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(19 )中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利申请(10)申请公布号CN1599042A(43)申请公布日2005.03.23(21 )申请号 CN200410041605.1(22 )申请日 2004.08.02(71 )申请人无锡华普微电子有限公司;上海毅鑫电子科技发展有限公司地址214035江苏省无锡市惠河路5号(72 )发明人徐爱华;毛立平(74 )专利代理机构无锡市大为专利事务所代理人殷红梅(51) Int.CIH01L21/329;权利要求说明书说明书幅图(54 )发明名称离子注入稳压二极管芯片的制造方法(57)摘要本发明涉及一种离子注入稳压二极管芯片的制造方法，属于半导体器件加工技术领域。其特征是将硅外延片进行第一次氧化，采用磷离子注入，然后进行磷退火处理；进行第二次氧化，第二次氧化后进行光刻、腐蚀；经上述腐蚀过的芯片半成品进行第三次氧化，再采用硼离子注入在上述经过第三次氧化过的芯片半成品上，并进行硼退火处理；再进入生长氮化硅薄膜、光刻、
