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1、泓域咨询/渭南DUV光刻胶项目申请报告目录第一章 市场预测7一、 半导体工业发展的基石光刻技术7二、 大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建，国产光刻胶企业迎来重大机遇9三、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力11第二章 项目基本情况15一、 项目名称及建设性质15二、 项目承办单位15三、 项目定位及建设理由16四、 报告编制说明17五、 项目建设选址19六、 项目生产规模19七、 建筑物建设规模19八、 环境影响19九、 项目总投资及资金构成19十、 资金筹措方案20十一、 项目预期经济效益规划目标20十二、 项目建设进度规划21主要经济指标一览表21第三章 项目建设背景及必要
2、性分析24一、 光致产酸剂（Photo-AcidGenerator，PAG）24二、 芯片短缺，上游原材料供应偏紧，国产材料导入进度加快24三、 加速推进西渭融合25四、 融入国家战略再作新贡献25第四章 建设方案与产品规划27一、 建设规模及主要建设内容27二、 产品规划方案及生产纲领27产品规划方案一览表27第五章 项目选址29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 营造最优环境再强新支撑30四、 项目选址综合评价31第六章 发展规划32一、 公司发展规划32二、 保障措施38第七章 运营管理模式41一、 公司经营宗旨41二、 公司的目标、主要职责41三、 各部门职责及权限42
3、四、 财务会计制度45第八章 法人治理52一、 股东权利及义务52二、 董事57三、 高级管理人员61四、 监事63第九章 工艺技术方案66一、 企业技术研发分析66二、 项目技术工艺分析68三、 质量管理69四、 设备选型方案70主要设备购置一览表71第十章 项目节能方案72一、 项目节能概述72二、 能源消费种类和数量分析73能耗分析一览表74三、 项目节能措施74四、 节能综合评价75第十一章 项目进度计划77一、 项目进度安排77项目实施进度计划一览表77二、 项目实施保障措施78第十二章 组织机构及人力资源配置79一、 人力资源配置79劳动定员一览表79二、 员工技能培训79第十三章
4、 原辅材料分析82一、 项目建设期原辅材料供应情况82二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理82第十四章 安全生产84一、 编制依据84二、 防范措施87三、 预期效果评价91第十五章 投资计划92一、 投资估算的依据和说明92二、 建设投资估算93建设投资估算表97三、 建设期利息97建设期利息估算表97固定资产投资估算表99四、 流动资金99流动资金估算表100五、 项目总投资101总投资及构成一览表101六、 资金筹措与投资计划102项目投资计划与资金筹措一览表102第十六章 经济效益及财务分析104一、 基本假设及基础参数选取104二、 经济评价财务测算104营业收入、税金及附加和增值
5、税估算表104综合总成本费用估算表106利润及利润分配表108三、 项目盈利能力分析108项目投资现金流量表110四、 财务生存能力分析111五、 偿债能力分析112借款还本付息计划表113六、 经济评价结论113第十七章 项目招标方案115一、 项目招标依据115二、 项目招标范围115三、 招标要求115四、 招标组织方式118五、 招标信息发布118第十八章 风险评估分析119一、 项目风险分析119二、 项目风险对策121第十九章 总结分析124第二十章 附表127主要经济指标一览表127建设投资估算表128建设期利息估算表129固定资产投资估算表130流动资金估算表131总投资及构成
6、一览表132项目投资计划与资金筹措一览表133营业收入、税金及附加和增值税估算表134综合总成本费用估算表134固定资产折旧费估算表135无形资产和其他资产摊销估算表136利润及利润分配表137项目投资现金流量表138借款还本付息计划表139建筑工程投资一览表140项目实施进度计划一览表141主要设备购置一览表142能耗分析一览表142第一章 市场预测一、 半导体工业发展的基石光刻技术1904年英国物理学家弗莱明发明了二级检波管（弗莱明管），1907年美国发明家弗雷斯特发明了第一只真空三极管，而世界上第一台通用电子计算机ENIAC则于1946年由约翰冯诺依曼等人在美国发明完成。ENIAC由17
7、,468个电子管和7,200根晶体二极管构成，重量高达30英吨，占地达170平方米。1947年12月，美国贝尔实验室正式成功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管，并于1954年开发出了第一台晶体管化计算机TRADIC。TRADIC由700个晶体管和10,000个锗二极管构成。 现如今已经来到21世纪20年代，在ENIAC和TRADIC发布大半个世纪后，华为公司于2020年10月22日发布了截至当时全球最为先进的芯片产品之一基于5nm工艺制程的手机SoC芯片麒麟9000。麒麟9000集成了多达15,300,000,000个晶体管，将手机所需的CPU、GPU、NPU、ISP、安全
