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1、一、物料编码1 目的随着公司的发展和公司产品的增多，越来越多的物料被用于产品的开 发和应用中。为了更好更有效的利用物料，我们需要对库中的物料进行编码。 合理的对物料进行编码，对物料的有效应用和产品质量的提升起到了很大的 作用。2 范围适用于公司库中所有的物料，包括元器件、公司生产产品和外购件。3 原则1使用“一码多物”，“一码一物”的原则，其中“一码多物”主要针 对不同厂家的同一规格。2禁止出现“一物多码”。3.公司库中的物料只有经过编码的才能使用。最后一位是“X”的禁止 入库到生产库的“0”库和成品库的“0”库。4任何新的物料必须按此规范进行编码后才能在公司内使用。4 物料编码规则外购物料编
2、码格式如下：口 口 口口 口 大类 小类流水号临时码位说明：优特公司的外购物料编码采用 11 位编码，11 位编码全部采用 0-9 数字，以后根据情况决定是否采用英文字母，如果是临时编码，加临时 码位 “X”。 对于需要多个供应商多次加工的采购物品，如果存在半成品 以及中间状态，那么，在该产品最终编码的后面增加一位英文字母，用 A/B/C/D等，表示不同的生产状态。不同类别的物料，其流水号的定义可 以不同。1 开头的物料编码，对应的是电子类物料。2 开头的物料编码，对应的是结构类物料。3 开头的物料编码，对应的是外购成品类物料，一般是工程上使用。4 开头的物料编码，对应的是包装、生产辅料、办公
3、、工具类物料。6 开头的物料编码，对应的是自产组件类物料。7 开头的物料编码，对应的是自产成品类物料。自产物料编码格式如下： 总类大类小类辅类硬件版本软件版本流水号说明：优特公司的自产物料编码采用 13 位编码，13 位编码全部采用 0-9数字。总类为6 表示该物料为组件，是不能直接发给客户使用的，总类 为 7 表示该物料为成品，是可以直接发给客户使用的。紧跟 2 位是大类，后 面 2 位是小类，再后面两位是产品辅类信息，再后面是产品的硬件版本（不 能互相替代的硬件版本的流水号），紧跟后 2 位是产品的软件版本（不能互 相替代的软件版本的流水号），最后两位是在可完全互换、硬件版本和软件 版本相
4、同情况下的流水号。二、物料选型1 物料选型总则1所选器件遵循公司的归一化原则，在不影响功能、可靠性的前提下，尽可能少 选择物料的种类。2. 优先选用物料编码库中“优选等级”为“A”的物料。3优选生命周期处于成长、成熟的器件。4选择出生、下降的器件走特批流程。5慎选生命周期处于衰落的器件，禁止选用停产的器件。6. 功率器件优先选用RjA热阻小，门结温更大的封装型号。7禁止选用封装尺寸小于 0402（含）的器件。8. 所选元器件抗静电能力至少达到250V。对于特殊的器件如：射频器件，抗ESD能力至少100V，并要求设计做防静电措施。9. 所选元器件MSL （潮湿敏感度等级）不能大于5级（含）。10
5、. 优先选用密封真空包装的型号，MSL （潮湿敏感度等级）大于2级（含）的，必须使用密封真空包装。11. 优先选用卷带包装、托盘包装的型号。如果是潮湿敏感等级为二级或者以上的器件，则要求盘状塑料编带包装，盘状塑料编带必须能够承受125C的高温。12. 对于关键器件，至少有两个品牌的型号可以互相替代，有的还要考虑方案级替代。13. 使用的材料要求满足抗静电、阻燃、防锈蚀、抗氧化以及安规等要求。2 各类物料选型规则2.1 芯片选型总的规则a）有铅BGA焊球优选Sn63Pb37合金,也可选择高铅（铅含量285%）的SnPb 合金。无铅BGA焊球选择SnAgCu合金。b）有引线的SMD和集成电路器件，
