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1、操 作 指 南目录一、操作指南1开箱验机2操作部件介绍3测试电压选择4基本操作5编程操作6缓冲区编辑7微机通讯操作8其它操作9查看软件版本编号10操作注意事项11运放测试使用说明12锁紧插座板功能介绍二、产品介绍1工作原理2系统主要构成3主要参数4功能综述5适用范围6测试容量7软件升级三、维护保养四、售后服务五、测试容量清单重要提示：1本机使用220V15%、50HZ交流电源。2当用本机对EEPROM、串行EEPROM、FLASH ROM、单片机片内ROM器件进行好坏判别或写入时，将会改变被测器件内部的数据，因此对正在使用中的这类器件进行好坏判别前，最好能先备份；而对这类器件进行数据显示或读入
2、、比较时则不会改变数据。3EEPROM、FLASHROM、串行EEPROM、运算放大器、三端稳压器等器件不能进行型号识别。4当按下“好坏判别”键时，若显示“12”或“OU-数字”或“VCC数字”时，按要求放好被测器件后，须再次按下“好坏判别”键。光耦合器件测试时会显示“12”，请参阅第7页的说明。5在进行各项测试之前，首先要确认测试电压与被测器件是否匹配，否则有可能损坏被测器件。选择的原则是9.0V及15V测试电压仅CMOS40、CMOS45、数码管、光耦系列可选，其它系列只能选3.3V及5.0V测试电压。仪器开机时黙认测试电压为5.0V。运放和三端稳压器的测试电压是自动控制的。6用户收到仪器
3、后，应尽快将光盘中的文件复制到微机中。7本机仅在作为编程器使用时才可能与计算机相连，其它测试时无须连接。一、操作指南1开箱验机 请你小心取出ICT33C+主机，将包装箱内的物品与装箱清单核对，若有短缺请及时与制造商联系。ICT33C+装箱清单a ICT33C+主机-一台b 产品说明书-一本c 特殊器件测试板-一块d 产品保修单-一份e 连接插针-两根g. 光盘-一张h. 通讯电缆-一根I电源线-一根将电源线接于仪器后部插座内，打开仪器的电源开关，此时仪器应有以下反应：1. 液晶显示屏显示“CHECP”并伴有一声高音提示。2. PASS指示灯锁紧插座板上“数字电路”“测试中”指示灯亮。仪器进入自
4、检状态：A. 自检正常，有两声低音提示，显示屏显示“PLEASE”，可进行正常测试操作。B. 自检失败，有两声低音提示，显示“1”数值。 自检失效时，不能进行各项操作，此时请确认以下内容：a. 锁紧插座上无集成电路，各种外接测试卡未连接在主机上。b. 锁紧插座任意两脚之间无短路线。c. 电源电压在规定范围内。如果以上各点均正常，即表明仪器损坏，请及时与厂商联系。2、产品操作部件介绍（1） 产品操作部件名称请见图一 图二，锁紧插座板的功能请见11页。测试电压指示灯PASS指示灯FAIL指示灯锁紧插座板图一键盘主机测试指示灯保险管微机通讯接口220V电源插座测试电源正极散热孔电源开关图二（2） 操
5、作键功能1“09”键为数字键，用于输入被测器件型号、引脚数目。2“好坏判别/查空”键为多功能键。若输入的型号为EPROM、单片机（8031除外）器件，则它使仪器对被测器件进行查空操作；在其它型号时，它使仪器对被测器件进行好坏判别。若第一次按下了数字键，则至少要在输入三位型号数字后，输入该键才能被仪器接受；若在没有输入型号数字的时候输入该键，则仪器将对前一次输入的器件型号进行好坏测试。此功能用于测试多只相同的器件。3“型号判别”键为功能键，用于判别被测器件的型号，在未输入任何数字的前提下才是有效。4“代换查询”键为功能键，用于查询是否有相同逻辑功能相同引脚排列的器件，至少在输入三位型号数字后，输
6、入该键才能被仪器接受。5“老化/比较”键为多功能键，用于对被测器件进行连续老化测试，至少在输入三位型号数字后才能被仪器接受。当输入的型号是EPROM、EEPROM、FLASH ROM、单片机器件（8031除外）时，它将被测器件内部的数据与机内RAM中的数据进行比较。6“读入”键为功能键，当输入的型号是EPROM、EEPROM、FLASH ROM、单片机器件时才有效，它将被测器件内部的数据读入到机内RAM中并保存。7“写入”键为功能键，与“读入”键相似，它将机内RAM中的数据写入到被测器件中并自动校验。8“编辑/退出”键为多功能键，它可对机内RAM中的数据进行编辑（填充、复制、查找、修改）；当对
7、单片机及具有数据软件保护功能的FLASH ROM器件进行写入时，该键也是加密功能键；当在进行老化测试时，按该键可退出老化测试；当对运算放大器进行测试时，该键可设定测试参数。9“F1/上”键为多功能键，当开机后或测试完成后，该键可选择测试电压；而在RAM数据编辑时，该键使地址减1。10“F2/下”键为多功能键，当开机后或测试完成后，按该键进入与微机通讯状态；而在RAM数据编辑时，该键使地址加1。11“清除”键为功能键，用于结束错误操作，或清除已输入的型号。（3） 锁紧插座操作方法：当操作杆竖立时为松开状态，可放上或取下被测器件；当操作杆平放时为锁紧状态，可对被测器件进行测试。（4） 特殊器件测试