8、系统和5G通信基带等计算单元都集成于一体。与ENIAC和TRADIC相比，麒麟9000的电子元器件数量增加了约100万倍，但整体的器件体积和质量却有了极大程度的缩小，搭载有麒麟9000芯片的华为Mate40Pro手机的重量仅为212克。从ENIAC和TRADIC到麒麟9000，这反映了全球科技的高速发展，而更确切地说这代表着全球半导体集成电路（IC）工艺的飞跃。19世纪50年代末，仙童（Fairchild）半导体公司发明了基于掩膜版的曝光和刻蚀技术，极大地推动了半导体技术革命，该技术也一直沿用至今。1965年，时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的戈登摩尔（GordonMoore）在电子学（E
9、lectronics）上发表了题为让集成电路填满更多的元件（CrammingMoreComponentsOntoIntergratedCircuits）的文章，并首次提出了被后世奉为“计算机第一定律”的经验性规律摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可以容纳的元器件的数目，每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。在过去的数十年间，整个半导体工业都始终遵循着摩尔定律向前不断发展。基于现有的晶圆制造工艺规划情况，摩尔定律在未来至少5-10年内仍将保持着“生命力”。半导体工业能够沿着摩尔定律向前发展离不开光刻工艺的不断进步，在光刻领域，对于摩尔定律其实还存在另外一种解读：每18-24个月，利用
10、光刻工艺在集成电路板上所能形成的最小图案的特征尺寸将缩小30%。光刻工艺是半导体制造中通过化学或物理方法进行图案转移的技术。现代光刻工艺通过光学成像系统将掩膜版上的电路设计图样，使用特定波长的光投影到涂覆有光刻胶的硅片上，使其感光并发生化学性质及溶解性的转变，而后再通过显影、刻蚀、去胶等步骤将原掩膜版上的图案信息转移到带有电介质或者金属层的硅片上。在整个芯片制造过程中可能需要进行数十次的光刻，光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的30%，耗时约占整个芯片生产环节的40%-50%。光刻工艺的精密度决定了集成电路的关键尺寸，奠定了器件微缩的基础，即得到更短的沟道长度和实现更低的工作电压。二、 大陆晶
11、圆代工厂成熟制程快速扩建，国产光刻胶企业迎来重大机遇半导体工业沿摩尔定律向前发展，光刻技术是基石。摩尔定律的延续离不开光刻技术的进步，目前全球最为顶尖且实现量产的光刻工艺为台积电的5nm制程工艺（2020年），3nm制程工艺预计将于2022年正式投产。而大陆方面，最为领先的晶圆代工企业中芯国际已于2021年实现7nm制程工艺的突破，但仍与世界顶尖水平存在着约2代技术的差距，对应的技术研发周期约为3-4年。半导体光刻胶为晶圆制造核心材料，大陆产品仍存较大技术差距。在所有的晶圆制造材料中，半导体光刻胶凭借其复杂且精准的成分组成要求而具有最高的价值含量。半导体光刻胶产品由低端到高端可分为g线、i线、
12、KrF、ArF和EUV光刻胶，最高端的EUV光刻胶基本被日本和美国企业所垄断。大陆方面目前仅实现了KrF光刻胶的量产，ArF光刻胶产品仍处于下游客户验证阶段并未形成实际性的量产产能，而最高端的EUV光刻胶的技术储备近乎空白。行业政策与“大基金”加持，助力光刻胶突破“卡脖子”技术壁垒。“十四五”规划提出了“强化国家战略科技力量”的方针，重点强调要从“卡脖子”问题清单和国家重大需求中找出科学问题。集成电路的产业发展一直是我国的“卡脖子”问题之一，其中半导体光刻胶等产品领域存在有明显的“受制于人”的问题，而突破这些“卡脖子”技术壁垒必将成为践行“强化国家战略科技力量”这一宏观战略的重点之一。自201
13、4年6月国务院发布国家集成电路产业发展推进纲要以来，国家不断地通过政策、科研专项基金、产业基金等多种形式为国内光刻胶企业的发展提供支持。大陆晶圆代工产能增速全球第一，聚焦成熟制程利好国产化推进。根据SIA和BCG预测，2021-2030年期间中国大陆的晶圆代工产能增速在全球范围内将排名第一。伴随着大陆晶圆代工产能的快速扩张，特别是28nm及以上成熟制程晶圆代工产能快速扩张，大陆市场对于光刻胶等半导体材料的需求将与日俱增。而中美贸易摩擦对于半导体材料的限制或禁运，将加快国内已实现量产突破的产品向国内晶圆代工厂商的导入进度。同时，半导体光刻胶企业在获得持续订单后有望形成正反馈循环，依靠可持续性的资
14、金流入，推动现有半导体光刻胶产品的产能扩增及新一代半导体光刻胶产品的研发。三、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力晶圆制造材料市场规模稳步提升，中国大陆市场增速全球最高。半导体制造所需材料种类繁多，按前后端工艺分为晶圆制造材料和组装与封测所需材料。根据SEMI数据，2007-2021年，晶圆制造材料与封装材料的市场规模总体上都呈现出上升态势，并且前者增速更高。根据SEMI数据，2015年晶圆制造材料的市场规模约为240亿美元，晶圆封装材料的市场规模为192亿美元。根据SEMI预测，2021年全球晶圆制造材料市场规模升至344亿美元，2015-2021年CAGR为6.2%；全
15、球晶圆封装材料的市场规模将达215亿美元，2015-2021年CAGR为1.9%。根据SEMI数据及预测，从全球不同地区的半导体材料市场来看，亚洲地区占据了大部分市场份额，其中又以中国台湾的市场规模最大。2021年中国台湾半导体材料市场规模预计将达到127亿美元，占比达22.2%。增长率方面，各地区2016-2021年半导体材料市场的年均复合增长率在3.9%至8.4%之间，其中受益于下游晶圆代工产能快速增长的中国大陆晶圆制造材料市场规模年均增长率最高达8.4%。根据SEMI预测，2021年全球晶圆制造材料市场中半导体光刻胶及其配套试剂的总体市场规模占比将达到12.9%，仅次于硅片与电子特气位列第三；预计2021年全球半导体光刻胶市场规模将达到19.8亿美元，2016年至2021年的半导体光刻胶全球市场规模C
