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1、HintonInstrumentsWCT 120标准离线硅片少子寿命工具Invrne IMetlme v人On载流子合复寿命的最佳经过校准的测量方式，广泛应 用于太阳能单晶和多晶硅片产品概述WCT测试仪展示了我们独特的测试和分析技术，包 括被高度认可的准稳态光电导（QSSPC）少子寿命 测量方式，该技术由Sinton Instruments于】994年研 发成功。QSSPC技术应用在模拟多晶硅片，掺杂扩 散和低少子寿命样品方面非常理想。该方法是瞬态光 电导技术的补充，瞬态光电导技术也是本仪器的一个 标准技术。iMrtenv! JSQk ；er *QSSPC少子寿命测量也能得到暗开路电压 （与光
2、照）的曲线，可与太阳能电池制程每 一阶段的IV曲线作比较。WCT系统的功能主要应用：一步一步地模拟和优化工厂制程其他应用：模拟原始材料的质量检测硅片制程中的重金属污染评估表面钝化和发射极掺杂扩散使用implied lV测量评估制程导致的分流主要特性单击即可锁定晶硅片的关键参数，包括方块电阻，少子寿命，陷阱密度, 发射极饱和电流密度和暗电压经校准的载子寿命与注入水平的关系，已被各大学接受HintonInstrumentsWCT规格仪器规格设施要求可测量参数：少子寿命 电阻率发射极饱和电流密度陷阱浓度标准太阳下Voc 寿命测量范围： 100ns - 10ms 测量（分析）模式： QSSPC,瞬态和
3、归一化寿命分析 电阻率测量范围：3-600 （未掺杂）Ohms/sq 可得到的偏压范團： 0- 50suns典型的经过校准的注入范围： 10,3-1016cm-3可得到的光谱： 白光和红外光 感应范围： 直径40mm 样品尺寸，标准配置： 标准直径：40-210mm 更小的尺寸也可能量到 硅片厚度范围： 10-2000um （经校准过的） 其他厚度也可能量到 质保期：所有配件和软件1年限 也可有服务协议操作坏境温度：20-25C 电力要求：WCT-120: 40W电脑带显示器：200W光源：60W尺寸：22.5 cm （宽）x28cm （深）x57cm （高）一般的电压：100 - 240VAC 50/60HZ特别的设施要求：无WCT系统配件 WCT-120仪器，信号处理单元，信号线可设计的闪光灯，带滤光片 Windows PC带软件和显示器 Sinton Instruments数据采集和分析软件包高分辨率，告诉数据采集带同步采样和通用模式剔除 Suns-Voc附件选项
