗类似。室温下禁带宽度为1.424ev。难点：1、 描述晶体的周期性可用原胞和晶胞，要把原胞和晶胞区分开。在固体物理学中，只强调晶格的周期性，其最小重复单元为原胞，例如金刚石型结构的原胞为棱长a的菱立方，含有两个原子；在结晶学中除强调晶格的周期性外

11、，还要强调原子分布的对称性，例如同为金刚石型结构，其晶胞为棱长为a的正立方体，含有8个原子。2、 闪锌矿型结构的族化合物和金刚石型结构一样，都是由两个面心立方晶格套构而成，称这种晶格为双原子复式格子。如果选取只反映晶格周期性的原胞时，如此每个原胞中只包含两个原子，一个是族原子，另一个是族原子。3、 布洛赫波函数的意义：晶体中的电子在周期性势场中运动的波函数与自由电子的波函数形式相似，代表一个波长为1/k而在k方向上传播的平面波，不过这个波的振幅x随x作周期性的变化，其变化周期与晶格周期一样。所以常说晶体中的电子是以一个被调幅的平面波在晶体中传播。显然，假设令x为常数，如此在周期性势场中运动的电

12、子的波函数就完全变为自由电子的波函数了。其次，根据波函数的意义，在空间某一点找到电子的几率与波函数在该点的强度即|=成比例。对于自由电子，|=A,即在空间各点波函数的强度相等，故在空间各点找到电子的几率一样，这反映了电子在空间中的自由运动，而对于晶体中的电子，|=|xx|，但x是与晶格同周期的函数，在晶体中波函数的强度也随晶格周期性变化，所以在晶体中各点找到该电子的几率也具周期性变化的性质。这反映了电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其它晶胞的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动，这种运动成为电子在晶体的共有化运动。组成晶体的原子的外层电子共有化运动较强，其行为与

13、自由电子相似，常称为准自由电子。而层电子的共有化运动较弱，其行为与孤立原子中的电子相似。最后，布洛赫波函数中的波矢k与自由电子波函数的一样，它描述晶体中电子的共有化运动状态，不同的k的标志着不同的共有化运动状态。4、 金刚石结构的第一布里渊区是一个十四面体，见教材图111，要注意图中特殊点的位置。5、 有效质量的意义：引入有效质量后，电子的运动可用牛顿第二定律描述，a=f/mn*。注意，这是一个经典力学方程，f是外合力。半导体中的电子除了外力作用外，还受到半导体部原子与其它电子势场力的作用，这种作用隐含在有效质量中，这就使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉与半导体部势场的作用。6、 价带电子导电通常用空穴导电来描述。实践证明，这样做是十分方便的。但是，如何理解空穴导电？设想价带中一个电子被激发到价带，此时价带为不满带，价带中电子便可导电。设电子电流密度密度为J，如此：J价带k状态空出电子总电流可以用下述方法计算出J的值。设想以一个电子填充到空的k状态，这个电子的电流等于电子电荷-q乘以k状态电子的速度vk，即 k状态电子电流-qvk填入这个电子后，价带又被填满，总电流应为零，即