6、引脚线金属材料要为铜、铜合金、可阀 合金、42合金材料，表面合金涂镀均匀、厚度符合相关标准（47.6um）, 涂层不得含金属铋。锡铅引脚镀层:SnPb；无铅引脚镀层:优选:Matte-Sn、 SnAgCu、Ni/Au、Ni/Pd/Au； Sn镀层：对于纯Sn镀层来讲，Sn镀层厚 度27.6 um（电镀工艺）、或22.5um （电镀后熔融工艺）、或25.1um（浸锡工艺）、或20.5um （化学镀工艺）；阻挡层Ni：厚度2 3um； SnCu镀层：SnCu镀层厚度23um； Ni/Pd镀层：Pd镀层厚度2 0.075 um, Ni镀层厚度在3um以上；Ni/Pd/Au镀层：Ni厚度2 3um,
7、Pd 厚度20.075um , Au 厚度在 0.025O.lOumc）谨慎选用台湾的CPU、电源芯片。d）禁止选用QFN封装的元器件，如果只能选用QFN封装的元器件，必须经 过评审。选用任何QFN封装的芯片必须经付总一级的领导批准后才能使 用。e）对于IC优先选用脚间距至少0.5MM的贴片封装器件。f）优选贴片封装的器件，慎选DIP封装器件。g）尽量不要选用BGA封装的元器件，不得不使用才选用。如果选用BGA，BGA 球间距必须大于等于0.8mm，最好大于等于1.0mm。而且尽量选用使用有 铅BGA球器件的型号，并且使用有铅焊接工艺。h）禁止选用不支持在线编程的CPU。i）尽量不要选用三星的
8、芯片。2.2电阻选型规则1、电阻阻值优先选用10系列，12系列，15系列，20系列，30系列，39系 列，51系列，68系列，82系列。2、贴片电阻优选0603和0805的封装，0402以下的封装禁选。3、插脚电阻优选 0.25W,0.5W, 1W, 2W, 3W,5W, 7W, 10W , 15W。4、对于电阻的温漂，J档温漂不能超过500ppm/C, F档温漂不能超过 100ppm/C, B档温漂不能超过10ppm/C。5、金属膜电阻1W及1W以上禁选，金属膜电阻750k以上禁选。6、7W以上功率电阻轴线型禁选7、慎选电位器，如果无法避免，选用多圈的，品牌用BOURNS。电子电位器按 照芯
9、片选型规范操作。8、电阻品牌优选YAGEO、MK、贝迪思。2.3 电容选型规则2.3.1铝电解电容选型规则1、普通应用中选择标准型、寿命1000HR3000HR（为价格考虑，慎选长寿命 型），选择铝电解电容寿命尽量选择2000Hr。2、对于铝电解电容的耐压，3.3V系统取10V、5V系统取10V、12V系统取25V、 24V系统取50V； 48V以上系统选100V；3、铝电解电容必须选用工作温度为105度的。4、对于铝电解电容的容值，优选10、22、47系列；25V以下禁选224、105、 475之类容值型号（用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代）。5、对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极
10、性铝电解电容。6、普通铝电解电容选用品牌SAMWHA”（三和），高端铝电解电容选用NCC（黑 金刚）或其他日本名牌铝电解电容。7、禁止选用贴片的铝电解电容。2.3.2钽电解电容选型规则1、钽电解电容禁止选用耐压超过35V以上的。2、插脚式钽电解电容禁选。3、对于钽电解电容的耐压，3.3V系统取10V、5V系统取16V、12V系统取35V, 10V、16V、35V为优选，4V、6.3V、50V为禁用（用铝电解电容替代）。4、对于钽电解电容的容值：优选10、 22、 47系列。容值105以下的钽电解 电容禁选（用陶瓷电容替代）。5、钽电解电容品牌：KEMET、AVX2.3.3片状多层陶瓷电容选型规
