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1、UAflTCf*aoi .餡.iMniGv hamticw .5 3 l目錄:厂:真空澱鍍對機構;没計的憊赴 二：溅鍍設計思路：.三：設計重要項A： bossIB：側糯、肋與壕溝C： I/O與破孔 D：課題驗證與分析UlOTtC.心 餡iWnlGv hamtic y 2 .mtoCq uc-:真空濺鍍對機構設計的優點:I t I I I I I I 1 I I I 丄1:設計簡削比傳统鐵件或鋁鎂件設計容易。I I I I I2:設irl RIWS少.纽工圖刿斷簡單容易。 3:減少機構設計及研發冉案.縮短研發時間.I1；1I|IIIIII4：機構干涉少.只要把頊般外形及尺寸即可。 I i I I
2、 I I I I I5：公差容易控制.不存在鐵件及鋁鎂件的組立公差。6：可使用共用料件.設計共用EM1彈片或亨五泡棉、導盍布給所冇機楝使用。UlHWf .40 .笛iMnlEU MAJVYIC y g fW J Lte二：Boss設計注意事項:I ill ! I I I I I I1:避免“火山口”設計及建議。H : , TI I：IIIII I2：逋離側牆追蔽及hinge處含_T II_;Ftt1_|3：在壕溝內的boss没計及建議o IIIII I4： Boss儘吊避免拉模及毛邊。；!irII|_III5：利於boss導通設計示例。Udi) 笛LM1： Boos 建議“火ill I I 設
3、計及通常悄況下boss延根部一圈局部下凹，形成凹槽及與平面形成臺 階，我們統稱為“火山口” c Boss設計時應儘量避免boss根部火山口； 火山口對阻抗辱通影響較大，辱致阻抗不穗定，槟至不辱通，所以為了 - 提高Boss根部導通性，一般火山口填平且在根部倒R角0.20. 3niu -I I i ： I I I I i I I I i I I I I I I I I需要程定導通的boss,設計時應遠離側邊及側牆遮蔽區域甚至遠熾塑殻應該減少過多的凹凸區域（壕溝），設計時需要導通的，應儘量 避免凹凸結橋（壕满），凹凸結構（壕满）容易造成路徑過窄，形成斷差 由於岡示boss四邊受擋牆阻擋，且在凹槽中
4、導致局部鍍率很差，所以阻 抗hinge因為側邊及hinge處均會存在較高的邊（擋牆）及較為複雜的結扌 通常建議boss距離與高牆或側邊呈1:1比例，例如牆高15mm,所投彫範If 也為15mm,所以boss距檔牆至少15nin,對於無側壁及高JB產品,boss至 少離邊緣（側邊）8 mm以上。（Rib 笛me 5、 ! ZTV 5 Li：3：在舞满內或凹槽內的boss設計及建議rBoss用端毛邊BossBoss拉模容易導致鍍膜部分脫落形成阻抗不穩定現象，而boss頂端1會較差，建議通過RIB辱通到破碟，提髙辱通性，從而降低阻抗.UABTtC 0.” |.时iWllW HAMMC 亠Lfc4：
5、Boss儘量避免 2E邊I_I_I_1_!_1_I_!_I_!_I_I_L邊容易造成測量或纽裝時E遏斷裂形成斷膚、不連细的現象。UABTCC”0篇.i4i 修iMnlKU MAimc y 2 .5 3 Lt1i16:利於boss導通設計不例0a：改善boss ini L:】牆阻扌當Mt態fjnBiii牆;1- J1改善b：Boss倒R角利於導通示例1 1 1 I 1 1 1c：增加rib figR)%5ff階boss141抗導i一圖示boss受髙boss及门b阻擋，導致boss根部鍍率較差，相應導通 性較差.利用boss側壁補牆來提高鍍率及導通性，減少自身結構導致導通性較差現象.0. 3一0
6、5mmUAOTtfIWllW wnic Lijc：增加rib或R用來提高多邛階boss阻抗導通多臺階boss Il於交接處較多，般交界處局部鍍率都較差，導通件 也相應較差。為此建議：1 :儘戢避免多盘階bcss結構。2：通過 rib或倒角來提高導通性。UAflTPP 笛iWllW MAJVnc ye .5 3 u：側牆、肋及壕溝處利於導通設計項:| _! II |.1：側牆倒R角及增加rib設計。-2J2： Rib 補牆;役計。11,1 二3：產品邊緣及壕満處，增加ribgftlfJ4：功能性的筋（牆j ODD處補牆及開口設計。5：多臺階（牆）處覇用補牆增加rib及倒角設計。側犒或拼躺結介處受
7、阳擋，導致局部鍍率較星，同時琏吃的結合處面積很 窄.容易好致辱通性較差，通過產胡“局部”根部倒R角設計改苒辱通性， 若產品無法倒R角設計，可採用“局部“增加rib方式（補牆）捉崗導通性;4 I I 4 I I I I I I I 修MAAtlC -G3：產品邊缘及壕溝處,增加rib設計示癖:岡砲盘区域增加r i b 3 tz破碟邊緣或產品邊缘及壕溝處該區域較深、較窄，使該區域 鍍率較羌，增加rib方式，提鬲局部強度的同時，提奇局部溅鍍後 導通性。4：功能性的筋（牆）ODD處補牆及開口設計示例IH示部分ODD處】ib,圖示部分如果Mb較高且沒有中斷，容易椁致rib 內外口I抗差異較大，導致内外導
8、通性較差，利用rib中間斷開及側壁補牆 來提高鍍率及停通性，建議RIB的高度控制在10或13mn以內，寬度控制在1mm左右以上，同時Iib如圖示開孔設計。端和根部都倒R角（至少0. 5rmn）I/O破孔區域設計至少預留寬度 2至少需要預留1.52 mm遮蔽區域1至少需要 5mm以上3至少需要5mm以上I/O孔數據：I/O破孔區域周邊需要濺鍍，孔邊緣 與美工邊寬度，至少需 要5mm以上，破孔邊緣至少需要預留1.5-2 mm遮蔽區 域，兩孔之間至少需要5mm以上才能導通。外觀驗證課題:外觀波浪紋咬花驗證 平面傷-磨白、劃傷、亮痕，只 要劃傷 不深，基本可以修復 凹面傷-磨白、劃傷、亮痕 凹面傷-磨白、劃傷、亮痕 隨著 外觀種類越來越多，目前很多機種已經採用波浪紋設計，並且要求有的咬花、有點亮面，這樣一來會給廠商造成很大的阻抗困擾，由於波浪紋凹處只要有劃傷、磨白、亮痕就很難修復，甚至無法修復，正常機種的生產報廢率我們控制在1.5%以內，波浪紋機種報廢率會在 7%8%,同時產出修復時間會增長。MRmHJ ;1如此Zfif Ltd赫得技術部-吳進