8、板使用方法：当测试8255，6821，Z80PIO等器件时，将被测器件放上特殊器件板相应插座（1或2），再将特殊器件板插入锁紧插座（注意器件缺口向左），再次按下“好坏判别”或“老化/比较”键即可。3. 测试电压选择开机后或测试完成后，按下“F1/上”键即进入测试电压循环选择，每按一次就换一挡电压，确定后按“F1/上”键以外的其它任意键即退出。4基本操作（以74LS00为例）（1） 器件好坏判别：a 输入7400，显示“7400”，锁紧插座板上“数字电路”指示灯亮。b 将被测器件74LS00放上锁紧插座并锁紧，如图三所示。c 按下“好坏判别”键。* 若显示“PASS”，同时伴有高音提示，表示器件
9、逻辑功能完好，黄色LED灯点亮。* 若显示“FAIL”，同时伴有低音提示，表示器件逻辑功能失效，红色LED灯点亮。d 若要测试多只相同器件，再次按下“好坏判别”键即可。e 存储器的测试时间较长，测试过程中仪器不接受任何命令输入。图三（2） 器件老化测试：a 输入7400，显示“7400”。b 将被测器件74LS00放上锁紧插座并锁紧。c 按下“老化”键，仪器即对被测器件进行连续老化测试，若用户想退出老化测试状态，只要按下“编辑/退出”键即可。d 对多只相同型号的器件进行老化测试时，每换一只器件都要重新输入型号。（3） 器件型号判别：a 将被测器件放上锁紧插座并锁紧，按“型号判别”键，显示“P”
10、，锁紧插座板上“数字电路：指示灯亮，提示用户输入被测器件引脚数目，如有14只引脚，即输入14，显示“P 14”；8只引脚输入08。b 再次按下“型号判别”键。* 若被测器件逻辑功能完好，并且其型号在本仪器测试容量以内，仪器将直接显示被测器件的型号，例如7400。* 若被测器件逻辑功能失效，或其型号不在本仪器测试容量以内，仪器将显示FAIL。c 进行型号判别时，输入的器件引脚数目必须是两位数，如8只引脚输入08。d 由于本仪器是以被测器件的逻辑功能来判定其型号，因此当各系列中还有其它逻辑功能与被测器件逻辑功能完全相同的其它型号时，仪器显示的被测器件型号可能与实际型号不一致，这取决于该型号在测试软
11、件中的存放顺序。出现这类情况时，说明仪器显示的型号与被测器件具有相同的逻辑功能。e 当型号被判别出后，该型号仅供显示用，并未存入仪器内部，要判别器件的好坏，仍须输入一次型号。（4） 器件代换查询：a 先输入原器件的型号，如7400，再按“代换查询”键。* 若在各系列存在可代换的型号，则仪器将依次显示这些型号，如7403，每按一次“代换查询”键，就换一种型号显示，直到显示“NODEVICE”。* 若不存在可代换的型号，则直接显示“NODEVICE”。b仪器认为那些逻辑功能一致且引脚排列一致的器件为可互换的器件，并未考虑器件的其它参数，此功能请用户参考使用。（5） EPROM查空操作a 输入被测器
12、件的型号，将其放上锁紧插座并锁紧。b 按“好坏判别/查空”键，仪器将对被测器件进行全空检查（是否全为FF）。若是全空，显示“EPY”；否则显示地址、数据，再显示“NO EPY”。5编程操作 编程操作是将仪器内部RAM缓冲区的数据写入（烧写）到被测ROM器件中（写入操作）；或将被测ROM器件中的数据读入到仪器内部RAM缓冲区（读入操作）。目前本机可读写128K以内EPROM、串并行EEPROM、FLASH ROM、单片机片内ROM等器件，并可不断升级。（1）全片读入：将被测器件的全部数据读入到仪器内部。a 输入被测器件的型号，将其放上锁紧插座并锁紧，按“读入”键；b 此时仪器进入读/存状态，读入
13、完成后显示“END”。（2）部分读入：将被测器件的部分数据读入到仪器内部（单片机及串行EEPROM无此操作）。a 输入被测器件的型号，将其放上锁紧插座并锁紧。b 按“F1/上”键，显示“F1”，输入被测器件的五位起始地址；按“F2/下”键， 显 示“F2”，输入被测器件的五位结束地址；再按“F1/上”键，显示“F1”， 输 入存放于机内RAM缓冲区的起始地址，再按“读入”键。c 此时仪器进入读/存状态，读入完成后显示“END”。d 例如将EPROM器件27010中地址02789H至1ABFEH的数据读入到仪器内部 0365AH开始的RAM单元中，操作顺序为：27010F102789F21ABF
14、EF10365A读入。（3）全片写入：将被测器件的全部空间写完。a测器件的型号，将其放上锁紧插座并锁紧。b按“写入”键，显示“UP1L1”，表示编程电压UP为一档（12.5V），编程速度L为一档（高速）。c 若用户对这两个参数不作修改，再次按下“写入”键即进入写入状态，显示器显示写入的进程。d 若用户对编程电压和编程速度要作修改，在显示“UP1L1”时按“F1/上”键，显示“UP”，表示修改编程电压，此时输入新的编程电压档数即可（1，2有效，2表示编程电压为21V）；按“F2/下”键，显示“L1H 9L”，表示修改编程速度，此时输入新的编程速度即可（1至9有效，数字越大速度越低）。修改完成后再次按下“写入”键，即进入写入状态。e 写入完成后，仪器自动进行校验，若完全正确，显示“PASS”；若不正确，显示出错的地址、数据，再显示“FAIL”。f 仅EPROM器件写入时可修改编程电压及速度，其它如EEPROM、FLASH、单片机片内器件编程电压及速度均是固定的。（4）部分写入：将被测器件的部分空间写入。a输入被测器件的型号，将其放上锁紧插座并锁紧。