11、则1、高Q陶瓷电容慎选；只用在射频电路上。2、片状多层陶瓷电容封装：0603、0805优选、1206、1210慎选、1808以上 禁选。3、片状多层陶瓷电容耐压：优选25V、50V、100V；106 （含）以上容值的耐压不大于25V。4、片状多层陶瓷电容容量：优选10、 22、 33、 47、 68系列。5、片状多层陶瓷电容的材料，优选NPO、X7R、X5R，其它禁选。6、片状多层陶瓷电容的品牌：TAIYO、MURATA、KEMET、TEMEX （高Q陶瓷电 容）2.3.4引脚多层陶瓷电容选型规则1、新产品禁止选用此类电容（使用片状多层陶瓷电容替代）。2.4 继电器选型规则1、品牌选择: PA
12、NASONIC、OMRON、FINDER。2、禁止使用继电器插座。2.5 二极管选型规则1、禁止使用玻璃封装的二极管2、发光二极管优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管优选选用有焊接框架的型号，ESD/MSL等级遵循上述的标准。3、整流二极管：同电流等级优先选择反压最高的型号.如1A以下选用1N4007,3A的选用IN5408。4、肖特基二极管：同电流档次的保留反压最高的等级，如：1N5819保留，1N5817 禁选，SS14 保留，SS12 禁选;M7,30BQ060,S5G 保留。5、发光二极管优选有边、短脚的；为了保持公司产品的一致性，红发红、绿 发绿等型号优选，白发红、白发绿等型号
13、慎选；如果没有特殊要求，尽量 不要使用长脚、无边的。6、发光二极管优选品牌为“亿光”。7、瞬态抑制二极管的品牌优选PROTEK，SEMTECH。2.6 三极管选型规则1、901X系列的三极管选用9012，9013。2.7 接插件选型规则1、禁选IC插座，如果不能避免使用IC插座，必须使用圆孔的IC插座。2、插针座选用三面接触的，禁止使用2面接触的。PC104等特殊要求的除外。3、成套的接插件要求使用同一品牌的，既插头、插座配套使用的要求它们为 同一品牌的。2.8 开关选型规则1 、禁选拨码开关。2、电源开关优选船形开关.2.9 电感选型规则1、贴片电感品牌优选“三礼”和“SUMIDA”。2.1
14、0 CPU 选型规则1、如果选用的 CPU 是与我公司已使用过的同系列不同型号的，需要经过生产 付总同意。如果选用的CPU是我公司从来没有使用过的新的系列的CPU, 必须经过公司级领导开会讨论来决定。2、保留 Atmega48. Atmegal68. Atmega32. Atmegal28。新的产品禁止再使用 attiny2313 和 Atmega88。3、QFN 封装的 Atmega128 禁止以后新产品选用。4、ARM7 只能选用以下几种：LPC2138FBD64、LPC2292FBD144、STR710FZ2T6、 STR711FR2T6。5、以后新产品使用 COLDFIRE 系列替代
15、68000 系列。2.11 FLASH 选型规则1、并行FLASH品牌优选SPANSION、SST，禁止选用SAMSUNG。2、串行FLASH品牌优选ATMEL。新的产品禁止再使用AT45DB081B-RI。2.12 SRAM 选型规则1、品牌优选 ISSI，CYPRESS，MICRON，IDT，禁用 SAMSUNG 2.13 EEPROM 选型规则1、禁止选用并行的 EEPROM。2、串行 EEPROM 品牌优选 ATMEL 和 MICROCHIP。3、新的产品禁止选用 24LC65-I/SM。2.14 晶体和晶振选型规则1、晶体物料通用技术要求：AT切（基频），20pF负载电容，温度范围-20 +70C（工业温度等级），制造频偏30ppm，温漂50ppm/C，无铅产品。2、晶体和晶振品牌优选HOSONIC和EPSON。3 、晶体和晶振优选系列如下表：名称品牌优选型号频率范围矮型插脚晶体HOSONICESA*.*F20E3
