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1、第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1 .半导体一 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。2 .特性-光敏、热敏和掺杂特性。3 .本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4 .两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5 .杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）*N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。* 体电阻通常把杂质半导体自身
2、的电阻称为体电阻。* 转型 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN 结* PN 结的接触电位差一硅材料约为，错材料约为* PN 结的单向导电性 一正偏导通，反偏截止。8. PN结的伏安特性向特性医 10 J工一 :上 A反向特二.半导体二极管* 单向导电性正向导通，反向截止。* 二极管伏安特性-一 同PN结。* 正向导通压降- 硅管，错管。* 死区电压- 硅管，错管。3.分析方法 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）。1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。（Q二极管
3、电路（b）图解分析2） 等效电路法?直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）。*三种模型接。（c）折线模型所以稳压二极管在电路中要反向连为o理想模型小）帕用源摄厩? 微变等效电路法aDQCd）小信号模撞.稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性一正常工作时处在 PN结的反向击穿区,第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1 .类型 分为NPN和PNP两种。2 .特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较
4、大。二.三极管的工作原理皿共居极冢态1 .三极管的三种基本组态闺其发射极细志共集中极州志2 .三极管内各极电流的分配c=左n+/bn+/cn =，B + A?/b= fns - 4 BO*共发射极电流放大系数 （表明三极管是电流控制器件 /1州+ （ 1 +8 ）/CBO =#7b+，CO =7r式子.EO= QMKcho称为穿透电流。3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。3测试电器0ATmwub/v*输出特性曲线（饱和管压降，用UCes表示放大区-发射结正偏，集电结反偏 截止区-发射结反偏，集电结反偏 4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高I CB6 I CEO、
5、I C以及3均增加三.低频小信号等效模型（简化）hie-输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe -输出端交流短路时的正向电流传输比, 常用B表示；四.基本放大电路组成及其原则1 . VT、 Vx R、 R、C、C2的作用。3输出特性由战（c）筒伯H参数等效电第基本放大电路的用慨曲法2 .组成原则-能放大、不失真、能传输五.放大电路的图解分析法1 .直流通路与静态分析* 概念一直流电流通的回路。* 画法一电容视为开路。* 作用一确定静态工作点* 直流负载线-由Vx=IcR+UCe确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1 )改变R : Q点将沿直流负载线上下移动。2 )改变R : Q
6、点在I b插在的那条输出特性曲线上移动。3 )改变Vcc：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析* 概念一 交流电流流通的回路* 画法一 电容视为短路，理想直流电压源视为短路。* 作用一分析信号被放大的过程。* 交流负载线 一 连接Q点和V CC点 V CC = UCeq+I CQR L，的 直线。3.静态工作点与非线性失真(1)截止失真* 产生原因一Q点设置过低* 失真现象-NPN管削顶，PNP管削底。* 消除方法一减小Rb,提高Q。(2) 饱和失真* 产生原因一Q点设置过高* 失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。* 消除方法一 增大R、减小Rc、增大Vcc 4.放大器的动态
7、范围(1)UOpp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2)范围* 当(UCEL UCes) ( Vcc Uceq )时，受截止失真限制，UOpP=2Uma=2IcqR辘出/性图解法(ft)归人行忖图就辽把木共射放大电的 U0直流通用(1)静态工作点的近似估算(a)交瓶加格(b)微变评牧电路*当(UCeq-Uses) VVcc Uceq )时，受饱和失真限制，UOpp=2UOma=2(UCeq-Udes)*当(UCeq- U=es) = ( Vcc- Uceq ),放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法1 .静态分析r；CFQ = J CC - F(?Q 我c2 2) Q
8、点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足 3 Rc2.放大电路的动态分析*放大倍数i %= PRt ( -禺九母11广I %/f %+0%+为3*输入电阻用=?=7低:/= b ”beiT j f % + F “r be*输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法稳定丁作点放火器1 .静态分析f rCEQ k* %Q (即十夫e)2 .动态分析*电压放大倍数4 .o, 厮1广 i2(1+/?)&在Re两端并一电解电容 ce后工_ta _网， 77ZF / L九 =Lk = %1*匕玛十& 输入电阻3=与”火91门昨+。+ /0&1在Re两端并一电解电容 Ce后，=区1%2，b*输
9、出电阻心)直流诩踹撇变等效电监& * &八.共集电极基本放大电路1 .静态分析/_ 忆u -入g -7 +(i + m%，CQ * /“BQ* CEQ 用 r CC *1CQ&2 .动态分析(1 +丽bf#)就Q共集电极基本放大电厮(b) H杂数等效噂路*电压放大倍数*输入电阻Ri=Rbrbe+（i+m（HJ/RL）l*输出电阻国 1勺= Rj/rbe+:6 5ZT e1 + /71，称为射极跟随器，简称射随器。3 .电路特点* 电压放大倍数为正，且略小于* 输入电阻高，输出电阻低。第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（JFET ）1 .结构示意图和电路符号N-JFI T结构及电路
10、符号 （b） PQFET皓构及电路符号2.输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）T5震断轨疑输出特色转移特性曲线UP截止电压fD =/n*s（1-广二）CiErpjgs（p输出特性莉移特性绝缘栅型场效应管（MOSFET分为增强型（EMOS和耗尽型（DMOS两种结构示意图和电路符号fl） EMO、结构及电明符号CD内站材及电黏疔弓2 .特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线汨二。口尸* N-EMOS的转移特性曲线I式中，Ido是UGF2UT时所对应的i D值。* N-DMOS的输出特性曲线注意：Ugs可正、可零、可负。转移特性曲线上 场效应管一致。三.场效应管的主要参数1 .漏极饱和电
11、流IDSS2 .夹断电压UP3 .开启电压UTi d=0处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型4 .直流输入电阻RGs5 .低频跨导gm （表明场效应管是电压控制器件）=&Q尚匕各满数场效府管微变等效电路四.场效应管的小信号等效模型五.共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 *静态分析GSQ =_DQ/原理电路* p1口EQ =加-，DQ（*d+吗）动态分析_ 心_ 一m氏七U 4一I -，若带有Cs,则#u=-gm*1）微变等效电路2.分压式偏置放大电路*静态分析%SQ = 5D ”DQ(+ J（ft）惊理电路*动态分析Cc)徽变券效电路(A)电路缎成心1十法1出若源极带有Cs,则
12、工u二唔川发Ai=Kg+K般/小好J1口之 d六.共漏极基本放大电路*静态分析_ &工吃三不Kdd-dqK八=/1m(1 一半卬 * PDQDO力或1(h)微变等效电路第四章多级放大电路一.级间耦合方式1 .阻容耦合-各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。2 .变压器耦合-各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用 集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3 .直接耦合-低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。* 零点漂移-当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初
13、始值“零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应1 .中频段(f L f fH)中频段混合作参数等效电路波特图-幅频曲线是201g Ausm=数，相频曲线是42.低频段(f f H)a高糠或混合斤分效等-效由哥201g|41|o.0Vi0.U Jl iu/L ioofLjAisrn 】+川H-5.71*-45uT9W -PO*Xo.niAO.Vi.A iQ/iin(yLr=T-sA：l1Ixj -45O/dec /4 .完整的基本共射放大电路的频率特性一 1 11III完郡 的草本以时放木包路 的 颇晌曲浅Ninjflfv（】-九）（1+加1） 产词而了 “即响应三.分压式稳定工作点电路的频率分J k式共时中
